抗硫化抗高压的存储器储存装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，包含：印制电路板；存储器单元，设置于该印制电路板；连接接口，设置于该印制电路板且电连接于该存储器单元，用以连接到主机系统；抗硫化抗高压被动元件，设置于该印制电路板且电连接于该连接接口及该存储器单元，该抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径以拉长电极间的距离、缓慢倾斜电位倾度，避免高压突波对芯片造成损伤。通过抗硫化抗高压被动元件的设置，本实用新型专利技术的抗硫化抗高压的存储器储存装置能适用于户外的环境。

【技术实现步骤摘要】
抗硫化抗高压的存储器储存装置
本技术涉及一种存储器储存装置，特别是涉及一种抗硫化抗高压的存储器储存装置。
技术介绍
存储器储存装置为电子装置上的重要元件，其可以储存或是暂存电子装置上的数位资料。一般的存储器储存装置可以区分为DRAM模块UDIMM、RDIMM、SODIMM等及FLASH模块SSD等。由于电子装置的普及化，其设置地点可能是位于户外的场所，使得空气中的化合物及水分子接触到存储器储存装置的机率大增，而造成存储器储存装置的寿命缩短。举例来说，现有的存储器储存装置上的电阻均含有银的成分，当于空气中的硫分子接触时，则电阻中含有银的电极层将会起化学作用产生硫化银。硫化银的产生会导致电阻阻值增加，甚至形成开路而失效。因应于此，有存储器储存装置使用抗硫化的电阻，改变电极层的材料以避免硫化。然而，在户外的场所中，存储器储存装置除了有硫化的风险以外，还可能会受天空的雷击与静电产生的高压突波破坏，而造成电阻失效。因此，存储器储存装置上的被动元件仅有抗硫化仍不足以因应户外的环境。
技术实现思路
因此，本技术的目的即在提供一种存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，其特征在于，包含：/n印制电路板；/n存储器单元，设置于所述的印制电路板；/n连接接口，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的存储器单元，用以连接到主机系统；/n抗硫化抗高压被动元件，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的连接接口及所述的存储器单元，所述的抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，其特征在于，包含：
印制电路板；
存储器单元，设置于所述的印制电路板；
连接接口，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的存储器单元，用以连接到主机系统；
抗硫化抗高压被动元件，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的连接接口及所述的存储器单元，所述的抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径。


2.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压电阻。


3.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压排阻。


4.根据权利要求1所述的存储器储存...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭熙霖，王威祥，
申请(专利权)人：十铨科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71