抗硫化抗高压的存储器储存装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，包含：印制电路板；存储器单元，设置于该印制电路板；连接接口，设置于该印制电路板且电连接于该存储器单元，用以连接到主机系统；抗硫化抗高压被动元件，设置于该印制电路板且电连接于该连接接口及该存储器单元，该抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径以拉长电极间的距离、缓慢倾斜电位倾度，避免高压突波对芯片造成损伤。通过抗硫化抗高压被动元件的设置，本实用新型专利技术的抗硫化抗高压的存储器储存装置能适用于户外的环境。

【技术实现步骤摘要】
抗硫化抗高压的存储器储存装置
本技术涉及一种存储器储存装置，特别是涉及一种抗硫化抗高压的存储器储存装置。
技术介绍
存储器储存装置为电子装置上的重要元件，其可以储存或是暂存电子装置上的数位资料。一般的存储器储存装置可以区分为DRAM模块UDIMM、RDIMM、SODIMM等及FLASH模块SSD等。由于电子装置的普及化，其设置地点可能是位于户外的场所，使得空气中的化合物及水分子接触到存储器储存装置的机率大增，而造成存储器储存装置的寿命缩短。举例来说，现有的存储器储存装置上的电阻均含有银的成分，当于空气中的硫分子接触时，则电阻中含有银的电极层将会起化学作用产生硫化银。硫化银的产生会导致电阻阻值增加，甚至形成开路而失效。因应于此，有存储器储存装置使用抗硫化的电阻，改变电极层的材料以避免硫化。然而，在户外的场所中，存储器储存装置除了有硫化的风险以外，还可能会受天空的雷击与静电产生的高压突波破坏，而造成电阻失效。因此，存储器储存装置上的被动元件仅有抗硫化仍不足以因应户外的环境。
技术实现思路
因此，本技术的目的即在提供一种存储器储存装置，除了能抗硫化以外，还能抗高压突波。本技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，包含：印制电路板；存储器单元，设置于该印制电路板；连接接口，设置于该印制电路板且电连接于该存储器单元，用以连接到主机系统；抗硫化抗高压被动元件，设置于该印制电路板且电连接于该连接接口及该存储器单元，该抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压电阻。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压排阻。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该抗硫化抗高压被动元件为多数个。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，还包括抗高压电容，设置于该印制电路板且电连接于该连接接口及该存储器单元。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该存储器储存装置为UDIMM。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该存储器储存装置为RDIMM。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该存储器储存装置为SODIMM。在本技术的一实施例中提供一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，该存储器储存装置为SSD。经由本技术的抗硫化抗高压的存储器储存装置所采用的技术手段，抗硫化抗高压被动元件是在抗硫化被动元件的基础上，将电极之间的导电路径从直线改成曲折，以拉长电极间的距离、缓慢倾斜电位倾度，避免高压突波对芯片造成损伤。因此，抗硫化抗高压被动元件能同时抗硫化以及抗高压。通过抗硫化抗高压被动元件的设置，本技术的抗硫化抗高压的存储器储存装置能适用于户外的环境。附图说明图1为显示根据本技术的一实施例的抗硫化抗高压的存储器储存装置的平面示意图。附图标记100抗硫化抗高压的存储器储存装置1印制电路板2存储器单元3连接接口4抗硫化抗高压被动元件5抗高压电容具体实施方式以下根据图1，而说明本技术的实施方式。该说明并非为限制本技术的实施方式，而为本技术的实施例的一种。如图1所示，依据本技术的一实施例的抗硫化抗高压的存储器储存装置100，包含：印制电路板1、存储器单元2、连接接口3以及抗硫化抗高压被动元件。抗硫化抗高压的存储器储存装置100可以是UDIMM(unbuffereddualin-linememorymodule)、RDIMM(registereddualin-linememorymodule)、SODIMM(smalloutlinedualin-linememorymodule)或是SSD(solid-statedrive)。存储器单元2、连接接口3以及抗硫化抗高压被动元件4皆是设置在印制电路板1上。连接接口3为金手指，是在本技术的抗硫化抗高压的存储器储存装置100插入主机系统的存储器插槽时，而与主机系统连接。连接接口3电连接于该存储器单元2，以传递主机系统与存储器单元2之间的信号。抗硫化抗高压被动元件4电连接于该连接接口3及该存储器单元2。抗硫化抗高压被动元件4是以抗硫化被动元件为基础，将电极之间的导电路径设置曲折的路径，高压突波的高电位能分散到较大的范围，缓慢倾斜电位倾度抵抗突波以免元件失效。由此，本技术的抗硫化抗高压的存储器储存装置100能适用于户外的环境。详细而言，抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压电阻。而在其他实施例中，抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压排阻。再者，抗硫化抗高压被动元件为多数个。详细而言，本技术的实施例的抗硫化抗高压的存储器储存装置100的所有电阻，皆是抗硫化抗高压被动元件。而在其他实施例中，也可以是抗硫化抗高压的存储器储存装置中的所有排阻，皆是抗硫化抗高压被动元件。除此之外，如图1所示，依据本技术的实施例的抗硫化抗高压的存储器储存装置100，印制电路板1上还设有抗高压电容5。抗高压电容5电连接于该连接接口3及存储器单元2。详细而言，本技术的实施例的抗硫化抗高压的存储器储存装置100的所有电容，皆是抗硫化抗高压被动元件为抗高压电容5。以上的叙述以及说明仅为本技术的较佳实施例的说明，对于本领域技术人员当可依据以上权利要求书以及上述的说明而作其他的修改，只是这些修改仍应是为本技术的创作精神而在本技术的保护范围中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，其特征在于，包含：/n印制电路板；/n存储器单元，设置于所述的印制电路板；/n连接接口，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的存储器单元，用以连接到主机系统；/n抗硫化抗高压被动元件，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的连接接口及所述的存储器单元，所述的抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，其特征在于，包含：
印制电路板；
存储器单元，设置于所述的印制电路板；
连接接口，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的存储器单元，用以连接到主机系统；
抗硫化抗高压被动元件，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的连接接口及所述的存储器单元，所述的抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径。


2.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压电阻。


3.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压排阻。


4.根据权利要求1所述的存储器储存...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭熙霖，王威祥，
申请(专利权)人：十铨科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71