一种闪存设备的编程方法技术

一种闪存设备的编程方法，包括以下步骤：步骤S1、预先设置闪存设备的储存单元在进行校验操作时所采用的校验电压和该储存单元在进行编程操作时的环境温度之间的函数关系；其中，函数关系不是常数函数关系；步骤S2、在将数据编程到闪存设备的储存单元时，获取当前的环境温度；根据当前的环境温度和所述函数关系，计算得到目标校验电压值；步骤S3、采用目标校验电压值对闪存设备的储存单元进行校验操作。本发明专利技术的闪存设备的编程方法设计新颖，实用性强。

A programming method of flash memory device

【技术实现步骤摘要】
一种闪存设备的编程方法
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种闪存设备的编程方法。
技术介绍
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。Nand-flash存储器的应用场景往往比较复杂，对于芯片而言，在其使用寿命期间，可能会出现高温、常温和低温的情况。这导致Nand-flash存储器在高温、常温和低温下均可能进行读操作、编程操作和擦除操作。Nand-flash存储器采用浮栅结构，将电子放置在浮栅结构中被认为是编程/写入操作，而去除电子被认为是擦除操作。浮栅结构中的电子在不同的温度下会表现出不同的特性。一般来说，对于同一储存单元，随着温度越高，阈值电压相应地降低。现有校验步骤采用固定的校验电压，会导致Nand-flash存储器寿命或者性能变差。
技术实现思路
本专利技术针对以上技术问题，提供一种闪存设备的编程方法。本专利技术所提出的技术方案如下：本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存设备的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1、预先设置闪存设备的储存单元在进行校验操作时所采用的校验电压和该储存单元在进行编程操作时的环境温度之间的函数关系；其中，所述函数关系表示为：若所述环境温度处于常温区间，所述校验电压为第一校验电压值；若所述环境温度处于高温区间，所述校验电压为第二校验电压值；若所述环境温度处于低温区间，所述校验电压为第三校验电压值；其中，第二校验电压值小于第一校验电压值，第一校验电压值小于第三校验电压值；/n并提出一种闪存设备的温度采样调节电路；该温度采样调节电路包括运算放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器以及NMOS管；其中，运算放大器的同...

【技术特征摘要】
1.一种闪存设备的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、预先设置闪存设备的储存单元在进行校验操作时所采用的校验电压和该储存单元在进行编程操作时的环境温度之间的函数关系；其中，所述函数关系表示为：若所述环境温度处于常温区间，所述校验电压为第一校验电压值；若所述环境温度处于高温区间，所述校验电压为第二校验电压值；若所述环境温度处于低温区间，所述校验电压为第三校验电压值；其中，第二校验电压值小于第一校验电压值，第一校验电压值小于第三校验电压值；
并提出一种闪存设备的温度采样调节电路；该温度采样调节电路包括运算放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器以及NMOS管；其中，运算放大器的同相输入端用于接收带隙基准电压；运算放大器的反相输入端经第二电阻器...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明揆，刘梦，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44