电容式位移传感器的定尺和定子制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电容式位移传感器的定尺和定子；定尺包括定尺基体和设置在定尺基体表面的激励电极，激励电极的A相激励信号引线与C相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的一侧，激励电极的B相激励信号引线与D相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的另一侧；定子包括定子基体和设置在定子基体表面的激励电极，激励电极的A相激励信号引线与C相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的内侧，激励电极的B相激励信号引线与D相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的外侧。本实用新型专利技术能减小干扰信号对测量精度的影响，保证测量精度。

Sizing and stator of capacitive displacement sensor

【技术实现步骤摘要】
电容式位移传感器的定尺和定子
本技术属于位移传感器领域，具体涉及一种电容式位移传感器的定尺和定子。
技术介绍
电容式位移传感器包括电容式直线位移传感器和电容式角位移传感器。CN103822571A公开一种基于单排多层结构的电场式时栅直线位移传感器(属于电容式直线位移传感器)，其定尺包括定尺基体和定尺电极(相当于激励电极)，定尺基体上依次覆有4层介质膜，第一层为金属膜，喷涂成4条激励信号引线，分别将A、B、C、D各个激励相的对应电极连成一组，第二层为绝缘膜，第三层为金属膜，喷涂成一排定尺电极，第四层为绝缘保护膜，所述定尺电极形状为矩形且大小相同，相邻两电极之间保持一定的绝缘间距，所述的4条激励信号引线并排位于定尺电极下方中部；这种位移传感器的定尺电极的A、B、C、D激励相的连接采用中间引线的方式进行连接，引线串扰较大，导致信号干扰较大。CN103968750A公开了一种电场式时栅角位移传感器(也可称为电容式时栅角位移传感器)，其定子包括定子基体和定子电极(相当于激励电极)，定子电极数量为4m，它们在定子基体表面均匀地覆有一圈，定子电极的第4n+1号电极连成一组，组成A激励相，定子电极的第4n+2号电极连成一组，组成B激励相，定子电极的第4n+3号电极连成一组，组成C激励相，定子电极的第4n+4号电极连成一组，组成D激励相，其中n＝0，1，2，...，m-1；这种位移传感器的定子电极的A、B、C、D激励相的连接也是采用中间引线的方式进行连接，引线串扰较大，导致信号干扰较大。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种电容式位移传感器的定尺和定子，以减小干扰信号对测量精度的影响。本技术所述的电容式位移传感器的定尺，包括定尺基体和设置在定尺基体表面的激励电极，所述激励电极由一排大小相同、极距为W的矩形极片沿测量方向等间距排列组成；其中，第4n1+1号矩形极片通过A相激励信号引线连成一组，组成A激励相，第4n1+2号矩形极片通过B相激励信号引线连成一组，组成B激励相，第4n1+3号矩形极片通过C相激励信号引线连成一组，组成C激励相，第4n1+4号矩形极片通过D相激励信号引线连成一组，组成D激励相，n1依次取0至M1-1的所有整数，M1表示激励电极的对极数；所述A相激励信号引线与C相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的一侧，所述B相激励信号引线与D相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的另一侧。优选的，所述第4n1+1号矩形极片的后端部设有第一A相过孔、后侧设有第二C相过孔，第4n1+3号矩形极片的后端部设有第一C相过孔、后侧设有第二A相过孔，M1个第一A相过孔与M1个第一C相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的后端边沿平行的同一直线上，M1个第二A相过孔与M1个第二C相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的后端边沿平行的同一直线上，相邻的第一A相过孔与第二A相过孔通过所述A相激励信号引线相连，使所述第4n1+1号矩形极片连接成一组，组成所述A激励相，相邻的第一C相过孔与第二C相过孔通过所述C相激励信号引线相连，使所述第4n1+3号矩形极片连接成一组，组成所述C激励相；所述第4n1+2号矩形极片的前端部设有第一B相过孔、前侧设有第二D相过孔，第4n1+4号矩形极片的前端部设有第一D相过孔、前侧设有第二B相过孔，M1个第一B相过孔与M1个第一D相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的前端边沿平行的同一直线上，M1个第二B相过孔与M1个第二D相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的前端边沿平行的同一直线上，相邻的第一B相过孔与第二B相过孔通过所述B相激励信号引线相连，使所述第4n1+2号矩形极片连接成一组，组成所述B激励相，相邻的第一D相过孔与第二D相过孔通过所述D相激励信号引线相连，使所述第4n1+4号矩形极片连接成一组，组成所述D激励相。优选的，所述设在第4n1+1号矩形极片的后端部的第一A相过孔与设在第4n1+1号矩形极片的后侧的第二C相过孔在前后方向对齐，所述设在第4n1+3号矩形极片的后端部的第一C相过孔与设在第4n1+3号矩形极片的后侧的第二A相过孔在前后方向对齐；所述M1个第一A相过孔的中心与M1个第一C相过孔的中心所处的直线到矩形极片的后端边沿的距离为d1，所述M1个第二A相过孔的中心与M1个第二C相过孔的中心所处的直线到矩形极片的后端边沿的距离为d2，所述d1＝d2。第一A相过孔、第二C相过孔、第一C相过孔、第二A相过孔的这种设置方式，保证了A相激励信号引线与C相激励信号引线的对称性。优选的，所述设在第4n1+2号矩形极片的前端部的第一B相过孔与设在第4n1+2号矩形极片的前侧的第二D相过孔在前后方向对齐，所述设在第4n1+4号矩形极片的前端部的第一D相过孔与设在第4n1+4号矩形极片的前侧的第二B相过孔在前后方向对齐；所述M1个第一B相过孔的中心与M1个第一D相过孔的中心所处的直线到矩形极片的前端边沿的距离为d3，所述M1个第二B相过孔的中心与M1个第二D相过孔的中心所处的直线到矩形极片的前端边沿的距离为d4，所述d3＝d4。第一B相过孔、第二D相过孔、第一D相过孔、第二B相过孔的这种设置方式，保证了B相激励信号引线与D相激励信号引线的对称性。优选的，所述每个矩形极片沿测量方向的长度为相邻两个矩形极片沿测量方向的间距为本技术所述的电容式位移传感器的定子，包括定子基体和设置在定子基体表面的激励电极，所述激励电极由一圈径向高度相同、圆心角相等的扇环形极片沿圆周方向等间隔排布组成；其中，第4n1+1号扇环形极片通过A相激励信号引线连成一组，组成A激励相，第4n1+2号扇环形极片通过B相激励信号引线连成一组，组成B激励相，第4n1+3号扇环形极片通过C相激励信号引线连成一组，组成C激励相，第4n1+4号扇环形极片通过D相激励信号引线连成一组，组成D激励相，n1依次取0至M1-1的所有整数，M1表示激励电极的对极数；所述A相激励信号引线与C相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的内侧，所述B相激励信号引线与D相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的外侧。优选的，所述第4n1+1号扇环形极片的内圈端部设有第一A相过孔、内圈内侧设有第二C相过孔，第4n1+3号扇环形极片的内圈端部设有第一C相过孔、内圈内侧设有第二A相过孔，M1个第一A相过孔与M1个第一C相过孔沿圆周方向等间隔分布且其中心处于同一圆上，M1个第二A相过孔与M1个第二C相过孔沿圆周方向等间隔分布且其中心处于同一圆上，相邻的第一A相过孔与第二A相过孔通过所述A相激励信号引线相连，使所述第4n1+1号扇环形极片连接成一组，组成所述A激励相，相邻的第一C相过孔与第二C相过孔通过所述C相激励信号引线相连，使所述第4n1+3号扇环形极片连接成一组，组成所述C激励相；所述第4n1+2号扇环形极片的外圈端部设有第一B相过孔、外圈外侧设有第二D相过孔，第4n1+4号扇环形极片的外圈端部设有第一D相过孔、外圈外侧设有第二B相过孔，M1个第一B相过孔与M1个第一D相过孔沿圆周方向等间隔分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容式位移传感器的定尺，包括定尺基体(12)和设置在定尺基体表面的激励电极(11)，所述激励电极(11)由一排大小相同、极距为W的矩形极片沿测量方向等间距排列组成；其中，第4n

【技术特征摘要】
1.一种电容式位移传感器的定尺，包括定尺基体(12)和设置在定尺基体表面的激励电极(11)，所述激励电极(11)由一排大小相同、极距为W的矩形极片沿测量方向等间距排列组成；其中，第4n1+1号矩形极片通过A相激励信号引线连成一组，组成A激励相，第4n1+2号矩形极片通过B相激励信号引线连成一组，组成B激励相，第4n1+3号矩形极片通过C相激励信号引线连成一组，组成C激励相，第4n1+4号矩形极片通过D相激励信号引线连成一组，组成D激励相，n1依次取0至M1-1的所有整数，M1表示激励电极的对极数；其特征是：所述A相激励信号引线与C相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的一侧，所述B相激励信号引线与D相激励信号引线组成双绞线且位于激励电极的另一侧。


2.根据权利要求1所述的电容式位移传感器的定尺，其特征是：所述第4n1+1号矩形极片的后端部设有第一A相过孔、后侧设有第二C相过孔，第4n1+3号矩形极片的后端部设有第一C相过孔、后侧设有第二A相过孔，M1个第一A相过孔与M1个第一C相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的后端边沿平行的同一直线上，M1个第二A相过孔与M1个第二C相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的后端边沿平行的同一直线上，相邻的第一A相过孔与第二A相过孔通过所述A相激励信号引线相连，使所述第4n1+1号矩形极片连接成一组，组成所述A激励相，相邻的第一C相过孔与第二C相过孔通过所述C相激励信号引线相连，使所述第4n1+3号矩形极片连接成一组，组成所述C激励相；所述第4n1+2号矩形极片的前端部设有第一B相过孔、前侧设有第二D相过孔，第4n1+4号矩形极片的前端部设有第一D相过孔、前侧设有第二B相过孔，M1个第一B相过孔与M1个第一D相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的前端边沿平行的同一直线上，M1个第二B相过孔与M1个第二D相过孔沿测量方向等间距分布且其中心处于与矩形极片的前端边沿平行的同一直线上，相邻的第一B相过孔与第二B相过孔通过所述B相激励信号引线相连，使所述第4n1+2号矩形极片连接成一组，组成所述B激励相，相邻的第一D相过孔与第二D相过孔通过所述D相激励信号引线相连，使所述第4n1+4号矩形极片连接成一组，组成所述D激励相。


3.根据权利要求2所述的电容式位移传感器的定尺，其特征是：所述设在第4n1+1号矩形极片的后端部的第一A相过孔与设在第4n1+1号矩形极片的后侧的第二C相过孔在前后方向对齐，所述设在第4n1+3号矩形极片的后端部的第一C相过孔与设在第4n1+3号矩形极片的后侧的第二A相过孔在前后方向对齐；所述M1个第一A相过孔的中心与M1个第一C相过孔的中心所处的直线到矩形极片的后端边沿的距离为d1，所述M1个第二A相过孔的中心与M1个第二C相过孔的中心所处的直线到矩形极片的后端边沿的距离为d2，所述d1＝d2。


4.根据权利要求2所述的电容式位移传感器的定尺，其特征是：所述设在第4n1+2号矩形极片的前端部的第一B相过孔与设在第4n1+2号矩形极片的前侧的第二D相过孔在前后方向对齐，所述设在第4n1+4号矩形极片的前端部的第一D相过孔与设在第4n1+4号矩形极片的前侧的第二B相过孔在前后方向对齐；所述M1个第一B相过孔的中心与M1个第一D相过孔的中心所处的直线到矩形极片的前端边沿的距离为d3，所述M1个第二B相过孔的中心与M1个第二D相过孔的中心所处的直线到矩形极片的前端边沿的距离为d4，所述d3＝d4。


5.根据权利要求1至4任一项所述的电容式位移传感器的定尺，其特征是：所述每个矩形极片沿测量方向的长度为相邻两个矩形极片沿测量方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲红吉，彭凯，但敏，刘小康，于治成，陈自然，
申请(专利权)人：重庆理工大学，
类型：新型
国别省市：重庆;50