用于电子封装的组装的具有热稳定微结构的冶金组合物制造技术

膏剂组合物，其包含40‑70重量％(wt％)的含Y的低熔点(LMP)颗粒组合物；25‑65wt％的含M的高熔点(HMP)颗粒组合物；和1‑15wt％的助焊载体。在M和Y之间形成的反应产物是在温度T1下为固体的晶体金属间化合物，并且所述HMP颗粒组合物的表面积为0.07‑0.18平方米/所述组合物中的每克Y。还提供使用该膏剂组合物使电子组合物接触的方法。

Metallurgical composition with thermally stable microstructure for assembly of electronic packaging

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子封装的组装的具有热稳定微结构的冶金组合物
本专利技术涉及金属组合物、其制备方法及其用途。更具体地，本专利技术涉及含有金属和/或金属合金的掺混配制物的金属瞬态液相烧结组合物，该组合物适用于提供电子封装中的元件之间的电和/或热连接，从而具有良好的强度和通过多重热漂移形成的稳定微结构的互连导电冶金网络。
技术介绍
电子工业已被驱动朝向以更小的形状因子实现更高的性能和功能性。在生产层面下，这些驱动力已转化为支持更有效电路布线(routing)、封装层的消除以及复杂工程材料的更小电路特征、设计及制造方法。这些趋势所加剧的问题包括热管理及由相异材料的紧接所产生的热机械应力的管理。本公开特别涉及在电子封装结构内组装元件的挑战，该电子封装结构将由于多个组装步骤或高操作温度环境而经受多次热暴露。高温焊接电子行业中高温焊接材料的市场日益增长。该市场分区的增长有两个主要推动力：需要多个组装步骤的复杂电子组装，以及将电子器件集成到苛刻的操作环境中，例如超过200℃的操作温度，例如在汽车引擎盖下应用中将经受的操作温度。目前，含铅焊料和昂贵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种膏剂组合物，其包含：/na.40-70重量％(wt％)的低熔点(LMP)颗粒组合物，其中所述颗粒选自如下：至少一种LMP金属(Y)的颗粒、至少一种LMP金属的至少一种合金(X/Y)的颗粒，以及它们的组合；/nb.25-65wt％的高熔点(HMP)颗粒组合物，其包含在处理温度T1下与LMP颗粒组合物中的至少一种LMP金属Y反应的至少一种金属元素(M)；和/nc.1-15wt％的助焊载体，/n其中在M和Y之间形成的反应产物是在温度T1下为固体的晶体金属间化合物；和/n其中所述HMP颗粒组合物的表面积为0.07-0.18平方米/所述组合物中的每克Y。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171207 US 62/596,0381.一种膏剂组合物，其包含：
a.40-70重量％(wt％)的低熔点(LMP)颗粒组合物，其中所述颗粒选自如下：至少一种LMP金属(Y)的颗粒、至少一种LMP金属的至少一种合金(X/Y)的颗粒，以及它们的组合；
b.25-65wt％的高熔点(HMP)颗粒组合物，其包含在处理温度T1下与LMP颗粒组合物中的至少一种LMP金属Y反应的至少一种金属元素(M)；和
c.1-15wt％的助焊载体，
其中在M和Y之间形成的反应产物是在温度T1下为固体的晶体金属间化合物；和
其中所述HMP颗粒组合物的表面积为0.07-0.18平方米/所述组合物中的每克Y。


2.根据权利要求1所述的膏剂组合物，其中所述HMP颗粒组合物的表面积为0.08-0.15平方米/所述组合物中的每克Y。


3.根据权利要求1和2中任一项所述的膏剂组合物，其中Y选自Sn、Zn、Ga、In及其组合。


4.根据权利要求1和2中任一项所述的膏剂组合物，其中Y选自Sn、In及其组合。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的膏剂组合物，其中X/Y选自Sn/Ag/Cu、Sn/Cu、Sn/Ag、Sn/Sb、Sn/In、Sn/Bi和Sn/Bi/Ag。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的膏剂组合物，其中所述HMP颗粒组合物包含至少两种金属元素(M)。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的膏剂组合物，其中M选自Cu、Ag、Pd、Au、Al、Ni、Be、Rh、Co、Fe、Mo、W、Mn、Pt及其组合。


8.根据权利要求1-6中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·A·席勒，
申请(专利权)人：奥梅特电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US