一种具有容性耦合结构的介质滤波器制造技术

一种具有容性耦合结构的介质滤波器，包括介质滤波器本体、设在所述介质滤波器本体上表面的调谐孔、耦合槽和容性耦合通孔，所述调谐孔数量为六个且为盲孔，所述耦合槽为贯穿所述介质滤波器本体的矩形槽，所述容性耦合通孔位于两个所述调谐孔之间，所述容性耦合通孔包括位于上部的圆柱形小孔以及下部的锥形孔，所述介质滤波器本体的下表面上还设有输入端口和输出端口。本发明专利技术通过调整锥形孔高度和第二金属镀层面积可以改变耦合量大小，通过调节圆柱形小孔的半径、改变圆柱形小孔上表面的开口状态可以减少电磁泄漏，易于加工制备、调试方便、电磁泄漏少，具有高Q值、低损耗、带外抑制好等性能。

A dielectric filter with capacitive coupling structure

【技术实现步骤摘要】
一种具有容性耦合结构的介质滤波器
本专利技术涉及射频和微波滤波器
，尤其涉及一种具有容性耦合结构的介质滤波器。
技术介绍
随着5G通信时代的来临，大规模天线技术和有限的频谱资源对滤波器的性能提出了更高的要求。介质滤波器以其低插损、低温漂、小体积等优点在基站射频领域具有广泛的应用前景。为满足5G频谱要求，介质滤波器通常需要引入容性耦合结构，在工作频带近端产生传输零点，提高带外抑制。目前介质滤波器采用的容性耦合结构主要是带有较大金属涂层缺口的耦合通孔，制备工艺复杂，调试困难，电磁泄漏问题严重，亟需一种改进方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于优化介质滤波器的结构，简化制备工艺并解决电磁泄漏问题。为此，本专利技术提供一种具有容性耦合结构的介质滤波器，工艺简单，调试方便，电磁泄漏少，更容易生产制备。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是：本专利技术一种具有容性耦合结构的介质滤波器，包括介质滤波器本体、设在所述介质滤波器本体上表面的调谐孔、耦合槽和容性耦合通孔，所述调谐孔数量为六个且为盲孔，所述耦合槽为贯穿所述介质滤波器本体的矩形槽，所述容性耦合通孔位于两个所述调谐孔之间，所述容性耦合通孔包括位于上部的圆柱形小孔以及下部的锥形孔，所述介质滤波器本体的下表面上还设有输入端口和输出端口。作为本专利技术的一种改进方案，所述介质滤波器本体包括由固态介电材料制备的滤波器本体、以及设置于所述滤波器本体外表面上的第一金属镀层。作为本专利技术的一种改进方案，所述第一金属镀层为银、铜、金中的任意一种金属镀层。作为本专利技术的一种改进方案，所述圆柱形小孔、锥形孔的上部分覆盖有第二金属镀层，且所述第二金属镀层与所述第一金属镀层相连。作为本专利技术的一种改进方案，通过调节所述第二金属镀层的面积可以调节耦合大小。作为本专利技术的一种改进方案，通过调节所述圆柱形小孔半径大小以及上表面的开口状态可以调整电磁泄漏能量。作为本专利技术的一种改进方案，所述圆柱形小孔的上表面设有吸波材料塞子。作为本专利技术的一种改进方案，所述圆柱形小孔的上表面设有金属盖。本专利技术的有益效果是：本专利技术相较于现有技术，在调谐孔之间开设耦合通孔用于实现容性耦合，耦合通孔的下部分为锥形孔，易于加工制备；通过调整锥形孔高度和第二金属镀层面积可以改变耦合量大小，通过调节圆柱形小孔的半径、改变圆柱形小孔上表面的开口状态可以减少电磁泄漏，易于加工制备、调试方便、电磁泄漏少，具有高Q值、低损耗、带外抑制好等性能。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用来解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中图1是本专利技术一种具有容性耦合结构及减少电磁泄漏措施的介质滤波器第一实施例的上表面的结构示意图。图2是本专利技术一种具有容性耦合结构及减少电磁泄漏措施的介质滤波器第一实施例的下表面的结构示意图。图3是本专利技术一种具有容性耦合结构及减少电磁泄漏措施的介质滤波器第一实施例的A-A剖视示意图。图4是本专利技术一种具有容性耦合结构及减少电磁泄漏措施的介质滤波器第二实施例的A-A剖视示意图。图5是本专利技术一种具有容性耦合结构及减少电磁泄漏措施的介质滤波器第三实施例的A-A剖视示意图。图6是本专利技术一种具有容性耦合结构及减少电磁泄漏措施的介质滤波器第一、二、三实施例的频率响应曲线图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述，应当理解，此处所描述的实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1为了达到本专利技术的目的，如图1至图3所示，在本专利技术的其中一种实施方式中提供一种介质滤波器，包括介质滤波器本体1，介质滤波器本体1包括由固态介电材料制备的滤波器本体101、以及设置于所述滤波器本体101外表面上的第一金属镀层102，介质滤波器本体1的上表面上设有两排调谐孔2，每排分别有三个相互对应的调谐孔2，从左往右依次为第一个、第二个、第三个，调谐孔2为盲孔，介质滤波器本体1上设有贯穿介质滤波器本体的耦合槽3，耦合槽3为具有设定长宽高的矩形槽，第一排的第一个调谐孔2、第二个调谐孔2、第二排的第一个调谐孔2和第二个调谐孔2之间的耦合槽3连成十字形结构，第一排的第二个调谐孔2、第三个调谐孔2、第二排的第二个调谐孔2和第三个调谐孔2之间的耦合槽3连成一字型结构，介质滤波器本体1第一排的第三个调谐孔2和第二排的第三个调谐孔2之间还设有容性耦合通孔4，容性耦合通孔4包括位于上部的圆柱形小孔401以及下部的锥形孔402，锥形孔402的上端半径与圆柱形小孔401半径相等，圆柱形小孔401、锥形孔402的上部分覆盖有第二金属镀层403，与介质滤波器本体1外表面的第一金属层102相连，锥形孔402的下表面开口呈短路状态，介质滤波器本体1的下表面还设有输入端口5和输出端口6。该滤波器的频率响应曲线如图6所示。具体地，调谐孔2为圆柱形或棱柱形盲孔，具体可以根据实际需求选用，而不仅限于本实施例。具体地，第一金属镀层102为银、铜、金中的任意一种金属镀层，可以根据实际需求采用。并且，第一金属镀层102通过在滤波器表面喷镀或者电镀形成，不同的工艺对性能的影响也不同。具体地，容性耦合通孔4的下表面与PCB板的金属层相连，且PCB板与介质滤波器共地，可以等效为锥形孔402的下表面覆盖有第一金属镀层102，使得锥形孔402的下表面开口呈短路状态。本实施例在第一排的第三个和第二排的第三个调谐孔2之间开设容性耦合通孔4，通过调节锥形孔402的高度、锥形孔402上部分的第二金属镀层403面积可以控制耦合量的大小，圆柱形小孔401的半径较小且小孔的上表面开口呈开路状态，从而实现介质滤波器的容性耦合并解决电磁泄漏问题，易于加工制备、调试方便、电磁泄漏少，具有高Q值、低损耗、带外抑制好的功能。实施例2如图4所示，在本专利技术的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，在圆柱形小孔401上表面加吸波材料塞子404，用以减少电磁泄漏，图4中用圆柱形小孔401上表面的填充区域等效为实际应用中容性耦合通孔的吸波材料塞子404，该滤波器的频率响应曲线如图6所示。吸波材料塞子404的加入并没有改变滤波器的滤波特性，且能够进一步减少电磁泄漏。实施例3如5所示，在本专利技术的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，在圆柱形小孔401的上表面加金属盖405，使圆柱形小孔401的上表面呈短路状态，用以减少电磁泄漏，图中用圆柱形小孔401上表面的金属镀层等效为实际应用中容性耦合通孔的金属盖405，该滤波器的频率响应曲线如图6所示。金属盖405的加入并没有改变滤波器的滤波特性，且能够进一步减少电磁泄漏。上述实施例分别采用了三种方法用以减少电磁泄漏，分别是控制圆柱形小孔401半径、在圆柱形小孔401上表面加吸波材料塞子404、在圆柱形小孔401上表面加金属盖405，满足了不同应用场景需求。最后应说明的是：以上仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有容性耦合结构的介质滤波器，其特征在于：包括介质滤波器本体(1)、设在所述介质滤波器本体(1)上表面的调谐孔(2)、耦合槽(3)和容性耦合通孔(4)，所述调谐孔(2)数量为六个且为盲孔，所述耦合槽(3)为贯穿所述介质滤波器本体(1)的矩形槽，所述容性耦合通孔(4)位于两个所述调谐孔(3)之间，所述容性耦合通孔(4)包括位于上部的圆柱形小孔(401)以及下部的锥形孔(402)，所述介质滤波器本体(1)的下表面上还设有输入端口(5)和输出端口(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有容性耦合结构的介质滤波器，其特征在于：包括介质滤波器本体(1)、设在所述介质滤波器本体(1)上表面的调谐孔(2)、耦合槽(3)和容性耦合通孔(4)，所述调谐孔(2)数量为六个且为盲孔，所述耦合槽(3)为贯穿所述介质滤波器本体(1)的矩形槽，所述容性耦合通孔(4)位于两个所述调谐孔(3)之间，所述容性耦合通孔(4)包括位于上部的圆柱形小孔(401)以及下部的锥形孔(402)，所述介质滤波器本体(1)的下表面上还设有输入端口(5)和输出端口(6)。


2.根据权利要求1所述的一种具有容性耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述介质滤波器本体(1)包括由固态介电材料制备的滤波器本体(101)、以及设置于所述滤波器本体(101)外表面上的第一金属镀层(102)。


3.根据权利要求2所述的一种具有容性耦合结构的介质滤波器，其特征在于：所述第一金属镀层(102)为银、铜、金中的任意一种金属镀层。
<...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈晓宇，廖园富，
申请(专利权)人：湖州东尼新材有限公司，浙江东尼电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33