磁性存储器阵列制造技术

本发明专利技术提供一种磁性存储器阵列，包括：按矩形阵列形式排布的多个磁存储单元，每个所述磁存储单元包括磁性隧道结和磁性电极，其中，所述磁性电极为具有长轴和短轴的几何结构，所述磁性电极在膜平面内磁化，磁化方向沿长轴方向，所述磁性电极用于提供一个辅助所述磁性隧道结自由层翻转的磁矩，所述磁性电极的几何尺寸大于所述磁性隧道结的几何尺寸，所述磁性存储器阵列中水平和垂直方向相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向不共线。本发明专利技术能够提高磁性存储器阵列的密度。

Magnetic memory array

【技术实现步骤摘要】
磁性存储器阵列
本专利技术涉及磁存储器
，尤其涉及一种磁性存储器阵列。
技术介绍
自旋转移矩磁存储器(STT-MRAM)是一种利用电流改变MTJ状态的磁性随机存储器，该存储器除了具有电路设计简单，读写速度快，无限次擦写等优点外，相对于传统存储器如DRAM的最大优势为非易失性(断电数据不丢失)。为了在满足MTJ的数据保存时间基础上尽可能降低MTJ的尺寸，MTJ中的磁记录和参考层需要采用垂直磁化材料。对于垂直结构的磁性隧道结，为加快自由层翻转，在自由层上方再生长一层磁化方向固定在面内的磁性层或者磁性电极，在自由层处产生一个磁场，使得自由层与固定层间存在一个初始夹角，从而能够加快室温下MTJ的翻转速度，同时降低写入电压。为了使得磁性电极的磁化方向固定，需要借助形状各向异性带来的各向异性场，对应的磁性电极一般为椭圆形。但是，在组成存储器阵列时，为防止金属电极之间漏电，金属电极必须保持一定的间距，在传统的存储器阵列设计中使用椭圆形电极会影响存储器阵列的密度。因此，如何提高磁性存储器阵列的密度，成为一个必须解决的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性存储器阵列，其特征在于，包括：按矩形阵列形式排布的多个磁存储单元，每个所述磁存储单元包括磁性隧道结和磁性电极，其中，所述磁性电极为具有长轴和短轴的几何结构，所述磁性电极在膜平面内磁化，磁化方向沿长轴方向，所述磁性电极用于提供一个辅助所述磁性隧道结自由层翻转的磁矩，所述磁性电极的几何尺寸大于所述磁性隧道结的几何尺寸，所述磁性存储器阵列中水平和垂直方向相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向不共线。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器阵列，其特征在于，包括：按矩形阵列形式排布的多个磁存储单元，每个所述磁存储单元包括磁性隧道结和磁性电极，其中，所述磁性电极为具有长轴和短轴的几何结构，所述磁性电极在膜平面内磁化，磁化方向沿长轴方向，所述磁性电极用于提供一个辅助所述磁性隧道结自由层翻转的磁矩，所述磁性电极的几何尺寸大于所述磁性隧道结的几何尺寸，所述磁性存储器阵列中水平和垂直方向相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向不共线。


2.根据权利要求1所述的磁性存储器阵列，其特征在于，所述磁性存储器阵列中相邻的两个磁存储单元的磁性电极的长轴方向互相垂直。


3.根据权利要求2所述的磁性存储器阵列，其特征在于，所述磁性存储器阵列中相邻的两个磁存储单元的其中一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿阵列的第一方向，另一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿阵列的第二方向，其中所述阵列的第一方向和阵列的第二方向垂直。


4.根据权利要求2所述的磁性存储器阵列，其特征在于，所述磁性存储器阵列中相邻的两个磁存储单元的其中一个磁存储单元的磁性电极长轴方向沿逆时...

【专利技术属性】
技术研发人员：何世坤，竹敏，承祎琳，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33