【技术实现步骤摘要】
一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置
本专利技术涉及一种硅片热氧化装置,特别涉及一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,属于硅片热氧化
技术介绍
硅与含有氧化物质的气体,例如水汽和氧气在高温下进行化学反应,而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅薄膜,这是硅平面技术中一项重要的工艺。现有的硅片热氧化技术通过将硅片放置在含有氧气的空气内部进行加热进而使硅片与氧气充分的反应,但是由于每次对硅片进行氧化时都会同时对多个硅片进行氧化,进而使得多个硅片之间的间距较小,进而使得多个硅片之间留存的氧气较少,进而会导致硅片与氧气的反应不充分,使得硅片的表面不够平整。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,有效的解决了现有技术中存在的由于每次对硅片进行氧化时都会同时对多个硅片进行氧化,进而使得多个硅片之间的间距较小,进而使得多个硅片之间留存的氧气较少,进而会导致硅片与氧气的反应不充分,使得硅片的表面不够平整的问题。为了解决上述技术问题,本专利技术提供了如下的技术方案:本 ...
【技术保护点】
1.一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,其特征在于,包括氧化箱(1),所述氧化箱(1)上设置有密封机构(2),所述密封机构(2)上设置有转动机构(3),所述转动机构(3)与驱动机构(4)相连接,所述氧化箱(1)的顶部内壁上固定连接有电加热器(5),所述氧化箱(1)的一端侧壁上设置有排气机构(6)。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,其特征在于,包括氧化箱(1),所述氧化箱(1)上设置有密封机构(2),所述密封机构(2)上设置有转动机构(3),所述转动机构(3)与驱动机构(4)相连接,所述氧化箱(1)的顶部内壁上固定连接有电加热器(5),所述氧化箱(1)的一端侧壁上设置有排气机构(6)。
2.根据权利要求1所述的一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,其特征在于,所述密封机构(2)包括半圆筒(21)、封板(22)、密封环(23)、螺纹筒(24)、螺纹杆(25)、套环(26)、压杆(27)、L形杆(28),所述半圆筒(21)放置在氧化箱(1)的下端内壁上,所述半圆筒(21)的一端固定连接有封板(22),所述封板(22)靠近氧化箱(1)的一侧侧壁上固定嵌设有密封环(23),所述密封环(23)与氧化箱(1)开口处的外壁紧密接触,所述氧化箱(1)的顶端外壁靠近封板(22)的一端固定连接有螺纹筒(24),所述螺纹筒(24)的内部螺纹连接有螺纹杆(25),所述螺纹杆(25)靠近封板(22)的一端外侧通过轴承转动连接有套环(26),所述套环(26)的底端外壁上固定连接有压杆(27),所述压杆(27)与封板(22)紧密接触,所述螺纹杆(25)靠近套环(26)的一端固定连接有L形杆(28)。
3.根据权利要求2所述的一种用于光通信设备中的硅片热氧化装置,其特征在于,所述转动机构(3)包括支撑杆(31)、支撑轴承(32)、支撑转杆(33)、圆板(34)、侧板(35)、底板(36)、顶板(37)、夹块(38)、螺纹孔(39)、固定螺栓(310)、固定螺孔(311),两个所述支撑杆(31)分别固定连接在半圆筒(21)的两端内壁中心处,两个所述支撑杆(31)的顶端均通过支撑轴承(32)转动连接有支撑转杆(33),两个所述支撑转杆(33)相互靠近的一端均固定连接有圆板(34),两个所述圆板(34)相互靠近的一侧之间对称固定连接有两个侧板(35),两个所述圆板(34)相互靠近的一侧底端固定连接有同一个底板(36),两个所述圆板(34)相互靠近的一侧顶端卡接有同一个...
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