一种柔性识别传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性识别传感器，包括依次层叠的第一电极层、识别传感层和第二电极层，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向形成波浪形结构，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构，第一方向垂直于第二方向。该柔性识别传感器具有缓冲外部作用力和降低反光率的作用，柔性性能更好，识别灵敏度更高。本发明专利技术还提供了一种柔性识别传感器的制作方法。

A flexible identification sensor and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种柔性识别传感器及其制作方法
本专利技术涉及柔性器件，尤其涉及一种柔性识别传感器及其制作方法。
技术介绍
随着科技的不断发展，对电子产品的要求也越来越多，其中对电子产品的外形也要求甚高，轻薄化、柔性化已经是一种趋势。随着OLED显示技术的成熟，采用OLED柔性屏的智能终端越来越多，这也对与柔性屏搭配使用的屏下指纹识别传感器提出了新的要求。目前，屏下指纹识别传感器采用的仍是硬屏时代的结构，具体的，屏下指纹识别传感器中的各功能层为平整的直板形结构，当有外力作用在柔性屏上时，作用力通过柔性屏传递到屏下指纹识别传感器上容易使之发生断裂，尤其是屏下指纹识别传感器的电极采用的是ITO材质，较脆、受力易断裂，而且各功能层的直板形结构也容易造成光反射而减弱感测信号，降低指纹识别的灵敏度。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种柔性识别传感器，具有缓冲外部作用力和降低反光率的作用，柔性性能更好，识别灵敏度更高。本专利技术还提供了一种柔性识别传感器的制作方法。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种柔性识别传感器，包括依次层叠的第一电极层、识别传感层和第二电极层，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向形成波浪形结构，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构，第一方向垂直于第二方向。进一步地，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层的波浪形结构在第一方向上的坡度角在30°-60°之间，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层的波浪形结构在第一方向和第二方向上的坡度角均在30°-60°之间。进一步地，所述第一电极层的表面沿第一方向形成波浪形表面，或者，所述第一电极层的表面沿第一方向和第二方向均形成波浪形表面；所述识别传感层等厚层叠于所述第一电极层的表面上，所述第二电极层等厚层叠于所述识别传感层的表面上，使所述识别传感层和第二电极层均沿第一方向形成波浪形结构，或者，使所述识别传感层和第二电极层同时沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构。进一步地，所述第一电极层的波浪形表面在第一方向上的坡度角在30°-60°之间，或者，所述第一电极层的波浪形表面在第一方向和第二方向上的坡度角均在30°-60°之间。一种柔性识别传感器的制作方法，包括如下步骤：在衬底基板的上表面制作第一电极层；在所述第一电极层的上表面制作识别传感层；在所述识别传感层的上表面制作第二电极层；其中，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层在制作时沿第一方向形成波浪形结构，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构，第一方向垂直于第二方向。进一步地，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层的波浪形结构在第一方向上的坡度角在30°-60°之间，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层的波浪形结构在第一方向和第二方向上的坡度角均在30°-60°之间。进一步地，所述第一电极层的表面在制作时沿第一方向形成波浪形表面，或者，所述第一电极层的表面在制作时沿第一方向和第二方向均形成波浪形表面；所述识别传感层等厚层叠于所述第一电极层的表面上，所述第二电极层等厚层叠于所述识别传感层的表面上，使所述识别传感层和第二电极层均沿第一方向形成波浪形结构，或者，使所述识别传感层和第二电极层同时沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构。进一步地，所述第一电极层的波浪形表面在第一方向上的坡度角在30°-60°之间，或者，所述第一电极层的波浪形表面在第一方向和第二方向上的坡度角均在30°-60°之间。进一步地，在制作所述第一电极层时，先在所述衬底基板的表面上制作第一导电膜，然后对所述第一导电膜进行光掩膜刻蚀，以制作对应的电极图案，在刻蚀时同时制作出波浪形表面。进一步地，所述第一电极层对应的掩膜板具有透光图案和遮光图案，所述透光图案对应于所述第一电极层的镂空图案，所述遮光图案对应于所述第一电极层的电极图案；所述遮光图案的不同区域具有不同的遮光率，以分别对应于所述第一电极层的电极图案上与波峰的最高点或波谷的最低点具有不同高度差的区域。本专利技术具有如下有益效果：该柔性识别传感器将所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中的至少一功能层制作成波浪形结构，形成相对凹凸的波峰波谷结构，起到缓冲外部作用力和降低反光率的作用，柔性性能更好，识别灵敏度更高。附图说明图1为本专利技术提供的柔性传感器的截面示意图；图2为本专利技术提供的柔性传感器的波浪形结构示意图；图3为本专利技术提供的柔性传感器的另一波浪形结构示意图；图4为本专利技术提供的柔性传感器的制作方法的步骤框图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。如图1所示，一种柔性识别传感器，包括依次层叠的第一电极层2、识别传感层3和第二电极层4，其中，如图2所示，所述第一电极层2、识别传感层3和第二电极层4中至少一层沿第一方向X形成波浪形结构，或者，如图3所示，所述第一电极层2、识别传感层3和第二电极层4中至少一层沿第一方向X和第二方向Y均形成波浪形结构，第一方向X垂直于第二方向Y。该柔性识别传感器将所述第一电极层2、识别传感层3和第二电极层4中的至少一功能层制作成波浪形结构，形成相对凹凸的波峰5波谷6结构，起到缓冲外部作用力和降低反光率的作用，柔性性能更好，识别灵敏度更高。1.柔韧抗冲击原理：由于所述第一电极层2、识别传感层3或第二电极层4为相对凹凸的波峰5波谷6结构，波峰5和波谷6之间过渡的坡7分别与波峰5和波谷6之间具有坡度角a，坡度角a可相对开合，类似于折扇的折角，当一个相同能量的功W作用于该柔性识别传感器时，波浪形结构的第一电极层2、识别传感层3或第二电极层4由于坡度角a的相对开合可在作用力F的方向上产生形变位移S，而根据W=F*S，产生的形变位移S越大，其单位面积受到的作用力F越小，即越不容易发生断裂。2.增加灵敏度原理：光学指纹识别传感器是通过对指纹表面反射的光线进行成像，依据图像识别算法来对指纹图像进行识别匹配，而公知的，凹凸表面相较于平整表面，其反光率更低，波浪形结构的第一电极层2、识别传感层3或第二电极层4能够减少对指纹表面光线的反射量，提高指纹表面光线的接收量，从而提高指纹识别的灵敏度。需要说明的是，所述波浪形结构指的是所述第一电极层2、识别传感层3或第二电极层4在一面上沿第一方向X依次具有相对向上突起的波峰5和相对向下凹陷的波谷6，或者，沿第一方向X和第二方向Y均依次具有相对向上突起的波峰5和相对向下凹陷的波谷6，而在另一面对应于波峰5的位置上相对向上凹陷、对应于波谷6的位置上相对向下突出，使得所述第一电极层2、识别传感层3或第二电极层4沿第一方向X的横截面呈蜿蜒延伸，或者沿第一方向X和第二方向Y的横截面均呈蜿蜒延伸。依据波峰本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性识别传感器，包括依次层叠的第一电极层、识别传感层和第二电极层，其特征在于，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向形成波浪形结构，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构，第一方向垂直于第二方向。/n

【技术特征摘要】
1.一种柔性识别传感器，包括依次层叠的第一电极层、识别传感层和第二电极层，其特征在于，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向形成波浪形结构，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构，第一方向垂直于第二方向。


2.根据权利要求1所述的柔性识别传感器，其特征在于，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层的波浪形结构在第一方向上的坡度角在30°-60°之间，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层的波浪形结构在第一方向和第二方向上的坡度角均在30°-60°之间。


3.根据权利要求1或2所述的柔性识别传感器，其特征在于，所述第一电极层的表面沿第一方向形成波浪形表面，或者，所述第一电极层的表面沿第一方向和第二方向均形成波浪形表面；所述识别传感层等厚层叠于所述第一电极层的表面上，所述第二电极层等厚层叠于所述识别传感层的表面上，使所述识别传感层和第二电极层均沿第一方向形成波浪形结构，或者，使所述识别传感层和第二电极层同时沿第一方向和第二方向均形成波浪形结构。


4.根据权利要求3所述的柔性识别传感器，其特征在于，所述第一电极层的波浪形表面在第一方向上的坡度角在30°-60°之间，或者，所述第一电极层的波浪形表面在第一方向和第二方向上的坡度角均在30°-60°之间。


5.一种柔性识别传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底基板的上表面制作第一电极层；
在所述第一电极层的上表面制作识别传感层；
在所述识别传感层的上表面制作第二电极层；
其中，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层在制作时沿第一方向形成波浪形结构，或者，所述第一电极层、识别传感层和第二电极层中至少一层沿第一方向和第二方向均形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄广，谢雄才，赵云，罗志猛，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44