电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供一种电子装置，包括第一基板、第二基板、缓冲层、有源阵列、像素阵列、保护层以及配向膜。第一基板具有透光区、显示区以及的周边区，其中周边区围绕显示区，显示区围绕透光区。第二基板与第一基板相对设置。缓冲层设置于第二基板上。保护层设置于缓冲层上，且保护层在第一基板上的投影与透光区错开。有源阵列设置于缓冲层上。像素阵列设置于有源阵列上，并与有源阵列电性连接。配向膜共形地设置于保护层、缓冲层及第二基板上。

Electronic device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制造方法
本公开涉及一种电子装置及其制造方法。
技术介绍
现今手机面板除了省电、高画面品质外，高屏幕的屏占比已俨然成为目前手机屏幕显示器的标准规格。因此，如何再缩减屏幕区被其他功能所占用的区域面积为达高屏占比屏幕的改良方向。以前镜头孔与感测器孔为例，目前可行的方式为将基板挖洞让前镜头与感测器置入。然而，此方式需要通过玻璃钻孔以及于孔洞周边进行封胶工艺，使得制造成本提高并导致良率下降。
技术实现思路
本公开的一技术态样为一种电子装置。在本公开一实施方式中，电子装置包括第一基板、第二基板、缓冲层、有源阵列、像素阵列、保护层以及配向膜。第一基板具有显示区以及围绕显示区的周边区，其中显示区具有透光区。第二基板与第一基板相对设置。缓冲层设置于第二基板上。保护层设置于缓冲层上，且保护层在第一基板上的投影与透光区错开。有源阵列设置于缓冲层上。像素阵列设置于有源阵列上，并与有源阵列电性连接。配向膜共形地设置于保护层、缓冲层及第二基板上。在本公开一实施方式中，配向膜包括第一部分以及第二部分。第一部分在第二基板上的投影与显示区重叠，第二部分在第二基板上的投影与透光区重叠，第一部分与第二基板间的距离大于第二部分与第二基板间的距离。在本公开一实施方式中，缓冲层在第二基板上的投影与透光区错开。在本公开一实施方式中，缓冲层的厚度大于等于1500埃(Angstrom,A)且小于等于3000埃。在本公开一实施方式中，缓冲层还包括第一子层以及第二子层，第一子层具有大于等于500埃且小于等于1350埃的厚度，且第一子层的材料为氮化硅，第二子层具有大于等于1000埃且小于等于1650埃的厚度，且第二子层的材料为氧化硅。在本公开一实施方式中，缓冲层具有第一部分及第二部分，第一部分在第二基板上的投影与显示区重叠，第二部分在第二基板上的投影与透光区重叠，且第二部分的厚度小于第一部分的厚度。在本公开一实施方式中，缓冲层的折射率为大于1.48且小于1.6，且缓冲层的消光系数为大于0且小于10-3。在本公开一实施方式中，缓冲层的折射率为大于1.6，且缓冲层的消光系数为大于10-3。在本公开一实施方式中，缓冲层的第二部分与配向膜的总厚度为大于等于500埃且小于等于1000埃。在本公开一实施方式中，电子装置还包括摄像元件，朝向第二基板，且摄像元件在第二基板的投影与透光区重叠。在本公开一实施方式中，电子装置还包括感测元件，朝向第二基板，且感测元件在第二基板的投影与透光区重叠。本公开的另一技术态样为一种电子装置的制造方法，包括形成缓冲层于第二基板上；形成有源阵列及像素阵列及保护层于缓冲层上；形成开口于缓冲层；形成配向膜于像素阵列及开口上；以及填充液晶层于第一基板与第二基板之间。在本公开一实施方式中，开口形成于保护层及缓冲层。在本公开一实施方式中，形成有源阵列及像素阵列与形成开口为同时执行。在本公开一实施方式中，配向膜为共形地形成于保护层及缓冲层上。在本公开一实施方式中，形成缓冲层于第一基板上还包括缓冲层的厚度为大于等于1500埃且小于等于3000埃，且形成开口于保护层及缓冲层还包括使第二基板自开口暴露。在本公开一实施方式中，形成配向膜于保护层及缓冲层上还包括使配向膜接触第二基板。在本公开一实施方式中，形成缓冲层于第一基板的步骤包括使缓冲层的折射率为大于1.48且小于1.6，且缓冲层的消光系数为大于0且小于10-3。在本公开一实施方式中，形成开口于缓冲层还包括使一部分的缓冲层位在开口与第二基板之间，且形成配向膜于保护层及缓冲层上还包括使配向膜接触缓冲层的此部分。在本公开一实施方式中，配向膜位在开口的部分与此部分的缓冲层的总厚度大于等于500埃且小于等于1000埃，且缓冲层的折射率为大于1.6，且缓冲层的消光系数为大于10-3。根据本公开上述实施方式，通过阵列侧的膜层叠构设计，使保护层在第二基板上的投影与透光区错开，并使配向膜共形地设置于保护层、缓冲层及第二基板上，可提高通过透光区的光线穿透率以及降低光线穿透率的变化量，并增进电子装置的镜头出光品质和效率。此外，由于无须通过玻璃钻孔工艺以形成透光区，因此透光区与面板工艺可整合，以减少制造成本并提升良率。附图说明图1为根据本公开一实施例的电子装置的俯视图；图2为沿着图1的线段2-2的剖面图；图3为图1的电子装置的制造方法流程图；图4A至图4E为图1的电子装置的制造方法在不同阶段的剖面图；图5为根据本公开另一实施例的电子装置的剖面图；图6为根据本公开一些实施例的光线穿过不同数量的保护层后的光穿透率模拟图；图7为根据图2的实施例的光穿透率模拟图；图8为根据本公开另一实施例的电子装置剖面图；图9为图8的电子装置的制造方法流程图；图10A至图10E为图8的电子装置的制作方法在不同阶段的剖面图；图11A至图11C为根据本公开一些实施例的光穿透率模拟图；图12A至图12C为根据本公开一些实施例的光穿透率模拟图；图13为根据本公开另一实施例的电子装置的剖面图；以及图14A至图14D为根据本公开一些实施例的光穿透率模拟图。附图标记说明如下：100、100a、100b、100c：电子装置102：摄像元件104：感测元件110：第一基板112：遮光层114：滤光层116：保护膜120：第二基板130、130a、130b、130c：缓冲层130’：缓冲层132a：第一子层134a：第二子层132b、132c：第一部分134b、134c：第二部分140：有源阵列142：半导体层1422：源极/漏极区域144：栅极电极146：接触金属层150：像素阵列152：第一电极154：第二电极156：金属线路层160：保护层161：栅极绝缘层162：层间介电层163：钝化层164：绝缘层166：接触开口168：接触开口170：配向膜172：第一部分174：第二部分176：第三部分180：液晶层190、192：间隔物2-2：线段S11、S12、S13、S14：步骤S21、S22、S23、S24：步骤PR：周边区DR：显示区TR：透光区T1、T2、T3、T4：厚度OP1、OP1’、OP2、OP2’：开口S6a、S6b、S6c、S6d、S7a、S7b、S7c、S11a、S11b、S11c、S11d、S11e、S11f、S11g、S11h、S11i、S12a、S12b、S12c、S12d、S12e、S12f、S14a、S1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，包括：/n一第一基板，具有一透光区、一显示区以及一周边区，其中该周边区围绕该显示区，该显示区围绕该透光区；/n一第二基板，与该第一基板相对设置；/n一缓冲层，设置于该第二基板上；/n一保护层，设置于该缓冲层上，且该保护层在该第二基板上的投影与该透光区错开；/n一有源阵列，设置于该缓冲层上；/n一像素阵列，设置于该有源阵列上，并与该有源阵列电性连接；/n以及/n一配向膜，共形地设置于该保护层、该缓冲层及该第二基板上。/n

【技术特征摘要】
20190730 TW 108127046;20200108 TW 1091006521.一种电子装置，包括：
一第一基板，具有一透光区、一显示区以及一周边区，其中该周边区围绕该显示区，该显示区围绕该透光区；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
一缓冲层，设置于该第二基板上；
一保护层，设置于该缓冲层上，且该保护层在该第二基板上的投影与该透光区错开；
一有源阵列，设置于该缓冲层上；
一像素阵列，设置于该有源阵列上，并与该有源阵列电性连接；
以及
一配向膜，共形地设置于该保护层、该缓冲层及该第二基板上。


2.如权利要求1所述的电子装置，其中该配向膜包括一第一部分以及一第二部分，其中该第一部分在该第二基板上的投影与该显示区重叠，该第二部分在该第二基板上的投影与该透光区重叠，该第一部分与该第二基板间的一距离大于该第二部分与该第二基板间的一距离。


3.如权利要求1所述的电子装置，其中该缓冲层在该第二基板上的投影与该透光区错开。


4.如权利要求3所述的电子装置，其中该缓冲层的一厚度大于等于1500埃且小于等于3000埃。


5.如权利要求4所述的电子装置，其中该缓冲层还包括：
一第一子层，具有大于等于500埃且小于等于1350埃的一厚度，且该第一子层的材料为氮化硅；以及
一第二子层，具有大于等于1000埃且小于等于1650埃的一厚度，且该第二子层的材料为氧化硅。


6.如权利要求1所述的电子装置，其中该缓冲层具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分在该第二基板上的投影与该显示区重叠，该第二部分在该第二基板上的投影与该透光区重叠，且该第二部分的一厚度小于该第一部分的一厚度。


7.如权利要求6所述的电子装置，其中该缓冲层的一折射率为大于1.48且小于1.6，且该缓冲层的一消光系数为大于0且小于10-3。


8.如权利要求6所述的电子装置，其中该缓冲层的一折射率为大于1.6，且该缓冲层的一消光系数为大于10-3。


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【专利技术属性】
技术研发人员：苏志中，陈亦伟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71