一种二硫化钼薄膜辅助的光学相移器制造技术

本发明专利技术涉及一种二硫化钼薄膜辅助的光学相移器，包括二硫化钼薄膜、波导结构以及两个金属电极，其特征在于二硫化钼薄膜覆盖于波导结构的上表面，两个金属电极分别覆盖在波导两侧的二硫化钼薄膜上。当在两个金属电极上施加电压时，二硫化钼薄膜中会产生焦耳热，所产生的热量会通过热传导传递到波导中使得波导温度升高；根据热光效应，波导的折射率会因为温度的变化而发生变化；波导折射率的变化会导致波导中传输的信号光的相位发生移动。本发明专利技术有益于形成一种制备工艺简单、尺寸小且能耗低的光学相移器，有望在光开关和滤波器等领域得到应用。

An optical phase shifter assisted by molybdenum disulfide film

【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钼薄膜辅助的光学相移器
本专利技术属于光电子
，涉及一种二硫化钼薄膜辅助的光学相移器。
技术介绍
光学相移器在光子集成回路中具有重要作用，例如在光开关、滤波器以及光学相控阵等光学系统中，都需要利用相移器对传输光信号的相位进行调节。特别地，与片上波导结构集成的相移器，由于具有速率快、尺寸小、功耗低以及与CMOS工艺兼容等优点，得到了各界的广泛关注。目前已有多种基于波导结构的相移器被提出和报道。例如，利用微型驱动器对悬空的波导进行拉伸，通过改变悬空波导和输入输出波导的相对位置便可实现光程差的调节，从而实现相移的功能。但是这种相移器需要对波导进行悬空处理并将其和驱动部件进行连接，制备工艺较为复杂。此外，基于硅的自由载流子色散效应，采用金属-氧化物-半导体电容器结构可以改变硅波导的折射率，从而实现相位的调节。但是自由载流子色散效应也会改变折射率虚部，因此不可避免会引入较大的损耗。此外，这种相移器的制备工艺也比较复杂。另一种基于波导结构的相移器是基于波导材料本身的光学效应，通过改变材料的所处环境的温度来改变其折射率，以实现波导中传输光信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硫化钼薄膜辅助的光学相移器，其特征在于包括二硫化钼薄膜(1)、波导结构以及两个金属电极；二硫化钼薄膜(1)覆盖于波导结构的上表面，宽度大于波导结构中的条形结构；第一金属电极(4)和第二金属电极(5)分别覆盖于波导两侧的二硫化钼薄膜(1)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼薄膜辅助的光学相移器，其特征在于包括二硫化钼薄膜(1)、波导结构以及两个金属电极；二硫化钼薄膜(1)覆盖于波导结构的上表面，宽度大于波导结构中的条形结构；第一金属电极(4)和第二金属电极(5)分别覆盖于波导两侧的二硫化钼薄膜(1)上。


2.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜辅助的光学相移器，其特征在于：所述波导结构采用条形波导(2)、脊形波导(6)或两根条形波导组成的狭缝波导(7)；所述脊形波导(6)为一个平面波导上设有一个条形波导。


3.根据权利要求1或2所述二硫化钼薄膜辅助的光学相移器，其特征在于：所述二硫化钼薄膜以其它电子带隙大于0.9e...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘雪涛，赵建林，方亮，唐楠，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61