一种解复用器芯片组件耦合封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种解复用器芯片组件耦合封装结构，包括光纤尾纤组件、光纤毛细管、解复用器元件、光线聚焦组件，所述解复用器元件包括解复用器芯片及设置于解复用器芯片表面的盖片，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片作为保护层以提高解复用器芯片的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片上设有位于解复用器芯片的输出光线路径上的光线聚焦组件，所述光纤尾纤组件通过单模光纤穿过光纤毛细管与解复用器芯片耦合对应连接；其提高了解复用器芯片研磨抛光的合格率，降低了成本。

A coupled packaging structure for demultiplexer chip components

【技术实现步骤摘要】
一种解复用器芯片组件耦合封装结构
本专利技术涉及光纤通信的光模块领域，具体涉及一种解复用器芯片组件耦合封装结构。
技术介绍
随着数通领域及5G移动通信的发展，高速网络成为发展趋势，对高速光模块的需求也在不断增加，高速光模块的核心组件为光接收模块，光接收模块主要包括CWDMDemux芯片，光电转换组件，以及输入和输出端光纤组件，CWDMDemux组件封装结构为将输入光纤组件与CWDMDemux芯片耦合封装。由于CWDMDemux芯片的反射端面需要加工成具有40°～50°倾斜角的倾斜反射端面，以方便输入光经过该倾斜反射端面后发生90°偏转后进入光电转换组件接收。在整个工艺过程中，CWDMDemux芯片的40°～50°倾斜反射端面需要经过研磨抛光形成。CWDMDemux芯片包括Si基底层和在Si基底层上生长的SiO2波导层，光的波导结构就在SiO2波导层中；光信号在CWDMDemux芯片的波导层中传输，而波导层厚度只有30um，在Demux芯片的40°～50°倾斜输出端面的研磨抛光处理中，Demux芯片尖端很容易破损而报废，合格率低，而芯片成本较高，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：包括光纤尾纤组件(4)、光纤毛细管(3)、解复用器元件、光线聚焦组件(1)，所述解复用器元件包括解复用器芯片(2)及设置于解复用器芯片(2)表面的盖片(6)，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片(6)作为保护层以提高解复用器芯片(2)的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片(6)上设有位于解复用器芯片(2)的输出光线路径上的光线聚焦组件(1)，所述光纤尾纤组件(4)通过单模光纤穿过光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合对应连接，光信号通过光纤尾纤组件(4)进入光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合。/n

【技术特征摘要】
1.一种解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：包括光纤尾纤组件(4)、光纤毛细管(3)、解复用器元件、光线聚焦组件(1)，所述解复用器元件包括解复用器芯片(2)及设置于解复用器芯片(2)表面的盖片(6)，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片(6)作为保护层以提高解复用器芯片(2)的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片(6)上设有位于解复用器芯片(2)的输出光线路径上的光线聚焦组件(1)，所述光纤尾纤组件(4)通过单模光纤穿过光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合对应连接，光信号通过光纤尾纤组件(4)进入光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合。


2.如权利要求1所述的解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：所述盖片(6)为玻璃盖片。


3.如权利要求1所述的解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：所述盖片(6)通过粘贴的方式设置于解复用器芯片(2)表面。


4.如权利要求1所述的解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：所述盖片(6)表面靠近光纤毛细管(3)的位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佳伟，刘权，
申请(专利权)人：苏州伽蓝致远电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32