本发明专利技术公开了一种解复用器芯片组件耦合封装结构，包括光纤尾纤组件、光纤毛细管、解复用器元件、光线聚焦组件，所述解复用器元件包括解复用器芯片及设置于解复用器芯片表面的盖片，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片作为保护层以提高解复用器芯片的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片上设有位于解复用器芯片的输出光线路径上的光线聚焦组件，所述光纤尾纤组件通过单模光纤穿过光纤毛细管与解复用器芯片耦合对应连接；其提高了解复用器芯片研磨抛光的合格率，降低了成本。
A coupled packaging structure for demultiplexer chip components
【技术实现步骤摘要】
一种解复用器芯片组件耦合封装结构
本专利技术涉及光纤通信的光模块领域，具体涉及一种解复用器芯片组件耦合封装结构。
技术介绍
随着数通领域及5G移动通信的发展，高速网络成为发展趋势，对高速光模块的需求也在不断增加，高速光模块的核心组件为光接收模块，光接收模块主要包括CWDMDemux芯片，光电转换组件，以及输入和输出端光纤组件，CWDMDemux组件封装结构为将输入光纤组件与CWDMDemux芯片耦合封装。由于CWDMDemux芯片的反射端面需要加工成具有40°～50°倾斜角的倾斜反射端面，以方便输入光经过该倾斜反射端面后发生90°偏转后进入光电转换组件接收。在整个工艺过程中，CWDMDemux芯片的40°～50°倾斜反射端面需要经过研磨抛光形成。CWDMDemux芯片包括Si基底层和在Si基底层上生长的SiO2波导层，光的波导结构就在SiO2波导层中；光信号在CWDMDemux芯片的波导层中传输，而波导层厚度只有30um，在Demux芯片的40°～50°倾斜输出端面的研磨抛光处理中，Demux芯片尖端很容易破损而报废，合格率低，而芯片成本较高，从而导致现有技术中具有Demux芯片的CWDMDemux组件封装结构成本比较高。鉴于现有技术中存在的不足之处，有必要提供一种具有低成本解复用器元件的解复用器芯片组件耦合封装结构，以降低解复用器芯片组件耦合封装结构的成本。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足之处，本专利技术的主要目的是，提供一种解复用器芯片组件耦合封装结构，其解复用器元件加工成本降低，即降低了复用器芯片组件耦合封装结构的成本。为了实现本专利技术的上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种解复用器芯片组件耦合封装结构，包括光纤尾纤组件、光纤毛细管、解复用器元件、光线聚焦组件，所述解复用器元件包括解复用器芯片及设置于解复用器芯片表面的盖片，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片作为保护层以提高解复用器芯片的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片上设有位于解复用器芯片的输出光线路径上的光线聚焦组件，所述光纤尾纤组件通过单模光纤穿过光纤毛细管与解复用器芯片耦合对应连接，光信号通过光纤尾纤组件进入光纤毛细管与解复用器芯片耦合。优选地，所述盖片为玻璃盖片。进一步地，所述盖片通过粘贴的方式设置于解复用器芯片表面。进一步地，所述盖片表面靠近光纤毛细管的位置设置有定位垫片。进一步地，所述解复用器元件的倾斜反射端面研磨抛光成倾斜角范围为40°～45°的光学平面。优选地，所述解复用器元件的倾斜反射端面研磨抛光成倾斜角为45°的光学平面。进一步地，所述解复用器元件与光纤毛细管相连的耦合端面研磨抛光成方向相匹配、倾斜角范围为6°～10°的光学平面。优选地，所述解复用器元件与光纤毛细管相连的耦合端面研磨抛光成方向相匹配、倾斜角为8°的光学平面。优秀地，所述光线聚焦组件为透镜阵列。进一步地，所述玻璃盖片的厚度为0.1～0.2mm。上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：解复用器芯片组件耦合封装结构的解复用器元件包括解复用器芯片及设置解复用器芯片表面的玻璃盖片，玻璃盖片作为保护层覆盖在解复用器芯片表面一起研磨抛光成型解复用器元件的倾斜反射端面，有效保护解复用器芯片倾斜反射端面的尖端不易因研磨抛光而破损报废，改变了传统解复用器芯片研磨的方式，提高了昂贵的解复用器芯片研磨抛光的合格率；而且采用玻璃盖片覆盖在解复用器芯片表面作为保护层，即使解复用器芯片的反射端面尖端因研磨抛光受损也只是稍许受损，解复用器芯片不会达到报废的程度，还可以对解复用器芯片进行返工再利用，降低昂贵的解复用器芯片的耗损，有效节约了成本；通过在盖片上设置位于解复用器芯片的输出光线路径上的透镜阵列，从解复用元件输出的多路单波光信号经透镜阵列汇聚后进入位于透镜阵列下方的PD阵列接收，使得PD阵列与解复用器元件的相对位置不受距离限制，可以有效避免解复用器元件的损坏。附图说明图1为根据本专利技术一个实施方式提出的解复用器芯片组件耦合封装结构示意图；图2为根据本专利技术一个实施方式提出的解复用器元件结构示意图。图中：1、光线聚焦组件，2、解复用器芯片，3、光纤毛细管，4、光纤尾纤组件，5、定位垫片，6、盖片。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。在附图中，为清晰起见，可对形状和尺寸进行放大，并将在所有图中使用相同的附图标记来指示相同或相似的部件。根据本专利技术的一实施方式结合图1-2，本专利技术的解复用器芯片组件耦合封装结构包括光纤尾纤组件4、光纤毛细管3、解复用器元件、光线聚焦组件1，所述解复用器元件包括解复用器芯片2及盖片6，所述解复用器芯片2为平面波导光栅解复用器，用于将接收到的一路合波光信号分解成不同波长的多路单波光信号输出，所述盖片6采用玻璃盖片，所述玻璃盖片的厚度为0.1～0.2mm，所述玻璃盖片采用胶粘接于解复用器芯片2的单波光信号输出面，解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述倾斜反射端面为具有倾斜角范围为40°～45°的光学平面，优选倾斜角为45°的光学平面，以方便使分解成的不同波长的多路单波光信号发生90°偏转。玻璃盖片覆盖在解复用器芯片2表面一起研磨抛光成型解复用器元件的倾斜反射端面，粘接覆盖于解复用器芯片2表面的所述玻璃盖片作为保护层以保护解复用器芯片2的倾斜反射端面尖端不因研磨抛光而破损报废，提高解复用器芯片2的研磨抛光合格率，而且采用玻璃盖片覆盖在解复用器芯片2表面作为保护层，即使解复用器芯片2的反射端面尖端因研磨抛光受损也只是稍许受损，解复用器芯片2不会达到报废的程度，还可以对解复用器芯片2进行返工再利用，降低昂贵的解复用器芯片2的耗损，可以有效节约成本。所述玻璃盖片上设有位于解复用器芯片2的输出光线路径上的光线聚焦组件1，光线聚焦组件1可以采用透镜阵列，经解复用器芯片2的倾斜反射端面反射发生90°偏转后的多路单波光信号经解复用元件输出后，经透镜阵列汇聚，然后进入位于透镜阵列下方的光电转换组件中的PD阵列接收。由于PD阵列的光敏面积大小只有20um，一般单波光信号从解复用器元件的玻璃盖片中输出时光斑会不断扩大，在不采用透镜阵列的情况下，为确保解复用器芯片2与PD阵列的反射耦合，需要PD阵列与解复用器元件表面的距离保持在20微米左右，这样PD阵列容易碰到解复用器元件而导致解复用器元件破损，而通过在玻璃盖片上设置透镜阵列，多路单波光信号从解复用元件输出后，经透镜阵列汇聚后进入PD阵列接收，PD阵列与解复用器元件的相对位置不受距离限制，可以有效避免损坏解复用器元件。所述盖片6表面靠近光纤毛细管3的位置设置有定位垫片5，所述定位垫片5为金属定位垫片或玻璃定位垫片，所述定位垫片本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：包括光纤尾纤组件(4)、光纤毛细管(3)、解复用器元件、光线聚焦组件(1)，所述解复用器元件包括解复用器芯片(2)及设置于解复用器芯片(2)表面的盖片(6)，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片(6)作为保护层以提高解复用器芯片(2)的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片(6)上设有位于解复用器芯片(2)的输出光线路径上的光线聚焦组件(1)，所述光纤尾纤组件(4)通过单模光纤穿过光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合对应连接，光信号通过光纤尾纤组件(4)进入光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合。/n
【技术特征摘要】
1.一种解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：包括光纤尾纤组件(4)、光纤毛细管(3)、解复用器元件、光线聚焦组件(1)，所述解复用器元件包括解复用器芯片(2)及设置于解复用器芯片(2)表面的盖片(6)，所述解复用器元件的反射端面研磨抛光成倾斜反射端面，所述盖片(6)作为保护层以提高解复用器芯片(2)的倾斜反射端面的研磨抛光合格率，所述盖片(6)上设有位于解复用器芯片(2)的输出光线路径上的光线聚焦组件(1)，所述光纤尾纤组件(4)通过单模光纤穿过光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合对应连接，光信号通过光纤尾纤组件(4)进入光纤毛细管(3)与解复用器芯片(2)耦合。
2.如权利要求1所述的解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：所述盖片(6)为玻璃盖片。
3.如权利要求1所述的解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：所述盖片(6)通过粘贴的方式设置于解复用器芯片(2)表面。
4.如权利要求1所述的解复用器芯片组件耦合封装结构，其特征在于：所述盖片(6)表面靠近光纤毛细管(3)的位...
【专利技术属性】
技术研发人员：张佳伟，刘权，
申请(专利权)人：苏州伽蓝致远电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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