负离子生成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种负离子生成装置，用于向对象物照射负离子，具备：等离子体源，向真空腔室内供给等离子体；以及使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元。

Negative ion generator

【技术实现步骤摘要】
负离子生成装置本申请是申请日为2016年7月21日，申请号为201680045499.5，专利技术名称为“成膜装置”的原申请的分案申请。
本专利技术涉及一种负离子生成装置。
技术介绍
作为在成膜对象物的表面形成膜的成膜装置，例如已知有一种基于离子镀法的成膜装置，该离子镀法中使已蒸发的成膜材料的粒子向真空腔室内扩散，并使成膜材料的粒子附着于成膜对象物的表面(参考专利文献1)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-282226号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题在上述以往的成膜装置中，将形成有膜的成膜对象物输出到大气中时，大气中的氧附着于成膜对象物上的膜的表面。如此氧附着于膜时，膜质有可能降低。更详细而言，例如将形成在成膜对象物上的ZnO膜用作用于检测半导体式氢气传感器的气体的膜时，大气中的氧以O2-的形式附着于ZnO膜的表面，由此存在氢的检测响应降低的问题。因此本专利技术的课题在于提供一种能够抑制成膜对象物上的膜质降低的成膜装置。用于解决技术课题的手段为了解决上述问题，本专利技术的一侧面所涉及的成膜装置为将成膜材料成膜于成膜对象物的成膜装置，该成膜装置的特征在于，具备：真空腔室，容纳成膜对象物并进行成膜处理；成膜部，在真空腔室内使成膜材料的粒子附着于成膜对象物；及负离子生成部，在真空腔室内生成负离子。本专利技术的一侧面所涉及的成膜装置中，通过负离子生成部在真空腔室内生成负离子，因此能够使该负离子附着于通过成膜处理形成在成膜对象物上的膜的表面。由此，即使将成膜处理之后的成膜对象物输出到大气中，在形成在成膜对象物上的膜的表面也附着有负离子，因此能够抑制因大气中的氧附着于成膜对象物上的膜的表面而导致的膜质降低。根据以上所述，能够抑制成膜对象物上的膜质降低。成膜装置中，可以为如下，即负离子生成部具有：等离子枪，在真空腔室内生成等离子体；原料气体供给部，向真空腔室内供给负离子的原料气体；及控制部，将等离子枪控制成间断地生成等离子体。该情况下，等离子体在真空腔室内间断地生成，因此在停止真空腔室内的等离子体的生成时，真空腔室内的等离子体的电子温度急剧下降，且电子容易附着于向真空腔室内供给的负离子的原料气体的粒子上。由此，能够在真空腔室内有效率地生成负离子。其结果，能够使负离子有效地附着于形成在成膜对象物上的膜的表面。根据以上所述，能够可靠地抑制成膜对象物上的膜质降低。成膜装置中，可以为如下，即负离子生成部还具有切换部，该切换部切换等离子体向真空腔室内的供给与切断，控制部将等离子枪控制成通过对切换部进行切换来间断地生成等离子体。该情况下，能够轻松地仅通过对切换部进行切换来间断地生成等离子体。成膜装置中，可以为如下，即真空腔室具有输送成膜对象物的输送室和使成膜材料扩散的成膜室，且该成膜装置还具备磁场产生线圈，该磁场产生线圈通过产生磁场来抑制成膜室内的电子流入到输送室，该磁场具有与从成膜室朝向输送室的方向交叉的方向的磁力线。该情况下，能够通过由磁场产生线圈产生的磁场来抑制成膜室内的电子流入到输送室，因此能够在成膜室内更高效地生成负离子。其结果，能够使负离子更有效地附着于形成在成膜对象物上的膜的表面。成膜装置中，可以为如下，即磁场产生线圈设置在真空腔室内且成膜室与输送室之间。该情况下，能够适宜地产生具有抑制成膜室内的电子流入到输送室的方向的磁力线的磁场。成膜装置中，可以为如下，即成膜部具有等离子枪，且通过离子镀法使成膜材料的粒子附着于成膜对象物，成膜部的等离子枪被兼作为负离子生成部的等离子枪。该情况下，兼用成膜部的等离子枪与负离子生成部的等离子枪，因此无需大幅改变真空腔室内原本所具备的结构来作为为了成膜处理而必要的结构便能够构成负离子生成部。从而，能够一边抑制给成膜条件带来的影响一边设置负离子生成部。而且，通过兼用等离子枪能够将装置结构简单化。成膜装置中，可以为如下，即其还具备：电压施加部，对通过成膜部进行的成膜处理之后的成膜对象物施加正的偏置电压。该情况下，通过电压施加部对成膜处理之后的成膜对象物施加正的偏置电压。由此，通过负离子生成部生成的负离子被吸引到成膜对象物侧，并照射于形成在成膜对象物上的膜的表面。其结果，能够抑制因大气中的氧附着于成膜对象物上的膜的表面而导致的膜质降低。成膜装置中，可以为如下，即负离子生成部在真空腔室内间断地生成等离子体，电压施加部在停止通过负离子生成部生成等离子体之后对成膜对象物施加正的偏置电压。由此，较多的氧负离子照射于成膜对象物。其结果，能够进一步抑制因大气中的氧附着于成膜对象物上的膜的表面而导致的膜质降低。成膜装置中，可以为如下，即其具备：真空装载锁定腔室，与真空腔室相邻配置，并搬入或搬出成膜对象物，真空装载锁定腔室从真空腔室搬入成膜处理之后的成膜对象物，并且在通过负离子生成部生成负离子之后将所搬入的成膜对象物搬出到真空腔室。由此，成膜对象物不会暴露在大气中，且在生成了氧负离子的适当的时刻被搬入到真空腔室。其结果，能够适宜地对成膜对象物照射氧负离子。成膜装置中，可以为如下，即其具备：保持部件，保持成膜对象物，在真空腔室内，延伸设置有架空线，在保持部件设置有从架空线供电的供电部。该情况下，设置在保持成膜对象物的保持部件中的供电部从设置在真空腔室内的架空线进行供电。由此，能够通过保持部件的供电部轻松地对成膜对象物施加正的电压。成膜装置中，可以为如下，即其具备：张力赋予部，对架空线赋予张力。该情况下，通过张力赋予部对架空线赋予张力。由此，即使在因真空腔室内产生的热等而架空线伸缩的情况下也能够抑制挠曲。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种能够抑制成膜对象物上的膜质降低的成膜装置。附图说明图1为表示本专利技术的第1实施方式所涉及的成膜装置的结构的示意剖视图，且为表示成膜处理模式下的动作状态的图。图2为表示图1的成膜装置的结构的示意剖视图，且为表示氧负离子生成模式下的动作状态的图。图3为表示本专利技术的第1实施方式所涉及的成膜装置的成膜方法的流程图。图4为表示本专利技术的第2实施方式所涉及的成膜装置的结构的示意剖视图，且为表示氧负离子生成模式下的动作状态的图。图5为表示图4的架空线固定端部的结构的示意主视图及示意侧视图。图6为表示图4的成膜对象物保持部件的结构的示意俯视图。图7为沿图6的VII-VII线的剖视图。图8为沿图6的VIII-VIII线的剖视图。图9为对被电刷用引导件引导的电刷体的动作进行说明的图。图10为对供电端子部的动作进行说明的图。图11为表示在真空腔室内存在的离子的通量随时间变化的曲线图。图12为表示偏置电压的施加有无与载流子密度的关系的曲线图。图13为表示偏置电压的施加有无与光学迁移率的关系的曲线图。图14为表示氧负离子照射的有无与氢气传感器特性的关系的曲线图。具体实施方式以下，参考附图对本专利技术的一实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负离子生成装置，用于向对象物照射负离子，该负离子生成装置的特征在于，具备：/n等离子体源，向真空腔室内供给等离子体；以及/n使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元。/n

【技术特征摘要】
20150721 JP 2015-143798;20160310 JP 2016-0466491.一种负离子生成装置，用于向对象物照射负离子，该负离子生成装置的特征在于，具备：
等离子体源，向真空腔室内供给等离子体；以及
使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元。


2.根据权利要求1所述的负离子生成装置，其特征在于，
使所述真空腔室内的等离子体的电子温度下降的单元具有控制部，该控制部以使所述等离子体向所述真空腔室内的供给间断地进行的方式进行控制。


3.根据权利要求2所述的负离子生成装置，其特征在于，
所述负离子生成装置还具有切换部，该切换部切换所述等离子体向所述真空腔室内的供给与切断，
所述控制部通过对所述切换部进行切换来间断地进行所述等离子体的供给。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的负离子生成...

【专利技术属性】
技术研发人员：北见尚久，酒见俊之，山本哲也，野本淳一，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP