一种钛碳箔制备方法以及用于固态电容的钛碳箔技术

本发明专利技术涉及钛碳箔技术领域，特别涉及一种钛碳箔制备方法以及用于固态电容的钛碳箔，包括以下步骤：将聚偏氟乙烯与含有‑NR‑官能基溶剂按比例均匀混合，制得反应溶液；在惰性气体环境下，将四氟化钛置入所述反应溶液；在设定温度值范围内反应若干时间后，加入玻璃陶瓷粉均匀混合，制得涂料；将所述涂料涂布于铝箔上；对涂布有涂料的铝箔进行去溶剂操作和脱碳操作；对铝箔进行快速退火操作。本发明专利技术的发明专利技术目的在于提供一种钛碳箔制备方法以及用于固态电容的钛碳箔，采用本发明专利技术提供的技术方案解决了现有钛碳箔制备方法存在能耗高、制备硬件成本高以及反应时间长的技术问题。

A preparation method of titanium carbon foil and titanium carbon foil for solid state capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种钛碳箔制备方法以及用于固态电容的钛碳箔
本专利技术涉及钛碳箔
，特别涉及一种钛碳箔制备方法以及用于固态电容的钛碳箔。技术背景TiC是一种浅灰色，立方晶系，不溶于水的化学物质，具有很高的化学稳定性，与盐酸、硫酸几乎不起化学反应，但能够溶解于王水，硝酸，以及氢氟酸中，还溶于碱性氧化物的溶液中。TiC原子间以很强的共价键结合,具有类似金属的若干特性,如高的熔点、沸点和硬℃,硬℃仅次于金刚石,有良好的导热和导电性,在温度极低时甚至表现出超导性。因此,TiC被广泛用于制造金属陶瓷,耐热合金、硬质合金、抗磨材料、高温辐射材料以及其它高温真空器件,用其制备的复相材料在机械加工、冶金矿产、航天和聚变堆等领域有着广泛的应用。由碳化钛制备形成的钛碳箔，主要适用于切削、耐磨等产品，也可用于硬盘材料作为记忆储存用。近年为提高电解电容特性，遂在电解电容内的极片表面添加钛膜，使其氧化，藉由氧化钛的高介电特性提高单位面积的电容值，但氧化钛本身在充放电过程中容易形成Ti(OH)2，故而演变为使用具有在水中高稳定℃的碳化钛/氮化钛等材料。目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钛碳箔制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS100、将聚偏氟乙烯与含有-NR-官能基溶剂按比例均匀混合，制得反应溶液；/nS200、在惰性气体环境下，将四氟化钛置入所述反应溶液；/nS300、在设定温度值范围内反应若干时间后，加入玻璃陶瓷粉均匀混合，制得涂料；/nS400、将所述涂料涂布于铝箔上；/nS500、对涂布有涂料的铝箔进行去溶剂操作和脱碳操作；/nS600、对铝箔进行快速退火操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种钛碳箔制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S100、将聚偏氟乙烯与含有-NR-官能基溶剂按比例均匀混合，制得反应溶液；
S200、在惰性气体环境下，将四氟化钛置入所述反应溶液；
S300、在设定温度值范围内反应若干时间后，加入玻璃陶瓷粉均匀混合，制得涂料；
S400、将所述涂料涂布于铝箔上；
S500、对涂布有涂料的铝箔进行去溶剂操作和脱碳操作；
S600、对铝箔进行快速退火操作。


2.根据权利要求1所述的钛碳箔制备方法，其特征在于：在步骤S100中，含有-NR-官能基溶剂包括NMP、DMF、AN和苯胺。


3.根据权利要求2所述的钛碳箔制备方法，其特征在于：在步骤S300中，温度值范围为100℃～150℃，反应时间为0.5h～48h。


4.根据权利要求3所述的钛碳箔制备方法，其特征在于：在步骤S300中，所述玻璃陶瓷粉的添加比例为0.2％～2％。


5.根据权利要求4所述的钛碳箔制备方法，其特征在于：所述玻璃陶瓷粉的成...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡毅，陈品璇，张宪文，钱礽淼，刘俊兴，
申请(专利权)人：博罗冠业电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44