跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路，属于无源混频器设计领域。该电路包括一个NMOS管，七个电阻，四个开关；其中第一电阻的1端、第二电阻的2端均和NMOS管的栅极连接于Vg1节点，第一电阻的2端和NMOS管的源极均接地，第二电阻的1端、第三电阻的2端均与NMOS管M1的漏极相连接，参考电流IREF从第七电阻的1端流入，第七电阻的2端依次与第六、第五、第四、第三电阻串连；四个开关的一端分别接第六电阻、第五电阻、第四电阻和第三电阻的1端，四个开关的另一端相连共同输入偏置电压VBIAS。本实用新型专利技术可解决因NMOS开关管漏电而恶化混频器线性度的问题，电路结构简单，功耗低。

【技术实现步骤摘要】
跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路
本技术属于无线射频发射机中的无源混频器设计
，特别涉及一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路。
技术介绍
无源混频器相对于有源混频器具有低功耗、低噪声、高线性度的优点而被广泛应用于无线收发系统中。其中在无线射频发射机中，多采用电压模上变频无源混频器，由于电压模无源上变频混频器处理的输入信号是大摆幅的模拟基带信号，阈值电压随工艺角、温度的变化，容易使得NMOS开关管产生漏电，从而恶化混频器的线性度，若MOS管的偏置电压具有跟随其阈值电压的特性，避免NMOS管漏电，则可以保证线性度不被恶化。图1是本技术所适用的一种上变频无源混频器，图中只显示出上变频混频器IQ两路中的一路，实际使用时IQ两路共用一个偏置电路。该混频器包括五个NMOS管，四个电容，四个电阻；其中模拟基带的差分输入正电压信号VINP分别与NMOS管M2、M3的源极相连，模拟基带的差分输入负电压信号VINN分别与NMOS管M4、M5的源极相连。NMOS管M2、M4的漏极相连输出混频之后的射频差分正电压信号RFP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路，其特征在于，该电路包括一个NMOS管(M1)，七个电阻，四个开关；其中第一电阻(R1)的1端、第二电阻(R2)的2端均和NMOS管(M1)的栅极连接于Vg1节点，第一电阻(R1)的2端和NMOS管(M1)的源极均接地，第二电阻(R2)的1端、第三电阻(R3)的2端均与NMOS管(M1)的漏极相连接于Vx节点，参考电流IREF从第七电阻(R7)的1端流入，第七电阻(R7)的2端依次与第六电阻(R6)、第五电阻(R5)、第四电阻(R4)和第三电阻(R3)串连；所述四个开关的一端分别接第六电阻(R6)的1端、第五电阻(R5)的1端、第四电阻(...

【技术特征摘要】
1.一种跟随MOS管阈值电压的上变频无源混频器的偏置电路，其特征在于，该电路包括一个NMOS管(M1)，七个电阻，四个开关；其中第一电阻(R1)的1端、第二电阻(R2)的2端均和NMOS管(M1)的栅极连接于Vg1节点，第一电阻(R1)的2端和NMOS管(M1)的源极均接地，第二电阻(R2)的1端、第三电阻(R3)的2端均与NMOS管(M1)的漏极相连接于Vx节点，参考电流IREF从第七电阻(R7)的1端流入，第七电阻(R7)的2端依次与第六电阻(R6)、第五电阻(R5)、第四电阻(R4)和第三电阻(R3)串连；所述四个开关的一端分别接第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖玉忠，陈勇刚，
申请(专利权)人：深圳市纽瑞芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44