浪涌保护器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种浪涌保护器件。所述浪涌保护器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层中的第一掩埋层；所述第一半导体层还包括第一凹槽，所述衬底的一部分填充所述第一凹槽；其中，所述第一掩埋层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一面；所述第一凹槽位于所述第一半导体层靠近所述衬底的一面，且与所述第一掩埋层相对；覆盖所述第一掩埋层及所述第一半导体层的第二半导体层。本实用新型专利技术实施例能够降低浪涌保护器件的导通电压。

【技术实现步骤摘要】
浪涌保护器件
本技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种浪涌保护器件。
技术介绍
随着浪涌保护器件技术的发展，浪涌保护器件，如SIDACtor已广泛地应用于保护电路设备，如半导体设备的领域，避免电路设备由于瞬态电压过大而烧坏。图1为现有技术的一种浪涌保护器件的结构示意图，参考图1，浪涌保护器件包括衬底101’，第一半导体层102’，形成在第一半导体层102’中的掩埋层103’，起到控制浪涌保护器件击穿电压的作用，第二半导体层104’，形成在第二半导体层104’中的多个发射极105’。然而，现有的浪涌保护器件导通电压(switchingvoltage)较大，在通信等要求导通电压较小的领域应用受限。
技术实现思路
本技术提供一种浪涌保护器件，以降低浪涌保护器件的导通电压。本技术实施例提供了一种浪涌保护器件，所述浪涌保护器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层中的第一掩埋层；所述第一半导体层还包括第一凹槽，所述衬底的一部分填充所述第一凹槽；其中，所述第一掩埋层位于所述第一半导体层远离所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浪涌保护器件，其特征在于，所述浪涌保护器件包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的第一半导体层；/n位于所述第一半导体层中的第一掩埋层；所述第一半导体层还包括第一凹槽，所述衬底的一部分填充所述第一凹槽；/n其中，所述第一掩埋层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一面；所述第一凹槽位于所述第一半导体层靠近所述衬底的一面，且与所述第一掩埋层相对；/n覆盖所述第一掩埋层及所述第一半导体层的第二半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种浪涌保护器件，其特征在于，所述浪涌保护器件包括：
衬底；
位于所述衬底上的第一半导体层；
位于所述第一半导体层中的第一掩埋层；所述第一半导体层还包括第一凹槽，所述衬底的一部分填充所述第一凹槽；
其中，所述第一掩埋层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一面；所述第一凹槽位于所述第一半导体层靠近所述衬底的一面，且与所述第一掩埋层相对；
覆盖所述第一掩埋层及所述第一半导体层的第二半导体层。


2.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其特征在于，沿垂直于所述浪涌保护器件的方向，所述第一凹槽的投影与所述第一掩埋层的投影形状相同。


3.根据权利要求2所述的浪涌保护器件，其特征在于，
沿垂直于所述浪涌保护器件的方向，所述第一凹槽的投影与所述第一掩埋层的投影完全重叠。


4.根据权利要求2所述的浪涌保护器件，其特征在于，沿垂直于所述浪涌保护器件的方向，所述第一凹槽的投影为圆形或者多边形。


5.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其特征在于，所述第一凹槽的深度为50微米。


6.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：高骏华，曾剑飞，杨菲菲，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32