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本实用新型公开了一种浪涌保护器件。所述浪涌保护器件包括：衬底；位于所述衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层中的第一掩埋层；所述第一半导体层还包括第一凹槽，所述衬底的一部分填充所述第一凹槽；其中，所述第一掩埋层位于所述第一半导体层远离所...
该专利属于力特半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力特半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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