【技术实现步骤摘要】
一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置
本技术属于磁控溅射镀膜
,具体涉及一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置。
技术介绍
磁控溅射属于物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)中的一种,磁控溅射镀膜技术是一种重要的薄膜制备方法,可以在载体上制备金属、半导体、绝缘体等多材料的薄膜,具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强的优点。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。专利CN201110358232.0提供了一种磁控溅射系统,包括磁控室、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶、机台架、真空抽气系统及电动提升机构,磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连,在磁控室内均布有多个安装在磁控室下法兰上的磁控靶;基片转台转动安装在磁控室上盖上,所载基片位于磁控室内、各磁控靶的上方,磁控室上盖上还安装有基片转台驱动电机,基片转台通过传动机构由驱动电机驱动旋转;机台架内安装有电动提升机构,其输出端由机台架穿出、与磁控室的上 ...
【技术保护点】
1.一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置,其特征在于,所述制备装置包括磁控靶、样品架和样品挡板,所述磁控靶倾斜设置,所述样品架设在磁控靶的下方,所述样品架的样品台为板状,且内部设有加热器,样品台上方设置样品罩,所述样品罩具有多个样品通孔,用于高通量制备多组份混合纳米薄膜和纳米多层功能薄膜器件;/n所述样品挡板设在样品台的上方,且水平放置,样品挡板包括气缸、转挡轴、支柱、两个转挡连片和两个挡板,所述气缸的活塞连接并能够带动转挡轴做伸缩运动,所述支柱的底部垂直固定在转挡轴上,支柱的顶端同时连接两个转挡连片的前端,两个转挡连片的后端分别连接两个挡板,所述支柱通过两个转挡连片分别 ...
【技术特征摘要】
1.一种高通量磁控溅射纳米薄膜器件制备装置,其特征在于,所述制备装置包括磁控靶、样品架和样品挡板,所述磁控靶倾斜设置,所述样品架设在磁控靶的下方,所述样品架的样品台为板状,且内部设有加热器,样品台上方设置样品罩,所述样品罩具有多个样品通孔,用于高通量制备多组份混合纳米薄膜和纳米多层功能薄膜器件;
所述样品挡板设在样品台的上方,且水平放置,样品挡板包括气缸、转挡轴、支柱、两个转挡连片和两个挡板,所述气缸的活塞连接并能够带动转挡轴做伸缩运动,所述支柱的底部垂直固定在转挡轴上,支柱的顶端同时连接两个转挡连片的前端,两个转挡连片的后端分别连接两个挡板,所述支柱通过两个转挡连片分别带动两个挡板相互靠近或相互远离。
2.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于,所述磁控靶与水平面之间的角度为30-60度。
3.根据权利要求2所述的制备装置,其特征在于,所述磁控靶的数量为2-5个,并均匀环绕分布在工作腔室的顶部。
4.根据权利要求1所述的制备装置,其特征在于,所述样品架包括样品台、支撑连接装置、样品罩和驱动旋转装置,所述支撑连接装置的顶部固定连接样品台,底部连接所述驱动旋转装置的从动齿轮,所述驱动旋转装置设置在工作腔室的外部。
5.根据权利要求4所述的制备装置,其特征在于,所述样品罩具有不少于100个样品通孔;所述样品台的底部设有托板,所述托板与样品台之间填充有绝缘材料,起到隔热和绝缘的双重作用。
6.根据权利要求5所述的制备装置,其特征在于,所述支撑连接装置包括空轴、套轴和绝缘套管,所述空轴的顶端套入绝缘套管,并与绝缘套管固定连接;所述绝缘套管的顶端与所述托板固定连接;所述空轴的底部套入套轴,空轴能够在套轴内伸缩,从而带动样品台做升降运...
【专利技术属性】
技术研发人员:刁训刚,秦建平,刁诗如,
申请(专利权)人:纳能镀膜丹阳有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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