一种新型砷化镓异质结晶体管结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件集成技术领域，尤其涉及GaAs HBT结构及制备方法。目前的HBT器件中的集电极从晶圆正面引出，存在着寄生参数大，损耗高的问题。本发明专利技术提供一种新型砷化镓异质结晶体管结构。HBT的集电极从晶圆背面引出。在HBT的基区下方有一个或多个从晶圆背面经刻蚀形成的孔，孔一直到达收集区的N型重掺杂区，以达到和收集区良好接触的目的，在孔里做欧姆接触，与收集区的N型重掺杂区形成良好电接触，所述孔通过镀金属metallization或金属plating方法生成金属层，从而将集电极引出。本发明专利技术的有益效果为，集电极寄生参数小：寄生电阻，寄生电感，寄生电容都相应减少，提高了HBT的性能，减少了损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种新型砷化镓异质结晶体管结构及制备方法
本专利技术涉及半导体器件集成
，尤其涉及GaAsHBT结构及制备方法。
技术介绍
GaAs基HBT器件作为微波元器件具有高频、高增益和低噪声系数的特点，因而在微波频段有着广泛的应用。目前的HBT器件中的集电极从晶圆正面引出，存在着寄生参数大，损耗高的问题，急需一种新的HBT结构，来降低寄生参数，减少损耗。
技术实现思路
针对上述问题中存在的不足之处，本专利技术提供一种新型砷化镓异质结晶体管结构。HBT的集电极从晶圆背面引出。所述HBT的基区下方有一个或多个从晶圆背面经刻蚀形成的孔，孔一直到达收集区的N型重掺杂区，以达到和收集区良好接触的目的，在孔里做欧姆接触，与收集区的N型重掺杂区形成良好电接触所述孔通过镀金属metallization或金属plating方法生成金属层，从而将集电极引出。本专利技术提供一种砷化镓异质结晶体管集电极的制备方法步骤1，在HBT基区的下方，从晶圆背面刻蚀一个或多个孔，孔一直到达收集区的N型重掺杂区；步骤2，在孔里做欧姆接触，与收集区的N型重掺杂区形成良好电接触；步骤3，在晶圆背面通过metallization或金属plating方法生成金属层，从而将集电极引出。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为，集电极寄生参数小：寄生电阻，寄生电感，寄生电容都相应减少，提高了HBT的性能，减少了损耗。附图说明附图1为本专利技术的GaAsHBT的结构，100发射区接触；110发射区；120基区接触；140基区；150收集区；160衬底；170集电极金属；180收集区的N型重掺杂区；190集电极接触；附图2为现有技术GaAsHBT的结构，100发射区接触；110发射区；120基区接触；130集电极接触；140基区；150收集区；160衬底；具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图对本专利技术做进一步的详细描述：如图1所示，本专利技术提供一种新型GaAsHBT结构，与现有技术不同之处在于集电极结构。在基区140的下方，从晶圆的背面刻蚀一个或多个孔，孔到达收集区的N型重掺杂区180；在所述孔内以离子注入或外延方法生成欧姆接触190，在晶圆背面通过镀金属metallization或金属plating方法生成金属层170，从而将集电极引出。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaAs HBT的结构，其特征在于，该结构的HBT集电极从晶圆背面引出；/n所述HBT包括一个或数个位于HBT基区下方，从晶圆背面刻蚀的孔，所述孔深入到HBT收集区的N型重掺杂区；/n所述孔内由里到外分别有欧姆接触及金属；/n所述晶圆背面有金属与所述孔内金属相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种GaAsHBT的结构，其特征在于，该结构的HBT集电极从晶圆背面引出；
所述HBT包括一个或数个位于HBT基区下方，从晶圆背面刻蚀的孔，所述孔深入到HBT收集区的N型重掺杂区；
所述孔内由里到外分别有欧姆接触及金属；
所述晶圆背面有金属与所述孔内金属相连。


2.一种如权利要求1中所述的GaA...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：曾庆刚，
类型：发明
国别省市：广东;44