凹入式固态设备制造技术

在一些实施例中，一种设备包含：第一层(145)，其具有第一表面(144)；以及与所述第一表面相对的第二表面。所述设备还包含第二层(140)，其具有：介接所述第二表面的第三表面；以及与所述第三表面相对的第四表面。所述设备进一步包含第三层(150)，其具有：介接所述第四表面的第五表面；以及与所述第五表面相对的第六表面。所述设备还包含第四层(160)，其具有介接所述第六表面以形成异质结的第七表面，所述异质结产生形成于所述第四层中的二维电子气体沟道。另外，所述设备包含从所述第一表面延伸到所述第五表面的凹部(146，147，149)。

Recessed solid state equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】凹入式固态设备
技术介绍
基于硅的集成电路(IC)用于固态电子器件的不同区域中。一个此类区域是电力电子器件。为了改进电力电子系统的系统级效率，正进行研究工作来寻找可代替硅作为电力电子半导体的其它种类的半导体材料。
技术实现思路
根据一实例，一种设备包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一层。所述设备还包含具有介接所述第二表面的第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面的第二层。所述设备进一步包含具有介接所述第四表面的第五表面和与所述第五表面相对的第六表面的第三层。所述设备还包含具有介接第六表面以形成异质结的第七表面的第四层，所述异质结产生形成于所述第四层中的二维电子气体沟道。另外，所述设备包含从所述第一表面延伸到所述第五表面的凹部。根据另一实例，一种设备包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一层。所述设备包含具有介接所述第二表面的第三表面和与所述第三表面相对的第四表面的第二层。所述设备进一步包含具有介接所述第四表面的第五表面和与所述第五表面相对的第六表面的第三层。所述设备进一步包含与所述第三层形成异质结的第四层，其中电介质材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态设备，其包括：/n第一层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n第二层，其具有介接所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对的第四表面；/n第三层，其具有介接所述第四表面的第五表面，以及与所述第五表面相对的第六表面；/n第四层，其具有介接所述第六表面以形成异质结的第七表面，所述异质结产生形成于所述第四层中的二维电子气体沟道；以及/n凹部，其从所述第一表面延伸到所述第五表面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171121 US 15/820,1681.一种固态设备，其包括：
第一层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第二层，其具有介接所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对的第四表面；
第三层，其具有介接所述第四表面的第五表面，以及与所述第五表面相对的第六表面；
第四层，其具有介接所述第六表面以形成异质结的第七表面，所述异质结产生形成于所述第四层中的二维电子气体沟道；以及
凹部，其从所述第一表面延伸到所述第五表面。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述凹部表示所述第二层中的不连续部分，且其中所述第二层是顶盖层。


3.根据权利要求2所述的设备，其其进一步包括：沿所述凹部和所述第一表面定位的电介质层；以及沉积于所述电介质层上的栅极层。


4.根据权利要求2所述的设备，其中电介质层位于所述不连续部分中，其中所述电介质层的厚度大体上等于所述第二层的厚度。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二层含有多个不连续部分。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第四层包含第III-V族化合物半导体。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三层包含第III-V族化合物半导体。


8.一种设备，其包括：
第一层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第二层，其具有介接所述第二表面的第三表面，以及与所述第三表面相对的第四表面；
第三层，其具有介接所述第四表面的第五表面，以及与所述第五表面相对的第六表面；以及
第四层，其与所述第三层形成异质结，其中电介质材料沿所述凹部和所述第一表面定位，
其中栅极层延伸穿过所述第一层，且安放在所述电介...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东习，Y·孔多，郝平海，S·彭德哈卡，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US