半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置，其目的在于得到能够降低半导体芯片间的温度差的半导体装置。本发明专利技术涉及的半导体装置具有：第1半导体芯片；第2半导体芯片，其在通断时与该第1半导体芯片相比结温高；集电极图案，其与该第1半导体芯片的集电极以及该第2半导体芯片的集电极电连接；发射极图案，其与该第1半导体芯片的发射极以及该第2半导体芯片的发射极电连接；栅极图案，其与该第1半导体芯片的栅极电连接；第1二极管，其阳极与该栅极图案电连接，阴极与该第2半导体芯片的栅极电连接；以及第2二极管，其与该第1二极管反向并联连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
专利文献1的功率模块具有彼此并联连接的2个IGBT。如果第1IGBT芯片的温度变得比第2IGBT芯片的温度高，则栅极电阻调整电路使第1IGBT芯片的栅极电阻增加。另外，如果第1IGBT芯片的温度变得比第2IGBT芯片的温度低，则栅极电阻调整电路使第1IGBT芯片的栅极电阻减小。专利文献1：日本特开2016-127435号公报有时将多个功率芯片并联连接而构成半导体装置。就这样的半导体装置而言，有可能半导体装置的动作极限仅由结温最高的1个芯片限制。在专利文献1中，通过栅极电阻的调节而使芯片间的温度差变小。这里，通常，通过栅极电阻的调节而使通断损耗发生变化，另一方面，稳态损耗不发生变化。另外，通常在功率芯片的动作频率低时，通断损耗在电力损耗中所占的比例有降低的倾向。因此，能够通过栅极电阻的调节而使温度均等化的温度范围有可能受到限制。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，得到能够降低半导体芯片间的温度差的半导体装置。本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n第1半导体芯片；/n第2半导体芯片，其在通断时与所述第1半导体芯片相比结温高；/n集电极图案，其与所述第1半导体芯片的集电极以及所述第2半导体芯片的集电极电连接；/n发射极图案，其与所述第1半导体芯片的发射极以及所述第2半导体芯片的发射极电连接；/n栅极图案，其与所述第1半导体芯片的栅极电连接；/n第1二极管，其阳极与所述栅极图案电连接，阴极与所述第2半导体芯片的栅极电连接；以及/n第2二极管，其与所述第1二极管反向并联连接。/n

【技术特征摘要】
20181220 JP 2018-2387051.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1半导体芯片；
第2半导体芯片，其在通断时与所述第1半导体芯片相比结温高；
集电极图案，其与所述第1半导体芯片的集电极以及所述第2半导体芯片的集电极电连接；
发射极图案，其与所述第1半导体芯片的发射极以及所述第2半导体芯片的发射极电连接；
栅极图案，其与所述第1半导体芯片的栅极电连接；
第1二极管，其阳极与所述栅极图案电连接，阴极与所述第2半导体芯片的栅极电连接；以及
第2二极管，其与所述第1二极管反向并联连接。


2.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1半导体芯片；
第2半导体芯片；
第3半导体芯片；
集电极图案，其与所述第1半导体芯片的集电极、所述第2半导体芯片的集电极以及所述第3半导体芯片的集电极电连接；
发射极图案，其与所述第1半导体芯片的发射极、所述第2半导体芯片的发射极以及所述第3半导体芯片的发射极电连接；
栅极图案，其与所述第1半导体芯片的栅极以及所述第3半导体芯片的栅极电连接；
第1二极管，其阳极与所述栅极图案电连接，阴极与所述第2半导体芯片的栅极电连接；以及
第2二极管，其与所述第1二极管反向并联连接，
所述第2半导体芯片设置于所述第1半导体芯片和所述第3半导体芯片之间。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
具有第3半导体芯片，该第3半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫原聪，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP