【技术实现步骤摘要】
用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法
本公开涉及用于目标刷新操作的设备和方法，特别涉及用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法。
技术介绍
信息可以作为物理信号(例如，电容性元件上的电荷)存储在存储器的各个存储器单元上。所述存储器可以是易失性存储器，并且所述物理信号可以随着时间而衰减(这可能破坏存储在存储器单元中的信息或使其降级)。可能需要周期性地刷新存储器单元中的信息，例如通过重写信息以将物理信号恢复到初始值。随着存储器组件尺寸的减小，存储器单元的密度大大增大。可以执行自动刷新操作；在自动刷新操作中，一系列存储器单元被周期性地刷新。对特定存储器单元或存储器单元组的重复访问(通常被称为“行锤”)可能会使附近的存储器单元中数据降级的速率增加。除了自动刷新操作之外，可能期望的是在目标刷新操作中标识并且刷新受行锤影响的存储器单元。所述目标刷新操作可以以在自动刷新操作之间穿插的时序进行。
技术实现思路
本申请的一个方面涉及一种设备，其包括：第一存储器管芯，其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n第一存储器管芯，其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作；和/n第二存储器管芯，所述第二存储器管芯被配置成响应于所述刷新信号的第二激活而不是所述刷新信号的所述第一激活执行目标刷新操作。/n
【技术特征摘要】
20181221 US 16/230,3001.一种设备，其包括：
第一存储器管芯，其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作；和
第二存储器管芯，所述第二存储器管芯被配置成响应于所述刷新信号的第二激活而不是所述刷新信号的所述第一激活执行目标刷新操作。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器管芯进一步被配置成响应于所述刷新信号的所述第二激活执行自动刷新操作，并且其中所述第二存储器管芯进一步被配置成响应于所述刷新信号的所述第一激活执行自动刷新操作。
3.根据权利要求2所述的设备，其中当由所述第一存储器管芯或所述第二存储器管芯执行时，所述目标刷新操作比所述自动刷新操作消耗更少的功率。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器管芯和所述第二存储器管芯是存储器堆栈的一部分。
5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括接口，所述接口被配置成当所述设备处于刷新模式时提供所述刷新信号的激活。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一存储器管芯进一步被配置成在所述刷新信号的所述第一激活之后的所述刷新信号的多次激活之后执行下一目标刷新操作，并且其中所述第二存储器管芯进一步被配置成在所述刷新信号的所述第二激活之后的所述刷新信号的相同次数的激活之后执行下一目标刷新操作。
7.一种设备，其包括：
多个存储器管芯，其中响应于刷新命令，所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯被配置成执行一或多个刷新操作，其中所述刷新操作中的每个刷新操作可以是第一类型的刷新操作或第二类型的刷新操作，并且其中当所述多个存储器管芯中的最大数量的存储器管芯同时执行刷新操作时，所述多个存储器管芯中的至少一个执行所述第一类型的刷新操作并且所述多个存储器管芯中的至少另一个执行所述第二类型的刷新操作。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯包括多个字线，其中在所述第一类型的刷新操作期间，所述多个字线中的第一数量的字线被刷新，在所述第二类型的刷新操作期间，所述多个字线中的第二数量的字线被刷新，并且其中所述多个字线的所述第一数量大于所述多个字线的所述第二数量。
9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一类型的刷新操作是自动刷新操作，并且所述第二类型的刷新操作是目标刷新操作。
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