用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法技术

技术编号:24712383 阅读:26 留言:0更新日期:2020-07-01 00:36
本公开的实施例涉及用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法。存储器管芯可能需要周期性地执行刷新操作,所述刷新操作可以是自动刷新操作或目标刷新操作。目标刷新操作可能比自动刷新操作消耗更少的电流。当将管芯聚集成一组(例如,存储器堆栈、存储器模块)时,可以使目标刷新操作的时序在不同管芯之间交错,以有助于减少消耗的峰值电流。目标刷新操作可以交错,使得当最大数量的管芯执行刷新操作时,所述管芯中的至少一个执行目标刷新操作而不是自动刷新操作。

【技术实现步骤摘要】
用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法
本公开涉及用于目标刷新操作的设备和方法,特别涉及用于目标刷新操作的时序交错的设备和方法。
技术介绍
信息可以作为物理信号(例如,电容性元件上的电荷)存储在存储器的各个存储器单元上。所述存储器可以是易失性存储器,并且所述物理信号可以随着时间而衰减(这可能破坏存储在存储器单元中的信息或使其降级)。可能需要周期性地刷新存储器单元中的信息,例如通过重写信息以将物理信号恢复到初始值。随着存储器组件尺寸的减小,存储器单元的密度大大增大。可以执行自动刷新操作;在自动刷新操作中,一系列存储器单元被周期性地刷新。对特定存储器单元或存储器单元组的重复访问(通常被称为“行锤”)可能会使附近的存储器单元中数据降级的速率增加。除了自动刷新操作之外,可能期望的是在目标刷新操作中标识并且刷新受行锤影响的存储器单元。所述目标刷新操作可以以在自动刷新操作之间穿插的时序进行。
技术实现思路
本申请的一个方面涉及一种设备,其包括:第一存储器管芯,其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作;和第二存储器管芯,所述第二存储器管芯被配置成响应于所述刷新信号的第二激活而不是所述刷新信号的所述第一激活执行目标刷新操作。本申请的另一方面涉及一种设备,其包括:多个存储器管芯,其中响应于刷新命令,所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯被配置成执行一或多个刷新操作,其中所述刷新操作中的每个刷新操作可以是第一类型的刷新操作或第二类型的刷新操作,并且其中当所述多个存储器管芯中的最大数量的存储器管芯同时执行刷新操作时,所述多个存储器管芯中的至少一个执行所述第一类型的刷新操作并且所述多个存储器管芯中的至少另一个执行所述第二类型的刷新操作。本申请的又一方面涉及一种设备,其包括:接口,其被配置成提供刷新信号;第一存储器管芯,其被配置成响应于所述刷新信号提供第一刷新泵信号的激活,其中所述第一存储器管芯进一步被配置成在所述第一刷新泵信号的第一数量的激活之后执行目标刷新操作;第二存储器管芯,其被配置成响应于所述刷新信号提供第二刷新泵信号的激活,其中所述第二存储器管芯进一步被配置成在所述第二刷新泵信号的第二数量的激活之后执行目标刷新操作,其中所述第二数量不同于所述第一数量。附图说明图1是根据本公开的一个实施例的半导体装置的框图。图2是根据本公开的一个实施例的存储器封装的主/从配置的框图。图3是根据本公开的一个实施例的存储器封装的框图。图4是根据本公开的一个实施例的存储器模块的框图。图5是根据本公开的一个实施例的刷新地址控制电路的框图。图6是根据本公开的一个实施例的行解码器的框图。图7是根据本公开的一个实施例的刷新操作的时序图。图8是根据本公开的一个实施例的刷新泵之间的交错刷新时序的时序图。图9是根据本公开的一个实施例的交错刷新操作的时序图。具体实施方式以下对某些实施例的说明在本质上仅仅是示范性的并且并非旨在以任何方式限制本公开或其应用或用途的范围。在以下对本系统和方法的实施例的详细说明中,对附图进行了参考,所述附图构成详细说明的一部分并且在可以实践所述系统和方法的具体实施例中以说明方式示出。对这些实施例进行了足够详细的说明,以使本领域技术人员能够实践当前公开的系统和方法,并且应当理解,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,可以利用其它实施例并且可以进行结构和逻辑改变。此外,为了清楚起见,当某些特征的详细说明对于本领域技术人员而言显而易见时,将不对它们进行讨论,以免模糊本公开的实施例的说明。因此以下详细说明不应以限制的含义来理解,并且本公开的范围仅由所附权利要求来限定。存储器装置可以包含多个存储器单元。存储器单元可以存储信息,并且可以被组织在字线(行)和位线(列)的交点处。字线和位线可以被组织成存储器库,并且所述存储器装置可以包含至少一个存储器管芯,所述至少一个存储器管芯包含一或多个存储器库。一或多个存储器管芯可以被组织成存储器封装。在一些实施例中,存储器封装的所述存储管芯可以彼此堆叠。在一些实施例中,一或多个存储器封装可以被组织成存储器模块。存储器装置可以接收一或多个命令信号,所述命令信号可以指示在一或多个存储器封装的一或多个管芯中的操作。存储器管芯可以共同耦合到命令信号,可以从主管芯和/或接口芯片接收命令,和/或可以单独接收命令。例如,封装的存储器管芯可以接收刷新信号,所述刷新信号可以控制存储器管芯中的刷新操作的时序。存储器单元中的信息可随时间衰减。可以逐行刷新存储器单元。在刷新操作期间,可以读出一或多个行中的信息,并且然后将其写回到相应的行中。刷新信号(例如,自动刷新信号AREF)可以控制刷新操作的时序。在一些实施例中,存储器装置可以生成一或多个“泵”,所述泵可以是响应于接收到刷新信号的激活的内部刷新信号的激活。存储器管芯可以能够响应于刷新信号和/或刷新泵执行多于一种类型的刷新操作。存储器管芯可以具有确定执行哪种类型的刷新操作的内部逻辑和/或可以(例如,从接口和/或控制器)接收指示应执行哪种类型的刷新操作的信号。一种类型的刷新操作可以是自动刷新操作。响应于自动刷新操作(其可以具有基于自动刷新信号的激活和/或泵的激活的时序),存储器堆栈中的每个管芯可以刷新序列中的存储器的一组多个行,并且然后可以响应于下一自动刷新操作刷新存储器的下一组多个行。自动刷新操作可以循环通过存储器的不同行以防止数据丢失,并且可以以基于存储器单元中的正常数据降级速率的时序刷新每个行。另一种类型的刷新操作可以是目标行刷新操作。对特定存储器行(例如,攻击者行)的重复访问可能导致相邻行(例如,受害者行)中的衰减速率增加,这是由于例如行之间的电磁耦合。受害者行中的信息可能以一定速率衰减,使得如果所述数据在所述行的下一自动刷新操作之前未被刷新,则所述数据可能丢失。为了防止信息丢失,可能有必要标识攻击者行,并且然后执行目标刷新操作;在目标刷新操作中,能够刷新一或多个关联的受害者行。在一些实施例中,目标刷新操作可以“窃取”本将以其它方式用于自动刷新操作的时隙(例如,泵的激活、自动刷新信号的激活)。可能重要的是,在刷新操作期间控制存储器装置消耗的电流量。自动刷新操作可能比目标刷新操作消耗更多的电流,因为与给定目标刷新操作期间相比,可能在给定自动刷新操作期间刷新更多个行。在一些实施例中,太多的存储器管芯同时执行自动刷新操作可以使存储器装置消耗比允许电流量更多的电流。本公开涉及用于交错刷新操作的时序的设备、系统和方法。因为目标刷新操作比自动刷新操作消耗更少的电流,所以可能希望通过让一些管芯替代地执行目标刷新操作来减少同时执行自动刷新操作的存储器管芯的数量。例如,在最大数量的管芯执行刷新操作时的某一时刻,至少一个管芯可以执行目标刷新操作而不是自动刷新操作。在一个示范性实施方案中,每个管芯可以在刷新时序信号(例如,自动刷新信号和/或泵)的不同激活下执行目标刷新操作。因此,响应于刷新时序信号的第一激活,第一存储器管芯可以执行目标刷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备,其包括:/n第一存储器管芯,其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作;和/n第二存储器管芯,所述第二存储器管芯被配置成响应于所述刷新信号的第二激活而不是所述刷新信号的所述第一激活执行目标刷新操作。/n

【技术特征摘要】
20181221 US 16/230,3001.一种设备,其包括:
第一存储器管芯,其被配置成响应于刷新信号的第一激活执行目标刷新操作;和
第二存储器管芯,所述第二存储器管芯被配置成响应于所述刷新信号的第二激活而不是所述刷新信号的所述第一激活执行目标刷新操作。


2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一存储器管芯进一步被配置成响应于所述刷新信号的所述第二激活执行自动刷新操作,并且其中所述第二存储器管芯进一步被配置成响应于所述刷新信号的所述第一激活执行自动刷新操作。


3.根据权利要求2所述的设备,其中当由所述第一存储器管芯或所述第二存储器管芯执行时,所述目标刷新操作比所述自动刷新操作消耗更少的功率。


4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一存储器管芯和所述第二存储器管芯是存储器堆栈的一部分。


5.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括接口,所述接口被配置成当所述设备处于刷新模式时提供所述刷新信号的激活。


6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一存储器管芯进一步被配置成在所述刷新信号的所述第一激活之后的所述刷新信号的多次激活之后执行下一目标刷新操作,并且其中所述第二存储器管芯进一步被配置成在所述刷新信号的所述第二激活之后的所述刷新信号的相同次数的激活之后执行下一目标刷新操作。


7.一种设备,其包括:
多个存储器管芯,其中响应于刷新命令,所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯被配置成执行一或多个刷新操作,其中所述刷新操作中的每个刷新操作可以是第一类型的刷新操作或第二类型的刷新操作,并且其中当所述多个存储器管芯中的最大数量的存储器管芯同时执行刷新操作时,所述多个存储器管芯中的至少一个执行所述第一类型的刷新操作并且所述多个存储器管芯中的至少另一个执行所述第二类型的刷新操作。


8.根据权利要求7所述的设备,其中所述多个存储器管芯中的每个存储器管芯包括多个字线,其中在所述第一类型的刷新操作期间,所述多个字线中的第一数量的字线被刷新,在所述第二类型的刷新操作期间,所述多个字线中的第二数量的字线被刷新,并且其中所述多个字线的所述第一数量大于所述多个字线的所述第二数量。


9.根据权利要求7所述的设备,其中所述第一类型的刷新操作是自动刷新操作,并且所述第二类型的刷新操作是目标刷新操作。

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【专利技术属性】
技术研发人员:J·S·雷赫迈耶
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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