一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备技术

本发明专利技术公开了一种LPCVD石英舟的清理方法，通过将待清理LPCVD石英舟置入高温炉中；在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述LPCVD表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的LPCVD石英舟。本发明专利技术利用氯气在高温下与硅反应生成气态的四氯化硅的特性，将达到一定使用次数的LPCVD石英舟表面的多晶硅层去除，避免了所述多晶硅层积压过多导致应力提升使所述LPCVD石英舟发生隐裂的问题，大大延长了所述LPCVD石英舟的使用寿命，进而降低了TOPCON电池的生产成本。本发明专利技术同时还提供了一种具有上述有益效果的LPCVD石英舟的清理设备。

Cleaning method and equipment of LPCVD quartz boat

【技术实现步骤摘要】
一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备
本专利技术涉及半导体生产设备维护领域，特别是涉及一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备。
技术介绍
近年来，TOPCON高效太阳电池技术飞速发展，引发光伏人的关注，且已实现大规模产业化。TOPCON高效电池相比常规电池增加了遂穿氧化层及多晶硅沉积过程，但多晶硅沉积过程的引用会带来一系列的问题。目前TOPCON高效电池的制备中多晶硅的沉积主要以LPCVD方式为主，载片舟为石英材质。在多晶硅沉积过程中，多晶硅薄膜也不可避免的沉积到载片舟上，且随着工艺时间及次数的增加，载片舟上多晶硅膜的厚度越来越厚。多晶硅与石英之间的晶格失配及热应力作用，导致石英舟发生隐裂甚至断裂，且随着时间的增加，发生隐裂的可能性越大。目前已有多家企业碰到该问题。此问题的增加高效电池的成本，同时给生产造成严重阻碍。因此，如何延长LPCVD石英舟的使用寿命，成了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备，以解决现有技术中LPCVD石英舟使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LPCVD石英舟的清理方法，其特征在于，包括：/n将待清理LPCVD石英舟置入高温炉中；/n在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述LPCVD表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；/n排出废气，得到去除所述多晶硅层的LPCVD石英舟。/n

【技术特征摘要】
1.一种LPCVD石英舟的清理方法，其特征在于，包括：
将待清理LPCVD石英舟置入高温炉中；
在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述LPCVD表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；
排出废气，得到去除所述多晶硅层的LPCVD石英舟。


2.如权利要求1所述的LPCVD石英舟的清理方法，其特征在于，在将待清理LPCVD石英舟置入高温炉中之前，还包括：
对所述待清理LPCVD石英舟进行酸洗。


3.如权利要求1所述的LPCVD石英舟的清理方法，其特征在于，所述高温炉为管式炉。


4.如权利要求3所述的LPCVD石英舟的清理方法，其特征在于，在预设温度下向所述高温炉中通入氯气后，还包括：
对所述待清理LPCVD石英舟表面通过惰性气体进...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨楠楠，金井升，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33