【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合铜箔
本专利技术涉及一种复合铜箔。
技术介绍
印刷电路板所使用的铜箔被要求具备与树脂的密合性。为了提高该密合性,采用通过蚀刻等对铜箔的表面进行粗面化处理从而提高物理的粘接力的方法。然而,伴随印刷电路板的高密度化,开始要求铜箔表面的平坦化。为了满足这样彼此相反的要求,开发了进行氧化工序和还原工序等的铜表面处理方法(WO2014/126193公开公报)。根据该方法,通过对铜箔进行预调理,浸渍于含有氧化剂的药液中,使铜箔表面氧化而形成氧化铜的凹凸,之后通过浸渍于含有还原剂的药液中,使氧化铜还原,从而调整表面的凹凸,调整表面的粗糙度。此外,作为利用氧化还原的铜箔的处理中的密合性的改善方法,开发了在氧化工序中添加表面活性分子的方法(日本特表2013-534054号公报)以及在还原工序后使用氨基噻唑系化合物等在铜箔的表面形成保护被膜的方法(日本特开平8-97559号公报)。另外,开发了如下方法,在使绝缘基板上的铜导体图案的表面粗化而形成了氧化铜层的表面上,形成具有离散分布的金属颗粒的镀敷膜的方法(日本特开2000-151096号公报 ...
【技术保护点】
1.一种复合铜箔,其特征在于:/n其为在铜箔的至少一部分的表面形成有铜以外的金属层的复合铜箔,/n在至少一部分的所述复合铜箔的表面具有凸部,/n在所述复合铜箔的截面,所述凸部的高度为10nm以上1000nm以下。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171110 JP 2017-217777;20180330 JP 2018-0696081.一种复合铜箔,其特征在于:
其为在铜箔的至少一部分的表面形成有铜以外的金属层的复合铜箔,
在至少一部分的所述复合铜箔的表面具有凸部,
在所述复合铜箔的截面,所述凸部的高度为10nm以上1000nm以下。
2.如权利要求1所述的复合铜箔,其特征在于:
在深度6nm处,Cu相对于该处总金属量的比例为80%以下;
在不含氧的深度,Cu相对于该处总金属量的比例为90%以上。
3.如权利要求1或2所述的复合铜箔,其特征在于:
所述凸部的高度为50nm以上500nm以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的复合铜箔,其特征在于:
在所述复合铜箔的截面,高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均存在15个以上100个以下。
5.如权利要求1~4中任一项所述的物体,其特征在于:
在利用扫描电子显微镜得到的截面的摄影像中,以连接凸部两侧的凹部的极小点的线段的中点与凸部的极大点的距离,测定所述凸部的高度。
...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤牧子,铃木理,小畠直贵,小锻冶快允,
申请(专利权)人:纳美仕有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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