提高电子器件在高频频段内的抑制度或隔离度的结构和方法技术

本发明专利技术提供了一种用于滤波器的封装载板，包括：多个导电层；设置在导电层之间的介质层；和绕线电感，绕线电感的一端适于与对应滤波器电连接，绕线电感的另一端电连接多个导电层中的底层导电层；其中：所述封装载板在绕线电感限定的闭合区域或者半闭合区域内，设置有通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的一端电连接底层导电层，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。本发明专利技术还涉及一种提升多工器在高频频段内的抑制度的方法，所述多工器包括设置在封装载板上的多个滤波器，所述滤波器具有并联支路，所述并联支路上串接有并联谐振器以及接地电感，所述方法包括步骤：在至少一个滤波器的接地电感并联连接电容。

Structure and method of improving the suppression system or isolation degree of electronic devices in high frequency band

【技术实现步骤摘要】
提高电子器件在高频频段内的抑制度或隔离度的结构和方法
本专利技术的实施例涉及电子设备的设计及封装领域，尤其涉及一种用于滤波器的封装载板，一种具有滤波器和封装载板的滤波器组件，一种滤波器，一种提升多工器在高频频段内的抑制度的方法，以及一种具有上述的封装载板或滤波器或者滤波器组件的电子设备。
技术介绍
随着射频信号处理芯片发展的日益高速化、小型化、集成化，芯片中的电学抑制度和隔离度问题越发凸显，成为影响芯片电学性能的重要因素。芯片的隔离度指的是射频信号泄漏到其他端口的功率与输入功率之比。如图1示例性所示，Tx端口与Rx端口间存在信号泄漏。实际生产中，为了减小封装厚度与封装尺寸，芯片管芯X1、X2与匹配的封装载板S之间常常通过倒装焊接的方式进行连接，如图2示例性所示。在MEMS射频滤波器芯片中，为了提高带宽或者改善滤波器通带匹配，常常在封装载板的不同金属层绕制金属线形成螺旋电感(即绕线电感)L，如图3示例性所示。然而，绕线电感在射频频段，会向外辐射电磁场，使得绕线电感之间或者绕线电感与其余连接线之间存在着电磁干扰。这些绕制金属线之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于滤波器的封装载板，包括：/n多个导电层；/n设置在导电层之间的介质层；和/n绕线电感，绕线电感的一端适于与对应滤波器电连接，绕线电感的另一端电连接多个导电层中的底层导电层；/n其中：/n所述封装载板在绕线电感限定的闭合区域或者半闭合区域内，设置有通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的一端电连接底层导电层，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于滤波器的封装载板，包括：
多个导电层；
设置在导电层之间的介质层；和
绕线电感，绕线电感的一端适于与对应滤波器电连接，绕线电感的另一端电连接多个导电层中的底层导电层；
其中：
所述封装载板在绕线电感限定的闭合区域或者半闭合区域内，设置有通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的一端电连接底层导电层，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。


2.根据权利要求1所述的封装载板，其中：
所述导体柱在封装载板的厚度方向上延伸穿过所述绕线电感所在的至少一个导电层。


3.根据权利要求1或2所述的封装载板，其中：
所述封装载板适于封装至少两个滤波器。


4.根据权利要求1或2所述的封装载板，其中：
所述滤波器为FBAR滤波器。


5.根据权利要求1或2所述的封装载板，其中：
所述电容的容值在1nF-100nF的范围内。


6.一种滤波器组件，包括：
滤波器，所述滤波器具有并联支路，所述并联支路上串接有并联谐振器以及接地电感；
封装载板，具有多个导电层，导电层之间设置有介质层，
其中：
所述接地电感为设置在封装载板中的绕线电感；
所述封装载板中还设置有穿过电感限定的闭合区域或者半闭合区域的导体柱，所述导体柱一端接地，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。


7.根据权利要求6所述的滤波器组件，其中：
所述滤波器为FBAR滤波器。


8.根据权利要求6或7所述的滤波器组件，其中：
所述电容的容值在1nF-100nF的范围内。


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【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，梁新红，郑云卓，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12