【技术实现步骤摘要】
存储器件及包括其的电子设备相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月19日提交的申请号为10-2018-0165557的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开的实施例总体而言涉及存储器件及包括该存储器件的电子设备，并且更具体地，涉及可变电阻存储器件及包括该可变电阻存储器件的电子设备。
技术介绍
诸如计算机、数码相机或智能电话的电子设备处理数据、包括存储系统。存储系统可以包括用于储存数据的存储器件和用于控制存储器件的控制器。已经开发了各种存储器件以满足高性能、小型化和低功耗的需求。已经提出可变电阻存储器件作为下一代存储器件的示例。可变电阻存储器件可以具有根据施加到存储单元的电压或电流而改变的电阻状态，并且即使在电源关闭时也保持储存在存储单元中的电阻状态。可变电阻存储器件的示例是相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)、电熔丝等。
技术实现思路
根据本公开的一方面，提供了一种包括存储器件的电...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：/n第一存储单元，其被设置在第一导电线和第二导电线的交叉点处，所述第一导电线和所述第二导电线分别在第一方向和第二方向上延伸；/n第二存储单元，其在所述第一方向上与所述第一存储单元间隔开第一距离；/n第三存储单元，其在所述第二方向上与所述第一存储单元间隔开第二距离；/n第一绝缘图案，其被设置在所述第一存储单元与所述第二存储单元之间；以及/n第二绝缘图案，其被设置在所述第一存储单元与所述第三存储单元之间，所述第二绝缘图案具有比所述第一绝缘图案低的导热率。/n
【技术特征摘要】
20181219 KR 10-2018-01655571.一种存储器件，包括：
第一存储单元，其被设置在第一导电线和第二导电线的交叉点处，所述第一导电线和所述第二导电线分别在第一方向和第二方向上延伸；
第二存储单元，其在所述第一方向上与所述第一存储单元间隔开第一距离；
第三存储单元，其在所述第二方向上与所述第一存储单元间隔开第二距离；
第一绝缘图案，其被设置在所述第一存储单元与所述第二存储单元之间；以及
第二绝缘图案，其被设置在所述第一存储单元与所述第三存储单元之间，所述第二绝缘图案具有比所述第一绝缘图案低的导热率。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二存储单元相对于所述第一存储单元具有第一热阻，以及
其中，所述第三存储单元相对于所述第一存储单元具有第二热阻，所述第二距离短于所述第一距离，所述第二热阻等于或大于所述第一热阻。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二存储单元和所述第三存储单元被设置为与所述第一存储单元相邻，以及
其中，所述第二绝缘图案的介电常数低于所述第一绝缘图案的介电常数。
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述第一绝缘图案包括具有第一碳含量的第一氧化物，并且所述第二绝缘图案包括具有第二碳含量的第二氧化物，所述第二碳含量高于所述第一碳含量。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第二距离短于所述第一距离，以及
其中，所述第一碳含量处在从约15wt％至约20wt％的范围中，并且所述第二碳含量处在从约20wt％至约25wt％的范围中。
6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二绝缘图案在垂直于由所述第一方向和所述第二方向限定的平面的第三方向上延伸，并且填充所述第一存储单元的第一侧壁与所述第三存储单元的第二侧壁之间的空间，所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此面对。
7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一存储单元、所述第二绝缘图案和所述第三存储单元在所述第一方向上具有基本相同的宽度。
8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一绝缘图案在所述第二方向上延伸以覆盖所述第一存储单元的侧壁、所述第二绝缘图案的侧壁和所述第三存储单元的侧壁。
9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一存储单元、所述第二存储单元和所述第三存储单元中的每个具有在所述第一方向上的第一宽度和在所述第二方向上的第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。
10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一存储单元、所述第二存储单元和所述第三存储单元中的每个包括选择器件层和可变电阻器件层。
11.一种存储器件，包括：
多个第一导电线，每个第一导电线在第一方向上延伸；
多个第二导电线，每个第二导电线在第二方向上延伸；
多个存储单元，其被设置在所述多个第一导电线和所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜大建，康铉石，安德来，吴在根，周元基，蔡洙振，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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