一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法技术

本发明专利技术提供了一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法。本方法在原来泡发射工艺基础上将扩散温度提高到了1150±20℃，通源时间减少到2～3分钟。另外，利用铝板散热快的特点，将发射区磷扩散完后的硅片在铝板上得到了快速降温。在集成电路生产中，本改进工艺可以做出浅结、反向电流放大系数较小即反向漏电流较小的晶体管，满足了电路要求，提高电路性能。

A method of bubble emission phosphorus diffusion to reduce reverse amplification of triode

【技术实现步骤摘要】
一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法
本专利技术涉及双极集成电路和晶体管制造工艺
，尤其在双极数字集成电路生产中减小三极管反向放大倍数的方法。
技术介绍
三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，起作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元器件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管的性能会影响到TTL数字集成电路的性能。有些电路对三极管的反向放大倍数要求很小，小于0.3，一般工艺很难满足。目前双极集成电路生产中扩散多分为两步；第一步为预沉积，第二步为再分布。扩散又分为硼扩散和磷扩散。硼扩散可以形成三极管的基区，磷扩散可以形成三极管的集电区和发射区。在这几道扩散工艺中，发射区磷扩散显的格外重要，因为它不仅控制着晶体管的放大倍数β，而且对晶体管的反向电流放大倍数也有很大的影响。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法，其特征是：采用如下步骤、条件：/n(1)磷扩散/n炉温：1150℃±20℃；/n源温：18±2℃；/n扩散源：POCl

【技术特征摘要】
1.一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法，其特征是：采用如下步骤、条件：
(1)磷扩散
炉温：1150℃±20℃；
源温：18±2℃；
扩散源：POCl3；
大N2流量：250±10毫升/分；
小N2流量：80±10毫升/分；
O2流量：110±10毫升/分；
扩散时间：2.5～3.5分的氮氧升温+2～3分的通源+1～1.5分的关源；
关源时间到了后，将载有硅片的石英舟在炉管内快速拉出，然后将硅片放于铝板...

【专利技术属性】
技术研发人员：高彦平，张锦春，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62