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本发明提供了一种减小三极管反向放大倍数的泡发射磷扩散工艺方法。本方法在原来泡发射工艺基础上将扩散温度提高到了1150±20℃，通源时间减少到2～3分钟。另外，利用铝板散热快的特点，将发射区磷扩散完后的硅片在铝板上得到了快速降温。在集成电路生...
该专利属于天水天光半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过天水天光半导体有限责任公司授权不得商用。

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