【技术实现步骤摘要】
一种电介质薄膜及其制备方法和应用
本文涉及有机薄膜电介质电容器技术，尤指一种电介质薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
薄膜电容器作为重要的电气和电子元器件，在众多领域应用广泛，可以滤波和平滑整流后的直流电压，也可以起到直流支撑等功能，是关键部件之一，薄膜电容器性能的提高对电气和电子元器件的进一步发展至关重要。电介质材料的特性是决定电容器性能的最重要的因素。当前，电容器用薄膜主要是双轴拉伸聚丙烯(BOPP)，作为线性电介质的优点是介电损耗小，击穿场强高。但其较低的介电常数(约2.2)限制了其单位体积电容量和储能特性，另外它的耐温性能较差，原因是其熔点(165℃)和结晶温度(140℃)均较低。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种电介质薄膜及其制备方法和应用，具体为一种高温电容器用聚芳硫醚砜介质薄膜的制备方法，能够弥补已有技术的缺陷。本专利技术产品具有如下特点：制备方法较易、易推广、实用性强，可以使薄膜电容器电介质的单位体积电容量、储能特性和耐温性能大大提高。聚芳硫醚砜在常温下...
【技术保护点】
1.一种电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜包含聚芳硫醚砜。/n
【技术特征摘要】
1.一种电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜包含聚芳硫醚砜。
2.根据权利要求1所述的电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜的厚度为5-30μm。
3.根据权利要求1所述的电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜的介电常数为3.8-4.3。
4.根据权利要求1或2所述的电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜的击穿场强为350MV/m-430MV/m。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜的制备方法为熔融法；
可选地，所述熔融法包括以下步骤，将聚芳硫醚砜在熔融状...
【专利技术属性】
技术研发人员：党智敏，郑明胜，
申请(专利权)人：清华大学，国网北京市电力公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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