一种占空比大于50%双管正激有源钳位电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，电源正极输入端与电源负极输入端分别连接电容C1两端，电源正极输入端还连接功率开关管Q1的电流输入端、整流二极管D3的阴极，功率开关管Q1的电流输出端连接整流二极管D1的阴极、功率开关管Q2的电流输入端、变压器T初级绕组一端，功率开关管Q2的电流输出端串联电容C2后与变压器T初级绕组另一端、功率开关管Q3的电流输入端、整流二极管D2的阳极连接，整流二极管D2的阴极连接功率开关管Q4的电流输入端、电容C3的一端，功率开关管Q4的电流输出端连接整流二极管D3的阳极，整流二极管D1的阳极、功率开关管Q3的电流输出端、电容C3的另一端连接电源负极输入端；变压器T的次级绕组连接电源输出端。

A dual transistor forward active clamp circuit with duty cycle greater than 50%

【技术实现步骤摘要】
一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路
本技术涉及开关电源电路领域，具体涉及一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路。
技术介绍
在正激变换中，变压器为单向象限运行，变压器利用率只有一半。在有源钳位正激变换电路，虽然提高了变压器的利用率，但功率管承受的电压应力较高，为输入电压的两倍以上。双管正激有源电路虽然解决了上述问题，但是占空比最大只能为50％，输入宽范围或输出宽范围中应用中存在问题。
技术实现思路
本技术针对现有技术中存在的技术问题，提供一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路。本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，包括电容C1、电容C2、电容C3、整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、功率开关管Q1、功率开关管Q2、功率开关管Q3、功率开关管Q4、变压器T，电源正极输入端与电源负极输入端分别连接所述电容C1的两端，所述电源正极输入端还连接所述功率开关管Q1的电流输入端，所述功率开关管Q1的电流输出端连接所述变压器T的初级绕组一端，所述变压器T的初级绕组另一端分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电容C3、整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、功率开关管Q1、功率开关管Q2、功率开关管Q3、功率开关管Q4、变压器T，电源正极输入端与电源负极输入端分别连接所述电容C1的两端，所述电源正极输入端还连接所述功率开关管Q1的电流输入端，所述功率开关管Q1的电流输出端连接所述变压器T的初级绕组一端，所述变压器T的初级绕组另一端分别连接所述整流二极管D2的阳极以及所述功率开关管Q3的电流输入端，所述变压器T的次级绕组连接到电源输出端，所述整流二极管D2的阴极串联所述电容C3后连接到所述电源负极输入端，所述功...

【技术特征摘要】
1.一种占空比大于50％双管正激有源钳位电路，其特征在于，包括电容C1、电容C2、电容C3、整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、功率开关管Q1、功率开关管Q2、功率开关管Q3、功率开关管Q4、变压器T，电源正极输入端与电源负极输入端分别连接所述电容C1的两端，所述电源正极输入端还连接所述功率开关管Q1的电流输入端，所述功率开关管Q1的电流输出端连接所述变压器T的初级绕组一端，所述变压器T的初级绕组另一端分别连接所述整流二极管D2的阳极以及所述功率开关管Q3的电流输入端，所述变压器T的次级绕组连接到电源输出端，所述整流二极管D2的阴极串联所述电容C3后连接到所述电源负极输入端，所述功率开关管Q3的电流输出端连接所述电源负极输入端；所述功率开关管Q1的电流输出端还连接所述功率开关管Q2的电流输入端，所述功率开关管Q2的电流输出端串联所述电容C2后、连接到所述整流二极管D2与所述功率开关管Q3的公共节点；所述整流二极管D1的阳极连接电源负极输入端，所述整流二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：石带军，
申请(专利权)人：武汉艾德杰电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42