【技术实现步骤摘要】
一种适用于表面处理电源的半同步整流电路
：本技术涉及电子领域，具体来说涉及一种适用于表面处理电源的半同步整流电路。
技术介绍
：肖特基二极管整流电路，电路拓扑简单,控制简单。由于采用肖特基二极管整流,在电路原理上可以避免反灌,同时也可以防反压,而且二极管无需控制,大大简化了电路；在中小功率高电压输出，比如12V、15V输出应用中,二极管的损耗就相对很小但同时由于肖特基二极管压降比较大,对于低压大电流应用中,肖特基二极管的损耗也就相对比较大了,模块效率会比较低,散热比较困难,不适合应用在这种条件下。为了克服低压大电流应用中由二极管带来的损耗,整流管和续流管采用MOS管,即采用同步整流电路,由于MOS管压降远小于肖特基二极管的压降,故同步整流的副边损耗可以大大降低,从而大大提高了模块的效率。但由于MOS管需要驱动,这就需要増加控制电路,而这也带来了相关的问题,比如反灌、反压问题。半同步整流电路副边整流管采用MOS管、续流管采用肖特基整流管，整流管与原边主MOS管同步控制，由于整流管采用了MOS管，这样可以降低整流...
【技术保护点】
1.一种适用于表面处理电源的半同步整流电路，其特征在于：所述适用于表面处理装置的半同步整流电路包括交流电输入、功率MOS管Q1、高频变压器模块T1、MOS管Q2、肖特基二极管D1和D2、储能电感L1、滤波电容C1、C2、C3、C4、C5、电阻R1、R2、R3；所述交流电经过滤波后一端连接高频变压器T1的节点1，所述交流电另一端分别连接功率MOS管Q1的控制端和与MOS管并联的电容C1，所述功率MOS管Q1连接高频变压器的节点3，高频变压器的节点2连接MOS管Q2，节点6和节点8为驱动绕组，电阻R1的一端连接变压器的节点6，另一端连接MOS管Q2的控制端，变压器节点2与节点8...
【技术特征摘要】
1.一种适用于表面处理电源的半同步整流电路，其特征在于：所述适用于表面处理装置的半同步整流电路包括交流电输入、功率MOS管Q1、高频变压器模块T1、MOS管Q2、肖特基二极管D1和D2、储能电感L1、滤波电容C1、C2、C3、C4、C5、电阻R1、R2、R3；所述交流电经过滤波后一端连接高频变压器T1的节点1，所述交流电另一端分别连接功率MOS管Q1的控制端和与MOS管并联的电容C1，所述功率MOS管Q1连接高频变压器的节点3，高频变压器的节点2连接MOS管Q2，节点6和节点8为驱动绕组，电阻R1的一端连接变压器的节点6，另一端连接MOS管Q2的控制端，变压器节点2与节点8相连接，高频变压器T1的节点5和节点7为辅助电源绕组，所述MOS管Q2连接肖特基二极管D1、D2的负极和电阻R2与R3、储能电感L1，所述肖特基二极管D1、D2的正极连接高频变压器T1的节点4和电容C3、C4、C5，所述储能电感L1连接正向输出和电容C4、C5，所述电容C4、C5的另一端连接输出的负极。
2.根据权利要求1所述的适用于表面处理电源的半同步整流电路，其特征在于：所述MOS管Q1连接变压器节点3，通过驱动电路来给电路提供一个开关信号。
3.根据权利要求1所述的适用于表面处理电源的半同步整流电路，其...
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