【技术实现步骤摘要】
光电子装置及其阵列
本专利技术涉及一种具有弯曲波导的高速光电子装置,所述弯曲波导均在同一方向上弯曲。
技术介绍
在常规光电子装置中,输入波导将装置的第一边缘上的小平面耦合到光学活性区域。输出波导接着将光学活性区域耦合到装置的第二边缘上的小平面,所述第二边缘整体上与所述第一边缘对置。这是因为将曲率引入到波导中会大大增加由经由波导的传输引起的信号损失。然而,这些装置更难以混合集成到硅中,并且在呈阵列形式时需要更长的驱动器互连长度,这是因为活性区域不能位于装置的边缘附近。
技术实现思路
本专利技术提供一种利用弯曲波导的光电子装置,所述弯曲波导由带隙不同于光学活性区域的材料形成。所述光电子装置可以具有高速光电子部分,并且可以通过短迹线路连接到例如ASIC的电子芯片。较短的迹线能够有利地导致更快的操作。因此,在第一方面中,本专利技术提供一种光电子装置,所述光电子装置包括:光学活性区域,所述光学活性区域具有用于在所述光学活性区域上施加电场的电极布置;第一弯曲波导,所述第一弯曲波导被布置成引导光进入所述光学活性区域中;和第二弯曲波导,所述第二弯曲波导被布置成引导光离开所述光学活性区域;其中所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导由带隙不同于所述光学活性区域的带隙的材料形成,并且其中由所述第一弯曲波导、所述光学活性区域和所述第二弯曲波导形成的总引导路径是U形的。换句话说,所述第一弯曲波导、所述第二弯曲波导和所述光学活性材料一起形成波导U形弯道。所述光学活性区域和所述电极布置一起充当高速光电子部分,所述高 ...
【技术保护点】
1.一种光电子装置,其特征在于,所述光电子装置包括:/n光学活性区域,所述光学活性区域具有用于在所述光学活性区域上施加电场的电极布置;/n第一弯曲波导,所述第一弯曲波导被布置成引导光进入所述光学活性区域中;以及/n第二弯曲波导,所述第二弯曲波导被布置成引导光离开所述光学活性区域;/n其中所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导由带隙不同于所述光学活性区域的带隙的材料形成,并且其中由所述第一弯曲波导、所述光学活性区域和所述第二弯曲波导形成的总引导路径是U形的。/n
【技术特征摘要】
20180406 GB 1805782.81.一种光电子装置,其特征在于,所述光电子装置包括:
光学活性区域,所述光学活性区域具有用于在所述光学活性区域上施加电场的电极布置;
第一弯曲波导,所述第一弯曲波导被布置成引导光进入所述光学活性区域中;以及
第二弯曲波导,所述第二弯曲波导被布置成引导光离开所述光学活性区域;
其中所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导由带隙不同于所述光学活性区域的带隙的材料形成,并且其中由所述第一弯曲波导、所述光学活性区域和所述第二弯曲波导形成的总引导路径是U形的。
2.根据权利要求1所述的光电子装置,其特征在于,所述第一弯曲波导和/或所述第二弯曲波导形成为量子阱互混或再生长波导。
3.根据权利要求2所述的光电子装置,其特征在于,所述第一弯曲波导与所述第二弯曲波导之间的最大距离不大于250μm。
4.根据权利要求3所述的光电子装置,其特征在于,所述第一弯曲波导和/或所述第二弯曲波导的曲率半径小于100μm。
5.根据权利要求4所述的光电子装置,其特征在于,所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导各自弯曲90°的角度。
6.根据权利要求5所述的光电子装置,其特征在于,所述电极布置还包括第一电极和第二电极,所述电极安置在所述光学活性区域的第一侧上并且电连接到所述光学活性区域。
7.根据权利要求6所述的光电子装置,其特征在于,所述第一电极是信号电极,并且所述第二电极是接地电极。
8.根据权利要求7所述的光电子装置,其特征在于,所述光电子装置还包括第三电极,所述第三电极是第二接地电极。
9.根据权利要求8所述的光电子装置,其特征在于,所述光电子装置被配置成作为电吸收调制器操作。
10.根据权利要求9所述的光电子装置,其特征在于,所述第一弯曲波导和所述第二弯曲波导是低损耗无源波导。
11.根据权利要求10所述的光电子装置,其特征在于,所述第一弯曲波导和/或所述第二弯曲波导是深刻蚀波导。
12.根据权利要求11所述的光电子装置,其特征在于,所述深刻蚀波导由磷化铟形成。
13.根据权利要求12所述的光电子装置,其特征在于,所述光电子装置还包括:
输入波导,所述输入波导耦合到所述第一弯曲波导或作为所述第一弯曲波导的延续部分提供;以及
输出波导,所述输出波导耦合到所述第二弯曲波导或作为所述第二弯曲波导的延续部分提供;
其中所述输入波导和所述输出波导中的每一者具有邻近于所述光电子装置的第一边缘的末端。
14.根据权利要求13所述的光电子装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:AJ齐尔基,A麦基,P斯里尼瓦桑,
申请(专利权)人:洛克利光子有限公司,复合半导体技术环球有限公司,
类型:新型
国别省市:英国;GB
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