一种封装胶膜及其制备方法技术

技术编号:24668770 阅读:45 留言:0更新日期:2020-06-27 04:42
本发明专利技术公开了一种封装胶膜及其制备方法。该封装胶膜包括阻隔层和抗腐蚀层,所述阻隔层包括基体树脂和阻水剂,所述阻水剂为含有能与水形成氢键的官能团的化合物Ⅰ或能与水发生化合反应的化合物Ⅱ或能吸附水形成结晶水的化合物Ⅲ;所述抗腐蚀层包括基体树脂和抗腐蚀助剂,所述抗腐蚀助剂的比表面积为70~180m

A kind of encapsulation film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种封装胶膜及其制备方法
本专利技术属于光伏组件封装领域,特别是涉及一种封装胶膜及其制备方法。
技术介绍
光伏组件在高温、高湿及光照的条件下使用时,湿气或水逐渐深入组件内部,在光和热的作用下,EVA发生NorrishtypeⅡ脱乙酰反应,产生醋酸。在醋酸存在的环境下,锡铜焊带的两种金属之间形成电势电位差,电势电位低的金属将被腐蚀。涂锡铜焊带中两种金属的标准电极电位分别是Sn2+:-0.136V,Pb2+:-0.126V,两者电位虽然相近,但仍可能发生电化学腐蚀使涂锡铜焊带黄变。另外,EVA交联一般由过氧化物引发,由于层压工艺的限制,组件不可避免地有过氧化物的残留,当EVA胶膜的醋酸含量累积过高时,醋酸与EVA中残留的过氧化物交联剂反应,形成氢过氧化物,氢过氧化物活性较高,与之接触的银被腐蚀成黑色的氧化银,晶体硅电池表面的银栅线被氧化而变黑。醋酸还能腐蚀电池的铝背场,降低铝背场与硅片的附着力,严重影响电池的电性能,降低组件的输出功率,组件的耐久性也降低。因此,为了防止组件内部焊带、汇流条和金属栅线等的腐蚀,同时保持组件输出功率的稳定,延长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装胶膜,包括阻隔层和抗腐蚀层,所述阻隔层包括基体树脂和阻水剂,基体树脂与阻水剂的质量比为100:0.1~15,所述阻水剂为含有能与水形成氢键的官能团的化合物Ⅰ或能与水发生化合反应的化合物Ⅱ或能吸附水形成结晶水的化合物Ⅲ;所述阻隔层的水汽透过率低于3.0g/m

【技术特征摘要】
1.一种封装胶膜,包括阻隔层和抗腐蚀层,所述阻隔层包括基体树脂和阻水剂,基体树脂与阻水剂的质量比为100:0.1~15,所述阻水剂为含有能与水形成氢键的官能团的化合物Ⅰ或能与水发生化合反应的化合物Ⅱ或能吸附水形成结晶水的化合物Ⅲ;所述阻隔层的水汽透过率低于3.0g/m2▪24h;所述抗腐蚀层包括基体树脂和抗腐蚀助剂。


2.根据权利要求1所述的一种封装胶膜,其特征在于,所述抗腐蚀层的基体树脂和抗腐蚀助剂的质量比为100:0.001~40。


3.根据权利要求1所述的一种封装胶膜,其特征在于,所述化合物Ⅰ的官能团包括酰胺基、醛基、羟基、羰基、羧基、巯基、缩醛基、酯基、醚基、硅氧基中的一种或多种。


4.根据权利要求1所述的一种封装胶膜,其特征在于,所述化合物Ⅱ为氧化钡、氧化钙、氧化镁中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的一种封装胶膜,其特征在于,所述化合物Ⅲ为硫酸钙、硫酸锌、硫酸铜、硫酸镁、氯化钙中的一种或多种。


6.根据权利要求1所述的一种封装胶膜,其特征在于,所述抗腐蚀助剂为金属氧化物、氢氧化物、金属碳酸盐或双金属氢氧化物中的一种或多种,所述抗腐蚀助剂的比表面积为70~180m2/g。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏梦娟穆丹华周光大
申请(专利权)人:杭州福斯特应用材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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