一种高纯砷升华装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种高纯砷升华装置，所述升华装置包括冷却系统、加热系统、升华炉、沉积系统、抽真空系统；所述升华炉包括炉体、冷凝内胆和熔料室，所述熔料室设置在所述炉体底部，所述熔料室开口朝上，所述冷凝内胆开口朝下，所述冷凝内胆下端开口处与所述熔料室上端开口处可拆卸密封连接，所述冷凝内胆顶部开口并设置有与所述内胆顶部开口配合的内胆上盖，所述冷凝内胆和熔料室均设置于所述炉体内，所述炉体顶部通过管路与所述沉积系统连通，所述抽真空系统与所述沉积系统管路连通；所述加热系统的温度可调控。本实用新型专利技术的高纯砷升华装置还具有产能大、运行稳定、安全风险低、成本低，易于规模化生产、操作简单的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯砷升华装置
本技术属于砷提纯化工设备
，具体涉及一种高纯砷升华装置。
技术介绍
高纯砷主要用于制备GaAs，InAs等半导体材料及硅、锗单晶掺杂剂。砷的提纯方法比较常用的方法是氯化-精馏-H:还原法，但是氯化原料中存在很多杂质和无法氯化的物料，尤其是泥沙，严重影响到氯化及后面的精馏和还原。现有的技术中有利用砷的升华特性进行砷的提纯，申请号为201520521685.4的技术专利公开了一种用于高氯砷生产的真空升华装置，装置包括：真空罐；所述真空罐内腔中设置有储料容器、沉积管和冷凝罩；所述储料容器设置在真空罐内腔底部，开口朝上；所述沉积管设置在储料容器上方，所述沉积管的进料端与所述储料容器的开口端相接触，且所述沉积管的出料端外壁设置有挡板；所述冷凝罩开口朝下，且所述冷凝罩通过挡板支撑在沉积管的出料端，该装置利用沉积管回收砷，但是该装置使得原料砷升华为蒸汽，蒸汽中的高沸杂质在沉积管下部沉积，蒸汽中的砷在沉积管中部沉积，蒸汽中的低沸杂质一部分在沉积管上部沉积，另一部分通过沉积管后在冷凝罩中沉积，所有的蒸汽均冷凝在了沉积管中，使得的中部沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯砷升华装置，其特征在于，所述升华装置包括冷却系统、加热系统、升华炉、沉积系统、抽真空系统；/n所述升华炉包括炉体、冷凝内胆和熔料室，所述熔料室设置在所述炉体底部，所述熔料室开口朝上，所述冷凝内胆开口朝下，所述冷凝内胆下端开口处与所述熔料室上端开口处可拆卸密封连接，所述冷凝内胆顶部开口并设置有与所述内胆顶部开口配合的内胆上盖，所述冷凝内胆和熔料室均设置于所述炉体内，所述炉体顶部通过管路与所述沉积系统连通，所述抽真空系统与所述沉积系统管路连通；/n所述加热系统包括控温装置、加热套和测温装置，所述加热套位于所述熔料室对应的位置，所述测温装置具有温度探头，所述测温装置的温度探头设置于熔料室...

【技术特征摘要】
1.一种高纯砷升华装置，其特征在于，所述升华装置包括冷却系统、加热系统、升华炉、沉积系统、抽真空系统；
所述升华炉包括炉体、冷凝内胆和熔料室，所述熔料室设置在所述炉体底部，所述熔料室开口朝上，所述冷凝内胆开口朝下，所述冷凝内胆下端开口处与所述熔料室上端开口处可拆卸密封连接，所述冷凝内胆顶部开口并设置有与所述内胆顶部开口配合的内胆上盖，所述冷凝内胆和熔料室均设置于所述炉体内，所述炉体顶部通过管路与所述沉积系统连通，所述抽真空系统与所述沉积系统管路连通；
所述加热系统包括控温装置、加热套和测温装置，所述加热套位于所述熔料室对应的位置，所述测温装置具有温度探头，所述测温装置的温度探头设置于熔料室内，所述控温装置与所述测温装置电连接，所述控温装置与加热套电连接，所述测温装置将探测到的熔料室内温度反馈至所述控温装置，所述控温装置根据熔料室内温度控制所述加热套的加热温度；
所述冷却系统包括冷却夹套，所述冷却夹套位于所述冷凝内胆外部。


2.根据权利要求1的高纯砷升华装置，其特征在于，所述冷凝内胆由钛制备而成，所述冷凝内胆内壁均匀涂覆有二氧化钛纳米颗粒，所述二氧化钛纳米颗粒的粒径为10nm-200nm。


3.根据权利要求1的高纯砷升华装置，其特征在于，所述加热套可拆卸的固定在所述熔料室外部。


4.根据权利要求1的高纯砷升华装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周声万，吴伟平，林益剑，刘留，曾小东，郭金伯，
申请(专利权)人：广东长信精密设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44