【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于D类放大器的负载电流感测电路相关申请的交叉引用本延续专利申请要求于2017年11月17日提交并题为“LOADCURRENTSENSINGCIRCUITFORCLASS-DAMPLIFIER”的美国专利申请No.15/817,091的优先权和权益,所述申请于2018年9月25日作为美国专利No.10,085,089发布,所述专利通过引用以其整体并入于此。
本专利技术总体上涉及信号处理,并且更特定地,涉及感测在开关放大器输出级的电流。
技术介绍
诸如膝上型笔记本、笔记本平板、MP3播放器和智能手机的许多现代设备都使用微型扬声器。在许多应用中,这些设备利用开关放大器来有效地提供音频信号的放大。在一个示例中,开关放大器可以提供二十瓦的功率来放大音频信号并驱动扬声器。由于在这种设备中使用的微型扬声器的限制,可以测量到扬声器的电流以帮助防止对扬声器的物理损坏和其他不希望的影响。因此,存在持续的需求来改进由开关放大器提供给扬声器的电流的测量,以便于保护扬声器免受损坏。
技术实现思路
本公开提供了解决本领域中对由开关放大器提供给负载的电流的改进感测的需求的系统和方法。本公开的范围由权利要求所限定,所述权利要求通过引用并入到本节中。通过考虑对一个或多个实施例的以下详细描述,本领域技术人员将被给予对本公开的实施例的更全面理解,并且实现其附加优点。将对首先被简要描述的附图的附加页做出参考。附图说明图1示出了根据本公开的实施例的示例性音频编解码器。图2示出了根据本公开的 ...
【技术保护点】
1.一种系统,包括:/n在源极端子处耦合到负载的第一晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第一晶体管开关的栅极端子的第一脉宽调制控制信号来传导所述负载中的电流;/n在漏极端子处耦合到所述负载的第二晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第二晶体管开关的栅极端子的第二脉宽调制控制信号来传导所述负载中的电流,其中所述第二晶体管开关的所述漏极端子耦合到所述第一晶体管开关的所述源极端子;以及/n在所述负载和所述电流感测电路之间耦合的取样与保持电路,其可操作以响应于第二脉宽调制控制信号时间段的中点在预定的取样时间段内对在所述第二晶体管开关的所述漏极端子处的电压进行取样,并且可操作以向所述电流感测电路提供所述取样电压。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171117 US 15/8170911.一种系统,包括:
在源极端子处耦合到负载的第一晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第一晶体管开关的栅极端子的第一脉宽调制控制信号来传导所述负载中的电流;
在漏极端子处耦合到所述负载的第二晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第二晶体管开关的栅极端子的第二脉宽调制控制信号来传导所述负载中的电流,其中所述第二晶体管开关的所述漏极端子耦合到所述第一晶体管开关的所述源极端子;以及
在所述负载和所述电流感测电路之间耦合的取样与保持电路,其可操作以响应于第二脉宽调制控制信号时间段的中点在预定的取样时间段内对在所述第二晶体管开关的所述漏极端子处的电压进行取样,并且可操作以向所述电流感测电路提供所述取样电压。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述取样与保持电路可操作以在多个连续的第二脉宽调制控制信号时间段中的每个的所述中点处取样所述漏极电压,以提供多个连续的取样电压。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述取样与保持电路还包括触发电路,所述触发电路可操作以触发所述取样与保持电路在所述多个连续的第二脉宽调制控制信号时间段中的每个的所述中点处取样所述漏极电压。
4.根据权利要求2所述的系统,其中所述取样与保持电路可操作以对所述多个连续的取样电压中的两个或更多个进行平均,以生成平均的取样电压,并且其中所述取样与保持电路还可操作以在所述预定取样时间段内将所述平均的取样电压提供给所述电流感测电路。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述电流感测电路是电流镜电路,其中所述取样与保持电路还可操作以向所述电流镜电路提供在所述预定取样时间段内的所述平均的取样电压,并且其中所述电流镜电路可操作以响应于所述平均的取样电压感测流经所述负载的电流。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述电流感测电路耦合到扬声器保护电路,所述电流感测电路可操作以向所述扬声器保护电路提供对应于所述感测的电流的数字化信号,其中所述扬声器保护电路可操作以调整所述第一和第二脉宽调制控制信号的频率,以在所述负载中的所述电流超过上限电流阈值时减少流经所述负载的电流。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述负载包括扬声器。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一和第二晶体管开关包括D类放大器H桥输出级。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关包括n沟道横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.根据权利要求1所述的系统,所述系统还包括:
在源极端子处耦合到所述负载的第三晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第三晶体管开关的栅极端子的第三脉宽调制控制信号来传导所述负载中的所述电流;
在漏极端子处耦合到所述负载的第四晶体管开关,其可操作以响应于耦合到所述第四晶体管开关的栅极端子的第四脉宽调制控制信号来传导所述负载...
【专利技术属性】
技术研发人员:申旦,L克雷斯皮,D卡塔塞纳,
申请(专利权)人:辛纳普蒂克斯公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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