一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，包括：(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底，后用二次纯水洗净，在室温环境下用氮气吹干；(b)称量CuSO

A preparation method of cuprous oxide film with narrow band gap

【技术实现步骤摘要】
一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法
本专利技术属于新能源材料
，具体涉及一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法。
技术介绍
氧化亚铜(Cu2O)不仅成本低，还具有原材料丰富、环境友好等优点，在太阳能电池、传感器、磁器件和光催化等方面具有广泛的应用前景。通常氧化亚铜是一种非常重要的p-型半导体材料，其采用的制备技术对薄膜的微观结构及光电特性有较大的影响。随制备方法的不同，其导电类型(n型和p型)和禁带宽度(1.9～2.4eV之间)有所不同。主要的制备技术有热氧化、磁控溅射、电化学沉积、脉冲激光沉积和原子层沉积等，不同的制备方法都有其自身的优缺点。太阳能电池的吸收层材料，其禁带宽度最佳值约1.5eV时能吸收波长小于826nm的光谱，光吸收范围宽。氧化亚铜作为太阳能电池的光吸收层材料，其理论转换效率高，但由于禁带宽度较宽，大于太阳能电池的最佳值而存在光吸收不太理想的缺点，从而导致实际转换效率较低。因此，对于太阳电池的应用，选择合适的技术调控Cu2O薄膜材料的禁带宽度改善光吸收率尤为关键。专利技术人前期在文献“SongY,Ic本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底10～20min，后用二次纯水洗净，在室温环境下用氮气吹干；/n(b)称量0.2M的CuSO

【技术特征摘要】
1.一种禁带宽度可缩小的氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)依次采用无水乙醇、丙酮清洗ITO衬底10～20min，后用二次纯水洗净，在室温环境下用氮气吹干；
(b)称量0.2M的CuSO4溶于20ml二次纯水中并加入1.6M的乳酸，再用KOH溶液调节使所配溶液的pH值为11.5～13.5；
(c)电化学工作站-三电极体系进行电化学沉积，以ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极；
(d)控制溶液温度为4...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋瑛，杨建林，王学雷，
申请(专利权)人：辽宁工程技术大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21