【技术实现步骤摘要】
Si-P膜层材料的制备方法
本专利技术涉及电气元件
,特别涉及一种Si-P膜层材料的制备方法。
技术介绍
全球性的能源短缺和环境危机产生以来,人们对可再生能源的需求日益迫切。锂离子电池作为新一代的清洁、环保、可再生二次能源,由于具有可逆容量高、工作电位高、自放电小以及工作温度范围宽等诸多优点,已引起了高度的关注。目前对锂离子电池的研究主要集中在正极材料的开发、应用及改性等方面,而对同样决定着锂离子电池性能的负极材料的研究相对较少而略显滞后。因此,高容量负极材料的研究和开发将是提升锂离子动力电池性能的关键因素之一。近年来报道了Sn、Sb、Si等多种极具发展前景的新型负极材料,其中Si材料的理论容量高达4200mAh/g,是目前储锂容量最高的材料。因此Si被认为是最理想的锂离子动力电池负极材料之一。迄今为止Si材料并没有得到大规模广泛应用,其主要原因是:Li+嵌入Si的过程中,满电状态下形成Li22Si5合金相,Si材料的体积变化达到300%以上,巨大的体积效应将使电极粉化并从集流体上脱落,丧失了与集流体的电接触。 ...
【技术保护点】
1.一种Si-P膜层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将乙腈与四乙基氯化铵混合制成基础电解液,加入硅源和磷源后进行电沉积,从金属Ni基底电极表面即可获得所述Si-P膜层材料。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种Si-P膜层材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将乙腈与四乙基氯化铵混合制成基础电解液,加入硅源和磷源后进行电沉积,从金属Ni基底电极表面即可获得所述Si-P膜层材料。
2.根据权利要求1所述的Si-P膜层材料的制备方法,其特征在于,所述硅源选自三氯氢硅、四氯化硅、三溴氢硅或四溴化硅。
3.根据权利要求2所述的Si-P膜层材料的制备方法,其特征在于,所述三氯氢硅的浓度为2.5~8mol/L;所述四氯化硅的浓度为0.5~5mol/L;所述三溴氢硅的浓度为2~5mol/L;所述四溴化硅的浓度为1~10mol/L。
技术研发人员:周琼宇,李媛媛,王小芬,
申请(专利权)人:佛山科学技术学院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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