一种CuFeO制造技术

本发明专利技术公开了一种CuFeO

A cufeo

【技术实现步骤摘要】
一种CuFeO2光电极的电化学制备方法
本专利技术涉及光电材料
，具体涉及一种CuFeO2光电极的电化学制备方法。
技术介绍
铜铁矿结构CuMO2（其中M为三价金属中的任意一种）为p型三元氧化物，其性质稳定，光谱响应范围宽，在光电器件、催化及能源领域具有广阔的应用前景。其中，CuFeO2是一种窄带隙半导体材料，具有较高的光吸收系数，并且材料无毒性、元素含量丰富、成本低廉；在水溶液中表现出优异的化学稳定性，溶液pH对其平带电位无影响。另外，CuFeO2是为数不多的p型金属氧化物，其导电电势高于CO2的还原电位，作为光阴极用于CO2的光电还原具有巨大的应用潜力。CuFeO2的制备方法有化学共沉淀法、气相沉积法及水热法等，这些方法普遍存在反应时间长、工艺复杂以及沉积温度高等缺点，且制备成电极步骤繁琐。电化学沉积法可直接在基体电极上沉积出光电活性材料，具有操作过程简单、原料纯度要求低、所用仪器设备和金属前驱体较便宜等诸多优点。另外，电沉积技术可以实现大面积制备，这使得光电极阵列的量产在技术上可行，可极大地降低此类光电极的制备成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CuFeO

【技术特征摘要】
1.一种CuFeO2光电极的电化学制备方法，其特征在于，制备方法如下：（1）将铜盐和铁盐溶解于乙醇-水混合溶剂中，并加入草酸搅拌均匀，形成电沉积溶液；（2）在电解池中加入电沉积溶液，采用三电极体系用于电沉积，其中FTO导电玻璃作为三电极体系中的工作电极、铂片电极作为辅助电极，Ag/AgCl电极作为参比电极；（3）采用恒电位法进行沉积，沉积电位采用-0.3V～-0.6V，沉积时间为1800s～7200s，形成Cu-Fe-O膜电极；（4）将电沉积后的Cu-Fe-O膜电极放入加热炉中，在N2保护下进行煅烧，得到CuFeO2光电极。


2.根据权利要求1所述的一种CuFeO2光电极的电化学制备方法，其特征在于，在步骤（2）之前，将FTO导电玻璃依次放入丙酮、乙醇和超纯水中进行清洗。


3.根据权利要求1所述的一种CuFeO2光电极的电化学制备方法，其特征在于，步骤（1）中使用的铜盐与铁盐为硝酸铜和硝酸铁，浓度分别为8mmol/L和24mmol/L。


4.根据权利要求1所述的一种CuFeO2光电极的电化学制备方法，其特征在于，步骤（1）中，草酸浓度为5～20mmol/L。


5.根据权利要求1所述的一种CuFeO2光电极的电化学...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小卉，李树白，唐惠东，段啸天，戴子翔，徐欣，李子瑜，周星誉，
申请(专利权)人：常州工程职业技术学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32