【技术实现步骤摘要】
过滤装置及过滤系统
本专利技术涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种用于过滤晶圆蚀刻过程所用液体的过滤装置。
技术介绍
当使用湿蚀刻法来剥离氮化硅时，蚀刻液中的二氧化硅浓度会增加，因而降低蚀刻液对氮化硅的选择性。为了确保半导体晶圆的质量，在每一批量处理后，会排放掉一半或全部蚀刻液。平均来说，更换所有蚀刻液会花费30分钟。排放或更换蚀刻液会增加制程成本以及停机时间。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种过滤蚀刻液的过滤装置。另，还有必要提供一种具有所述过滤装置的过滤系统。本专利技术提供一种过滤装置，包括：壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路在本专利技术一些实施方式中，每一所述多个过滤片垂直于所述内侧壁。在本专利技术一些实施方式中，每一所述多个过滤片与所述内侧壁具有范围介于0度至90度的夹角。在本专利技术一些实施方...
【技术保护点】
1.一种过滤装置，其特征在于，包括：/n壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及/n多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，其特征在于，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路。/n
【技术特征摘要】
20181213 US 62/7789251.一种过滤装置，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及
多个过滤片，设于所述壳体的内侧壁，其特征在于，所述多个过滤片的一部份与另一部份相互交错以在所述壳体内形成曲折流路。
2.如权利要求1所述的过滤装置，其特征在于，每一所述多个过滤片垂直于所述内侧壁。
3.如权利要求1所述的过滤装置，其特征在于，每一所述多个过滤片与所述内侧壁具有范围介于0度至90度的夹角。
4.如权利要求1所述的过滤装置，其特征在于，每一所述多个过滤片包括用于捕捉二氧化硅的半导体图案，所述半导体图案具有从每一所述多个过滤片的一侧延伸的刷状结构。
5.一种过滤系统，其特征在于，包括：
晶圆处理模块；以及
至少一过滤装置，连接至所述晶圆处理模块，所述至少一过滤装置包括：
壳体，所述壳体被第一端盖及第二端盖所封闭，所述第一端盖包括进液口，所述第二端盖包括出液口；以及
多个过滤片...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔相龙，南昌铉，吕寅准，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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