【技术实现步骤摘要】
用于ICP-MS的冷却板
本专利技术涉及用于电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)的接口。本专利技术另外涉及用于电感耦合等离子体质谱仪中的冷却板。
技术介绍
电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS)为能够在非干扰低本底同位素上低至1015中一份(每千之五次方中一份，ppq)的非常低的浓度下检测金属和某些非金属的分析方法。方法涉及利用电感耦合等离子体来使待分析的样品电离，并且然后使用质谱仪来分离并且量化因此产生的离子。样品通常为液体溶液或悬浮液，以载气(通常为氩气)中气溶胶的形式供应。通过在电磁线圈中使载气中的气溶胶电离以产生氩原子、自由电子和氩离子的高能量混合物来产生等离子体。等离子体在等离子体炬中产生，所述等离子体炬通常包含形成相应通道的多个同心管，并且由螺旋感应线圈朝向其下游端围绕。等离子体气体(通常为氩气)在炬的外部通道中流动，并且向气体施加电荷以使气体的一部分电离。射频被施加到炬线圈，并且所得交变磁场使自由电子加速，从而导致气体的另外电离。由此，在等离子体中的温度通常在5,000至10,000K的范围...
【技术保护点】
1.一种用于电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)的等离子体采样接口，所述等离子体采样接口包含/n壳体，所述壳体包含至少一个用于将电感耦合等离子体源产生的等离子体的离子引入所述壳体的内室中的进入开口，以及至少一个用于从所述内室释放离子的离开开口；/n具有采样孔的采样器，所述采样器被安装在所述壳体上，所述采样器在使用时被安置成与由所述电感耦合等离子体源产生的等离子体相邻，以从所述等离子体中采样离子，并且通过所述进入开口释放采样到的离子到所述内室，/n其中所述进入开口在与所述壳体成一体的冷却板中提供，所述采样器被安装在所述冷却板上以至少部分覆盖所述进入开口，并且其中所述冷却板由青铜形成。/n
【技术特征摘要】
20181212 GB 1820201.01.一种用于电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)的等离子体采样接口，所述等离子体采样接口包含
壳体，所述壳体包含至少一个用于将电感耦合等离子体源产生的等离子体的离子引入所述壳体的内室中的进入开口，以及至少一个用于从所述内室释放离子的离开开口；
具有采样孔的采样器，所述采样器被安装在所述壳体上，所述采样器在使用时被安置成与由所述电感耦合等离子体源产生的等离子体相邻，以从所述等离子体中采样离子，并且通过所述进入开口释放采样到的离子到所述内室，
其中所述进入开口在与所述壳体成一体的冷却板中提供，所述采样器被安装在所述冷却板上以至少部分覆盖所述进入开口，并且其中所述冷却板由青铜形成。
2.根据权利要求1所述的等离子体采样接口，其中所述青铜由按所述青铜的重量计约70％至约95％的铜组成，并且其中所述青铜的其余部分的至少80重量％由锡组成。
3.根据权利要求1所述的等离子体采样接口，其中所述青铜由按所述青铜的重量计约70％至约95％的铜，优选地约80％至约95％的铜，更优选地约85％至约90％组成，并且其中所述青铜的其余部分由锡组成。
4.根据权利要求1所述的等离子体采样接口，其中所述青铜由按所述青铜的重量计约88％的铜和约12％的锡组成。
5.根据权利要求1中任一项所述的等离子体采样接口，其中所述采样器安装在所述冷却板的在使用时面对电感耦合等离子体源的等离子体的外表面。
6.根据权利要求1所述的等离子体采样接口，其中所述冷却板至少围绕所述采样器的外周部分。
7.根据权利要求1中任一项所述的等离子体采样接口，其中所述冷却板适于面对等离子体并且被安置成提供所述壳体的所述外表面的至少一部分,其在使用期间面对电感耦合等离子体源产生的等离子体。
8.根据权利要求1中任一项所述的等离子体采样接口，其中所述采样器包含具有开口尖端以限定所述采样孔的圆锥形结构。
9.根据权利要求1所述的等离子体采样接口，其中所述采样器包含远离所述圆锥形结构径向延伸的凸缘，其中所述凸缘适于与围绕所述进入开口的所述冷却板的外表面相接。
10.根据权利要求1所述的等离子体采样接口，其中所述凸缘具有外螺纹，并且其中所述冷却板在其表面上包含围绕所述进入开口的螺纹部分，所述螺纹部分适于接纳所述外螺纹凸缘，以将所述凸缘固定至所述冷却板。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的等离子体采样接口，其另外包含用于将所述采样器固定至所述冷却板并且在其间提供气密密封的固定凸缘，所述固定凸缘包含适于与所述冷却板上的互补螺纹相接的外螺纹，以将所述固定凸缘固定至所述板，并且由此在所述采样器上施加力，以在所述采样器和所述板之间提供气密密封。
12.根据权利要求11所述的等离子体采样接口，其另外包含固定构件，所述固定构件适于被安装到所述冷却板的所述外表面上并且由此环绕所述冷却板的所述进入开口，所述固定构件另外在其内部圆形表面上具有螺纹，以提供互补螺纹，以用于经由所述固定凸缘将所述采样器固定至所述冷却板。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的等离子体采样接口，其中所述青铜具有在15至200W/mK的范围内的热导率。
14.根据权利要求1至10中任一项所述的等离子体采样接口，其中所述板在其外表面上不包含涂层或沉积物。
15.根据权利要求1至10中任一项所述的等离子体采样接口，其中所述壳体另外包含安装在所述壳体的内表面上的截取器，所述截取器与所述采样器相对，所述截取器具有用于接纳来自所...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·希恩里齐斯，
申请(专利权)人：塞莫费雪科学不来梅有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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