一种铁电薄膜表面功函数的测定方法技术

本发明专利技术公开了一种铁电薄膜表面功函数的测定方法，包括：S1、在待测铁电薄膜表面制备具有不同功函数的金属顶电极；S2、测量不同金属顶电极与待测铁电薄膜之间的势垒差；S3、基于所述势垒差及金属顶电极的功函数生成所述待测铁电薄膜表面功函数。与现有技术相比，本发明专利技术可以使得在缺少大型检测功函数仪器情况下，较为方便地获得薄膜表面的功函数值，进而加深人们对氧化物铁电薄膜表面特性的认识及有效获得氧空位的浓度值，此外，本发明专利技术也可以大大提高我们对氧化物铁电薄膜表面属性的性能调控，以此获得最佳的制备薄膜参数。

A method for measuring the surface work function of ferroelectric thin films

【技术实现步骤摘要】
一种铁电薄膜表面功函数的测定方法
本专利技术涉及功能薄膜
，具体涉及一种铁电薄膜表面功函数的测定方法。
技术介绍
在工程技术和科学研究领域，研究人员迫切地想知道薄膜表面的缺陷浓度及费米能级状态，然而苦于没有方法去获得，只能花费大量时间去做微观检测。现有技术中，通常采用以下两种方法进行检测：一种方法是利用开尔文探测和开尔文探测力显微镜来进行测量；另一种方法是基于光发射的原理，通过紫外(UV)光去激发相应的固体样品表面，使得固体表面的电子受到激发，通过测量发射电子的能量谱来分析样品的态密度、占据态及功函数等信息。然而，上述方法均是对微小区域进行测量，难以获得较大区域的薄膜样品的功函数，且测得的结果还需进行进一步的处理，不能直接使用。因此，如何快速的测量较大区域的薄膜的功函数成为了本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述不足，本专利技术实际需要解决的问题是：如何快速的测量较大区域的薄膜的功函数。本专利技术采用了如下的技术方案：一种铁电薄膜表面功函数的测定方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电薄膜表面功函数的测定方法，其特征在于，包括：/nS1、在待测铁电薄膜表面制备具有不同功函数的金属顶电极；/nS2、测量不同金属顶电极与待测铁电薄膜之间的势垒差；/nS3、基于所述势垒差及金属顶电极的功函数生成所述待测铁电薄膜表面功函数。/n

【技术特征摘要】
1.一种铁电薄膜表面功函数的测定方法，其特征在于，包括：
S1、在待测铁电薄膜表面制备具有不同功函数的金属顶电极；
S2、测量不同金属顶电极与待测铁电薄膜之间的势垒差；
S3、基于所述势垒差及金属顶电极的功函数生成所述待测铁电薄膜表面功函数。


2.如权利要求1所述的铁电薄膜表面功函数的测定方法，其特征在与，步骤S1包括：
S101、利用带孔的掩膜版，将孔对准目标制备区域并遮挡非制备区域；
S102、通过光刻、曝光和显影的方式在目标制备区域刻出目标电极图形；
S103、通过磁控溅射的方式溅射目标金属电极；
S104、重复执行步骤S101至S103的方法完成多种具有不同功函数的金属顶电极的制备。


3.如权利要求1所述的铁电薄膜表面功函数的测定方法，其特征在于，步骤S2包括：
S201、通过温度阻抗频谱曲线获得不同温度下的不同金属顶电极对应的等效晶粒电阻Rg；
S202、利用Ln(Rg)与1000/T线性关系拟合曲线求得金属顶电极处载流子缺陷的势垒差，Ln(Rg)表示等效晶粒电阻Rg取对数值，T表示温度。

【专利技术属性】
技术研发人员：张万里，毛燕湖，崔莲，
申请(专利权)人：长江师范学院，
类型：发明
国别省市：重庆;50