一种介质二次电子发射产额的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明专利技术无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。

A measurement method of secondary electron emission yield of medium

【技术实现步骤摘要】
一种介质二次电子发射产额的测量方法
本专利技术属于二次电子发射
，尤其涉及一种介质二次电子发射产额的测量方法。
技术介绍
二次电子发射又称次级电子倍增，是指具有一定能量的电子或其它粒子，照射固体材料表面时，从这些物体表面会发射电子的现象。当部件处于10-3Pa或更低压强时，在承受大功率的情况下，很容易由于二次电子发射而发生谐振放电现象，称为微放电效应。对于二次电子产生的机理可以简要的概括如下：电子以一定能量入射到材料表面时，与材料内的原子或分子发生多次散射，一部分电子与表面原子发生弹性散射而被直接反弹回去，形成弹性背散射电子。进入材料内部的原电子可能与材料原子发生非弹性散射而激发内二次电子，内二次电子主要由入射电子将样品原子导带、价带或者少量内壳电子电离逸出样品形成的，一部分内二次电子会向表面移动并克服功函数而出射，形成本征二次电子，部分原电子在内部因多次散射改变运动轨迹并损失能量，直至从表面逸出形成非弹性背散射电子，或者消耗全部的能量后停留在样品内部。通常把弹性和非弹性背散射电子统称为背散射电子。辐照到介质材料中的电子除了以二次本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，包括：/n将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；/n将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；/n根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；/n获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；/n根据测量得到的总体二次电子产额、覆盖比例和金属导电栅网自身的二次电子产额，解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；/n根据解算得到的待测介质表面出射的二次电子产额和遮挡系数，解算得到待测介质的本征二次电子产额。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，包括：
将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；
将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；
根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；
获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；
根据测量得到的总体二次电子产额、覆盖比例和金属导电栅网自身的二次电子产额，解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；
根据解算得到的待测介质表面出射的二次电子产额和遮挡系数，解算得到待测介质的本征二次电子产额。


2.根据权利要求1所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流，包括：
采用导电胶带将金属导电栅网与二次电子测试平台样品台导通；
将入射电子照射到金属导电栅网范围内，同时在二次电子测试平台样品台上施加一个+500V的偏置电压，获得入射电流IPE；
撤销施加在二次电子测试平台样品台上的+500V的偏置电压，获取样品电流IS。


3.根据权利要求2所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，通过如下公式解算得到测量得到的总体二次电子产额δmeasurement：





4.根据权利要求3所述的介质二次电子发射产额的测量方法，其特征在于，通过如下公式解算得到待测介质表面出射的二次电子产额δsub-out：

【专利技术属性】
技术研发人员：封国宝，王琪，杨晶，苗光辉，谢桂柏，何鋆，崔万照，
申请(专利权)人：西安空间无线电技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61