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本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质...
该专利属于西安空间无线电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过西安空间无线电技术研究所授权不得商用。

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