【技术实现步骤摘要】
一种增强型导模共振光纤传感器的制备方法
本专利技术属于光学传感领域，特别涉及到一种增强型导模共振光纤传感器的制备方法。
技术介绍
光纤传感器具有结构紧凑、灵敏度高、可实现远程传感等优势，在生化探测、气体检测、温度传感等领域已经有较为广泛的应用。按照工作原理，光纤传感器主要分为倏逝场作用型（包括干涉型、布拉格光栅型等）光纤传感器、法布里-泊罗谐振腔型光纤传感器（以下称为F-P型）以及表面等离子体共振型光纤传感器（以下称为SPR型）等类型。倏逝场作用型光纤传感器为了引出倏逝波，需要去除光纤包层，或采用拉锥、熔接不同类型光纤等方法激发包层模式，这些方法对光纤的机械性能会造成很大损害，光纤容易变形或断裂，从而影响传感器工作的稳定性，且传感作用区域通常较长（数厘米），需要较大体量的待测样本；F-P型光纤传感器的探测范围与传感灵敏度成反比，从而限制了其性能的进一步提升；SPR型传感器则往往需要拉锥、磨锥等复杂工艺，或使用昂贵的多芯光纤，另外，其共振波长通常处于可见光波段而非常用光纤通讯波段，吸收峰的线宽也较宽，从而对传感性能具有不利影响...
【技术保护点】
1.一种增强型导模共振光纤传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤A，在单模光纤上切割出一个与光纤轴向呈90°垂直的端面，并对所述端面进行打磨抛光；/n步骤B，利用溅射或化学气相沉积方法在所述端面上生长一层高折射率均匀薄膜，作为波导层；/n步骤C，利用光刻加刻蚀方法在波导层的表面制备光栅结构；所述光栅结构的区域尺寸不小于20×20微米；/n步骤D，利用聚焦离子束系统在光栅区两个相对位置分别刻蚀一个沟槽，所述右侧沟槽的位置要求为：沟槽的内侧壁位于光纤中轴线右侧第N个光栅突起的中心（假定光纤中轴线处对应的是光栅的被刻蚀部分）；所述左侧沟槽的位置与右侧沟槽对称；N的最...
【技术特征摘要】
1.一种增强型导模共振光纤传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤A，在单模光纤上切割出一个与光纤轴向呈90°垂直的端面，并对所述端面进行打磨抛光；
步骤B，利用溅射或化学气相沉积方法在所述端面上生长一层高折射率均匀薄膜，作为波导层；
步骤C，利用光刻加刻蚀方法在波导层的表面制备光栅结构；所述光栅结构的区域尺寸不小于20×20微米；
步骤D，利用聚焦离子束系统在光栅区两个相对位置分别刻蚀一个沟槽，所述右侧沟槽的位置要求为：沟槽的内侧壁位于光纤中轴线右侧第N个光栅突起的中心（假定光纤中轴线处对应的是光栅的被刻蚀部分）；所述左侧沟槽的位置与右侧沟槽对称；N的最优值由理论或仿真计算确定，通常为8-11；
步骤E，利用聚焦离子束系统在两个沟槽的内侧壁上沉积一层约300nm厚度的贵金属薄膜。
2.如权利要求1所述的一种增强型导模共...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚一村，张丽强，解艳茹，陈南光，田振，纪红柱，王宗良，任世杰，
申请(专利权)人：聊城大学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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