【技术实现步骤摘要】
一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法
:本专利技术涉及一种导电复合薄膜材料的制备方法,尤其是涉及一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法。
技术介绍
:伴随着信息产业的快速发展和电子电器设备如智能手机、可穿戴设备、平板电脑、医疗电子设备的广泛使用,电子垃圾已成为我国增长最快的固体垃圾之一。电子垃圾对环境的污染主要表现在两个方面,一是电子产品本身含有有毒有害物质,二是电子垃圾中的不可降解塑料造成的白色污染。如何从电子材料源头上减少电子产品的污染是一个亟待解决的问题。目前使用较多的导电材料是铝箔、铜箔以及铜铍合金薄膜。但由于其柔性、耐疲劳性有限而限制了其在柔性电子中的应用。近年来,逐渐出现石墨烯、碳纳米管等新型导电材料,将其与高分子复合制备导电复合薄膜得到了广泛研究,但是这些材料与高分子界面结合能力较差,在循环负载下导电稳定性难以保证,阻碍了其发展与应用。另一方面,目前所用的高分子基体多为不可降解的高分子材料,废弃电子的处理及环境污染会带来新的问题。随着电子产品发展,对于电子材料提出更高要 ...
【技术保护点】
1.一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:/n所述方法包括以下步骤:/n(1)MXene的化学刻蚀法制备;/n(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备;/n(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备。/n
【技术特征摘要】
1.一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:
所述方法包括以下步骤:
(1)MXene的化学刻蚀法制备;
(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备;
(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备。
2.根据权利要求1所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:
(1)MXene的化学刻蚀法制备:将1~3gMAX相加入1-3g氟化锂和10~30mL盐酸9mol/L,常温搅拌24~30h,之后超声3-5h,离心洗涤,3500转/分钟,直至体系pH到6,过滤、干燥得到少层MXene粉末;
(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备:通过溶剂置换法将MXene分散于极性有机溶剂中,浓度范围0.1~2mg/mL,然后加入可降解高分子(5wt%~25wt%)溶解,超声3h,得到静电纺丝液。
(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备:控制温度为23~27℃,相对湿度为45%~55%,调整纺丝液中高分子和MXene的浓度,进行静电纺丝可降解高分子/MXene导电复合薄膜。
3.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:周宏伟,杜浩田,金洗郎,陈卫星,
申请(专利权)人:西安工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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