Cr制造技术

本发明专利技术涉及一种Cr

Cr

【技术实现步骤摘要】
Cr2O3晶体的制备方法
本专利技术涉及材料制备领域，尤其涉及一种Cr2O3晶体的制备方法。
技术介绍
近年来，过渡金属二卤化物(TMDC)由于其二维(2-D)层状结构类似于石墨烯而受到广泛关注。广泛存在的TMDCs包括MoS2、MOSe2、WS2、WSe2、ReS2和ReSe2等。作为非TMDC材料，Cr2O3晶体具有六边形层状结构和三斜晶系非层状结构等独特特点。Cr2O3晶体因其铁磁性等新特性而备受关注，这些特性与层数无关，且每一层都表现得像一个分离的单层。这种独特的特性与大多数TMDC不同，由于Cr2O3晶体具有直接的带隙和各向异性的晶体结构，当带隙厚度减小时，带隙由间接向直接过渡时，它在高效光电器件中得到了应用。传统的Cr2O3晶体的制备方法有几种，包括溶液法、化学剥离法、溶液沉积法和固相反应法最广泛使用的方法是制备高质量样品的溶液法，但横向尺寸通常仅为几百纳米，很难得到微米级别。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种Cr2O3晶体的制备方法，可以制备横向尺寸达到微米级别的Cr2O3晶体。一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Cr

【技术特征摘要】
1.一种Cr2O3晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
以铬前体材料为反应源，以卤素为辅助材料，将衬底置于生长区；以及
在常压和保护气体氛围下，以氢气和所述保护气体的混合气体作为工作气体，加热衬底和所述反应源，在所述衬底上化学气相沉积形成Cr2O3晶体。


2.根据权利要求1所述的Cr2O3晶体的制备方法，其特征在于，所述卤素为碘，所述铬前体材料和所述碘的质量比为5～50：1000～3000。


3.根据权利要求2所述的Cr2O3晶体的制备方法，其特征在于，所述铬前体材料为CrO3。


4.根据权利要求1所述的Cr2O3晶体的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气；
所述混合气体中，所述氢气和所述保护气体的体积比为1：0.5～1：12。


5.根据权利要求4所述的Cr2O3晶体的制备方法，其特征在于，所述混合气体中，所述氢气和所述保护气体的体积比为1：1、1：2、1：5或1：10；
或者，所述混合气体中，所述氢气和所述保护气体流量比为10sccm：10sccm、10sccm：20sccm、10sccm：50sccm或10sc...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦胜妍，屈军毅，
申请(专利权)人：深圳市立洋光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44