测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量制造技术

本申请是关于通过以下步骤来测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量：a)提供传感器材料；b)使所述传感器材料曝露于所述预定类型辐射，用于使所述预定类型辐射在所述传感器材料中保留预定时间段；c)使已曝露于所述预定类型辐射的所述传感器材料经受热处理和/或经受光学刺激；以及d)测定所述传感器材料由于经受所述热处理和/或经受所述光学刺激而发射的可见光的量；其中所述传感器材料是由以下式(I)所表示(M')

Determination of the amount of a predetermined type of radiation on the sensor material

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量专利
本申请涉及用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的方法。本申请还涉及用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的检测装置及系统。本申请还涉及不同的用途。
技术介绍
紫外线(UV)照射程度升高无论是否由阳光或鞣制(tanning)紫外线装置所造成，都有使皮肤癌、其它皮肤病以及皮肤老化机率增大的负面效应。知道何时寻求遮挡紫外线辐射、或何时涂抹或再涂抹防晒乳液从而具有重要性。这对其它型辐射同样适用，诸如在例如医疗电器或诊断装置中的不同应用中使用的X辐射或者α辐射、β辐射、或γ辐射。因此知道物体已被曝露于的辐射的量具有重要意义。专利技术人已认识到需要一种方式来指示或测定对象已被曝露于的预定类型辐射的量。目的本申请的目的在于提供一种用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的新方法。再者，本申请的目的在于提供一种用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的新检测装置。再者，本申请的目的在于提供一种用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的新系统。再者，本申请的目的在于提供不同的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的方法，其中，所述方法包括：/na)提供传感器材料；/nb)使所述传感器材料曝露于所述预定类型辐射，用于使所述预定类型辐射在所述传感器材料中保留预定时间段；/nc)使已曝露于所述预定类型辐射的所述传感器材料经受热处理和/或经受光学刺激；以及/nd)测定所述传感器材料由于经受所述热处理和/或经受所述光学刺激而发射的可见光的量；/n其中，所述传感器材料是由以下式(I)所表示/n(M')

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171107 FI 201759921.用于测定照射在传感器材料上的预定类型辐射的量的方法，其中，所述方法包括：
a)提供传感器材料；
b)使所述传感器材料曝露于所述预定类型辐射，用于使所述预定类型辐射在所述传感器材料中保留预定时间段；
c)使已曝露于所述预定类型辐射的所述传感器材料经受热处理和/或经受光学刺激；以及
d)测定所述传感器材料由于经受所述热处理和/或经受所述光学刺激而发射的可见光的量；
其中，所述传感器材料是由以下式(I)所表示
(M')8(M”M”')6O24(X,X')2:M””
式(I)
其中，
M'表示选自IUPAC元素周期表第1族的碱金属的单原子阳离子、或此类阳离子的任意组合；
M”表示选自IUPAC元素周期表第13族的元素的三价单原子阳离子、或选自IUPAC元素周期表第3至12族中任一族的过渡元素的三价单原子阳离子、或此类阳离子的任意组合；
M”'表示选自IUPAC元素周期表第14族的元素的单原子阳离子、或选自IUPAC元素周期表第13族和第15族中任一族的元素的单原子阳离子、或Zn的单原子阳离子、或此类阳离子的任意组合；
X表示选自IUPAC元素周期表第17族的元素的阴离子、或此类阴离子的任意组合，或其中X不存在；
X'表示选自IUPAC元素周期表第16族的元素的阴离子、或此类阴离子的任意组合，或其中X'不存在；以及
M””表示选自IUPAC元素周期表过渡金属的元素的掺质阳离子、或此类阳离子的任意组合，或其中M””不存在；
条件是X和X'中的至少一个存在。


2.如权利要求1所述的方法，其中，所述预定类型辐射是所具波长为高于0nm至590nm、或高于0nm至560nm、或高于0nm至500nm、或高于0nm至400nm、或高于0nm至300nm、或0.000001nm至590nm、或0.000001nm至560nm、或0.000001nm至500nm、或10nm至590nm、或10nm至560nm、或10nm至500nm、或0.000001nm至400nm、或0.000001nm至300nm、或0.000001nm至10nm、或10nm至400nm、或10nm至300nm、或0.01nm至10nm的电磁辐射。


3.如权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，所述热处理包括升高所述传感器材料的温度。


4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述传感器材料的所述光学刺激包括使所述传感器材料经受所具波长为310nm至1400nm的电磁辐射。


5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：e)将所述测定的由所述传感器材料发射的光的量与参考作比较，所述参考指示所述发射的可见光的量与所述传感器材料已被曝露于的所述预定类型辐射的量的相关性。


6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，M'表示选自IUPAC元素周期表第1族的碱金属的单原子阳离子、或此类阳离子的任意组合，条件是M'不表示仅Na的单原子阳离子。


7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，M'表示选自IUPAC元素周期表第1族的不同碱金属的至少两种单原子阳离子的组合。


8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，M'表示选自Li、Na、K和Rb的不同碱金属的至少两种单原子阳离子的组合。


9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，M'表示选自Li、K和Rb的碱金属的单原子阳离子、或此类阳离子的任意组合。


10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，M'表示Na的单原子阳离子与Li的单原子阳离子、与K的单原子阳离子和/或与Rb的单原子阳离子的组合。


11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，M”表示选自Al和Ga的金属的三价单原子阳离子、或此类阳离子的组合。


12.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：米卡·拉图萨里，伊莎贝拉·诺尔博，
申请(专利权)人：图尔库大学，
类型：发明
国别省市：芬兰;FI