一种腐蚀液及芯片台面的制备方法技术

本发明专利技术提供一种腐蚀液及芯片台面的制备方法，涉及半导体芯片制备领域。腐蚀液，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。利用该腐蚀液能够解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题，使刻蚀速率更均匀，降低刻蚀成本，提高表面刻蚀质量的效果。

A preparation method of etching solution and chip table

【技术实现步骤摘要】
一种腐蚀液及芯片台面的制备方法
本专利技术涉及半导体芯片制备领域，尤其涉及一种腐蚀液及芯片台面的制备方法。
技术介绍
随着光通信技术的迅猛发展，光通信传输速率越来越快，而光电探测器芯片作为光通信系统中的核心芯片，对接收速率的要求也随之越来越高，光电探测器平面式结构的芯片采用的工艺成熟，生产成品率高，稳定性及可靠性好，但是平面式结构的芯片不能完全满足高速光电探测器芯片对宽带性能的要求，为了提高传输速率，10GHz及以上高速光电探测器件多采用台面式结构芯片。而为了制作台面结构，目前主流的方法是用ICP设备进行干法蚀刻，然而ICP干法刻蚀有着速率不均匀，刻蚀表面粗糙的缺点，并且刻蚀设备造价高昂，给企业生产带来成本压力。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种腐蚀液，以解决现有芯片采用IPC干法刻蚀造成的刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题。本专利技术的第二目的在于提供一种芯片台面的制备方法，以解决现有芯片台面刻蚀速率不均、刻蚀表面粗糙且刻蚀成本高的问题。为达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种腐蚀液，其特征在于，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。/n

【技术特征摘要】
1.一种腐蚀液，其特征在于，包括：溶剂和溶于所述溶剂中的重铬酸盐和卤酸。


2.根据权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，每升溶剂中加入的所述重铬酸盐的质量为10-20g。


3.根据权利要求2所述的腐蚀液，其特征在于，所述重铬酸盐包括重铬酸钾、重铬酸钠或重铬酸铵中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的腐蚀液，其特征在于，所述重铬酸为重铬酸钾。


5.根据权利要求1-4任一项所述的腐蚀液，其特征在于，所述卤酸中的卤化氢占所述溶剂的体积分数为8-20％。

【专利技术属性】
技术研发人员：邹颜，杨彦伟，刘宏亮，陆一锋，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44