一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法技术

本发明专利技术公开一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法，涉及多芯片封片技术领域所述分离方法包括去除芯片的黑色封膠得到第一试样；去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；所述第三试样用丙酮冲洗；其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。本发明专利技术方法作业过程易控制，且芯片形态不会损坏，并可以使3D叠芯片裸片元器件中芯片全部独立暴露出来，使芯片中缺陷容易观察。

A kind of etchant for chip separation of 3D laminated chip package components and its separation method

The invention discloses a corrosion agent and a separation method for chip separation of 3D laminated chip package components, which relates to the technical field of multi chip sealing. The separation method includes removing the black sealing glue of the chip to obtain the first sample, removing the gold wire of the first sample to obtain the second sample, immersing the second sample in the corrosion agent for 2-3 hours to obtain the third sample, and using the third sample The etchant comprises nitric acid with a mass percentage of 65% - 68% and fuming nitric acid with a mass percentage of more than 98%, and the volume ratio of nitric acid with a mass percentage of 65% - 68% and fuming nitric acid with a mass percentage of more than 98% is 1:1. The operation process of the method is easy to control, and the chip shape will not be damaged, and the chip in the 3D stacked chip bare chip components can be exposed independently, so that the defects in the chip can be easily observed.

【技术实现步骤摘要】
一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法
本专利技术涉及多芯片封片
，具体是一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。
技术介绍
对于全新的3D叠芯片裸片的封装元器件，若在使用过程中出现失效时，有时需要通过破坏性的物理分析，检查其每层芯片裸片的状况时，这就需要将元器件的每层芯片裸片都暴露，并对各芯片裸片的外部结构进行检查，便于验证其内部材料，设计和结构是否符合适用的设计文件或其他规定的要求。3D叠芯片裸片的封装是高性能元器件的一种重要的封装形式，其鲜明的特点为元器件的物理分析带来了新的挑战，如何将3D叠芯片裸片元器件的每层芯片分离，便成为了3D叠芯片裸片封装元器件失效分析/物理分析过程中遇到的棘手问题。
技术实现思路
(一)解决的技术问题本专利技术的目的在于提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。(二)技术方案为了克服上述技术缺陷，本专利技术提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。第一方面，本专利技术提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。优选的，所述腐蚀剂在85～95摄氏度条件下进行工作。第二方面，本专利技术还提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，所述分离方法包括以下步骤：去除芯片的黑色封膠得到第一试样；去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；所述第三试样用丙酮冲洗；其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。优选的，所述去除芯片的黑色封膠的步骤为：所述芯片置于温度为145～155摄氏度的发烟硝酸中浸泡5～8min。优选的，去除所述第一试样的芯片金线的步骤为：所述第一试样置于温度为85～95摄氏度的王水中浸泡7～8min。优选的，所述第二试样置于温度为85～95摄氏度的腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样。优选的，所述第三试样用丙酮冲洗5s～8s。优选的，所述第三试样用丙酮冲洗完成后采用真空笔吸取出。(三)有益效果本专利技术提供了一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。与现有技术相比，具备以下有益效果：通过芯片依次去除黑色封膠和芯片金线后置于腐蚀剂中浸泡2～3h，再经过丙酮冲洗，采用的腐蚀剂为体积比为1∶1的质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸混合液，实现了对封装腔体内的非顶层芯片进行全部暴露，避免了机械开封过程中对芯片的损坏，方便对非顶层芯片进行物理分析。本专利技术方法作业过程易控制，且芯片形态不会损坏，并可以使3D叠芯片裸片元器件中芯片全部独立暴露出来，使芯片中缺陷容易观察。具体实施方式以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。基于上述
技术介绍
的阐述，本专利技术提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂及分离方法。第一方面，本专利技术实施例提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。上述实施例采用的腐蚀剂为体积比为1∶1的质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸混合液，实现了对封装腔体内的非顶层芯片进行全部暴露，避免了机械开封过程中对芯片的损坏，方便对非顶层芯片进行物理分析。一实施例中，所述腐蚀剂在85～95摄氏度条件下进行工作。在85～95摄氏度条件下的腐蚀剂促进腐蚀剂对芯片的分离。第二方面，本专利技术实施例还提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，所述分离方法包括以下步骤：去除芯片的黑色封膠得到第一试样；去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；所述第三试样用丙酮冲洗；其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。上述实施例通过芯片依次去除黑色封膠和芯片金线后置于腐蚀剂中浸泡2～3h，再经过丙酮冲洗，采用的腐蚀剂为体积比为1∶1的质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸混合液，实现了对封装腔体内的非顶层芯片进行全部暴露，避免了机械开封过程中对芯片的损坏，方便对非顶层芯片进行物理分析。本专利技术方法作业过程易控制，且芯片形态不会损坏，并可以使3D叠芯片裸片元器件中芯片全部独立暴露出来，使芯片中缺陷容易观察。一实施例中，所述去除芯片的黑色封膠的步骤为：所述芯片置于温度为145～155摄氏度的发烟硝酸中浸泡5～8min。一实施例中，去除所述第一试样的芯片金线的步骤为：所述第一试样置于温度为85～95摄氏度的王水中浸泡7～8min。一实施例中，所述第二试样置于温度为85～95摄氏度的腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样。一实施例中，所述第三试样用丙酮冲洗5s～8s。一实施例中，所述第三试样用丙酮冲洗完成后采用真空笔吸取出。下面通过具体的实施例进行详细的说明：实施例1：本专利技术实施例提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，所述分离方法包括以下步骤：芯片置于温度为145摄氏度的发烟硝酸中浸泡5min得到第一试样。所述第一试样置于温度为85摄氏度的王水中浸泡8min得到第二试样；所述第二试样置于温度为85摄氏度的腐蚀剂中浸泡2h得到第三试样；所述第三试样用丙酮冲洗8s，采用真空笔吸取出。其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。实施例2：第二方面，本专利技术实施例还提供一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，所述分离方法包括以下步骤：芯片置于温度为155摄氏度的发烟硝酸中浸泡8min得到第一试样。所述第一试样置于温度为95摄氏度的王水中浸泡7min得到第二试样；所述第二试样置于温度为95摄氏度的腐蚀剂中浸泡3h得到第三试样；所述第三试样用丙酮冲洗5s，采用真空笔吸取出。其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为68％的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。/n

【技术特征摘要】
1.一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。


2.根据权利要求1所述的3D叠层芯片封装元器件芯片分离用腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂在85～95摄氏度条件下进行工作。


3.一种3D叠层芯片封装元器件芯片分离方法，其特征在于，所述分离方法包括以下步骤：
去除芯片的黑色封膠得到第一试样；
去除所述第一试样的芯片金线得到第二试样；
所述第二试样置于腐蚀剂中浸泡2～3h得到第三试样；
所述第三试样用丙酮冲洗；
其中，所述腐蚀剂包括质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸，且所述质量百分比为65％～68％的硝酸和质量百分比大于98％的发烟硝酸的体积比为1∶1。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑明辉，张健健，郭玲，
申请(专利权)人：紫光宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31