固体电解质、其制造方法、气体传感器技术

本发明专利技术提供由部分稳定化氧化锆(2)形成的固体电解质(1)、其制造方法、和具备固体电解质(1)的气体传感器(5)。部分稳定化氧化锆(2)是至少含有M相粒子(31)和C相粒子(32)作为晶粒(3)的氧化锆。部分稳定化氧化锆(2)也是含有稳定剂低浓度相粒子(33)作为晶粒(3)的氧化锆。

Solid electrolyte, its manufacturing method, gas sensor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体电解质、其制造方法、气体传感器关联申请的相互参照本申请基于2017年11月3日申请的日本申请号2017-213345号，将其记载内容援引于此。
本公开涉及由部分稳定化氧化锆形成的固体电解质、其制造方法、具备固体电解质的气体传感器。
技术介绍
在内燃机的排气系统等中，出于检测废气中的氧浓度或空燃比等的目的而利用了气体传感器元件。在这样的气体传感器元件中使用了氧化锆等氧化物离子传导性的固体电解质。例如，在专利文献1中，公开了具备固体电解质层的陶瓷层叠体。这样的陶瓷层叠体被用于气体传感器等中。固体电解质层以例如与包含氧化铝的陶瓷加热器的异种材料构件接触的状态使用。另外，在具有有底筒状的固体电解质体的杯型气体传感器中，固体电解质体以与覆盖其表面的由尖晶石等形成的保护层的异种材料构件接触的状态使用、或者以介由1μm左右的电极被保护层覆盖的状态使用。保护层例如通过等离子喷镀等而形成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-292406号公报
技术实现思路
然而，由部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固体电解质，其是由稳定剂(21)固溶于氧化锆(22)中而得到的部分稳定化氧化锆(2)形成的固体电解质(1)，/n所述部分稳定化氧化锆是至少含有单斜晶相粒子(31)和立方晶相粒子(32)作为构成该部分稳定化氧化锆的晶粒(3)的氧化锆，所述单斜晶相粒子的存在比率为5～25体积％，/n所述部分稳定化氧化锆也是含有粒子中心(O)处的所述稳定剂的浓度为1摩尔％以下的稳定剂低浓度相粒子(33)作为所述晶粒的氧化锆，/n所述稳定剂低浓度相粒子在其个数频率的粒度分布中，具有平均粒径成为0.6～1.0μm、并且累积个数10％处的粒径成为0.5μm以上的峰(P1)，所述稳定剂低浓度相粒子的整体中的50体积...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171103 JP 2017-2133451.一种固体电解质，其是由稳定剂(21)固溶于氧化锆(22)中而得到的部分稳定化氧化锆(2)形成的固体电解质(1)，
所述部分稳定化氧化锆是至少含有单斜晶相粒子(31)和立方晶相粒子(32)作为构成该部分稳定化氧化锆的晶粒(3)的氧化锆，所述单斜晶相粒子的存在比率为5～25体积％，
所述部分稳定化氧化锆也是含有粒子中心(O)处的所述稳定剂的浓度为1摩尔％以下的稳定剂低浓度相粒子(33)作为所述晶粒的氧化锆，
所述稳定剂低浓度相粒子在其个数频率的粒度分布中，具有平均粒径成为0.6～1.0μm、并且累积个数10％处的粒径成为0.5μm以上的峰(P1)，所述稳定剂低浓度相粒子的整体中的50体积％以上属于所述峰。


2.根据权利要求1所述的固体电解质，其中，所述峰为第1峰，所述稳定剂低浓度相粒子在其个数频率的粒度分布中，进一步具有平均粒径为0.2～0.4μm并且累积个数90％处的粒径成为0.5μm以下的第2峰(P2)。


3.根据权利要求2所述的固体电解质，其中，所述稳定剂低浓度相粒子的整体中的20～50体积％属于所述第2峰。


4.根据权利要求1～3中任1项所述的固体电解质，其中，所述稳定剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田充宏，铃木聪司，野口真，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP