【技术实现步骤摘要】
掺杂型氧化亚铜纳米材料及其制备方法和应用
本专利技术属于纳米材料和光电功能材料
,具体涉及掺杂型氧化亚铜纳米材料及其制备方法和应用。
技术介绍
金属氧化物材料具有广泛的应用价值。对金属氧化物的掺杂可以进一步改善和提升材料的性能和应用领域。早在1967年,I.T.Drapak就曾报道了ZnO/p-Cu2O异质结的电致发光。但是P型ZnO的掺杂效果仍然有极大的提升空间。氧化亚铜在光电功能材料领域有潜在的重要价值,目前的关键问题在于高性能材料的制备技术,特别是有效的掺杂方法。有没有可能发展出一种通用的掺杂方法,这是目前需要解决的问题。专利技术人前期发现,以硫氰酸亚铜为原料,可以很容易合成氧化亚铜纳米线材料。我们也发现其他多种“金属离子-硫氰酸根”水溶液体系可以用于合成金属氧化物纳米材料。我们还发现,硫氰酸亚铜通过与无机盐溶液反应实现掺杂,制备光电功能薄膜或者先进功能材料。[(1)徐伟,肖星星,夏鹏,一种氧化亚铜纳米线多孔薄膜及其制备方法和应用,专利技术专利申请号:2014100140030;(2)徐伟,肖星星 ...
【技术保护点】
1.一种掺杂型氧化亚铜纳米材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:/n(1)将固态硫氰酸亚铜与“金属离子-硫氰酸根”水溶液复合,制备吸附有“金属离子-硫氰酸根”物种的硫氰酸亚铜;/n(2)再与碱水溶液反应,然后进行分离、洗涤,再烘干或者烘烤,制备得到掺杂型的氧化亚铜纳米材料;/n所述的固态硫氰酸亚铜采用硫氰酸亚铜薄膜或硫氰酸亚铜粉末;/n所述的“金属离子-硫氰酸根”水溶液体系采用水溶性金属盐与水溶性硫氰酸盐的混合水溶液;与金属盐相比,水溶性硫氰酸盐的用量为等当量、或者少量、或者微量;硫氰酸根与金属离子的摩尔数之比为:4.0~0.001;所述水溶性硫氰酸盐采用硫氰酸钠、硫氰酸 ...
【技术特征摘要】
1.一种掺杂型氧化亚铜纳米材料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:
(1)将固态硫氰酸亚铜与“金属离子-硫氰酸根”水溶液复合,制备吸附有“金属离子-硫氰酸根”物种的硫氰酸亚铜;
(2)再与碱水溶液反应,然后进行分离、洗涤,再烘干或者烘烤,制备得到掺杂型的氧化亚铜纳米材料;
所述的固态硫氰酸亚铜采用硫氰酸亚铜薄膜或硫氰酸亚铜粉末;
所述的“金属离子-硫氰酸根”水溶液体系采用水溶性金属盐与水溶性硫氰酸盐的混合水溶液;与金属盐相比,水溶性硫氰酸盐的用量为等当量、或者少量、或者微量;硫氰酸根与金属离子的摩尔数之比为:4.0~0.001;所述水溶性硫氰酸盐采用硫氰酸钠、硫氰酸钾、硫氰酸铵之一种;
所述的金属离子采用二价金属离子、三价金属离子、四价金属离子之一种,这些金属离子都可以与硫氰酸根形成“金属离子-硫氰酸根”水溶液。
2.根据权利要求1所述的掺杂型氧化亚铜纳米材料的制备方法,其特征在于,所述金属离子具体可选自:铟离子、钛离子、锆离子、铬离子、锰离子、铁离子、亚铁离子、钴离子、镍离子、铜离子、铅离子、镁离子、钙离子、钡离子、锶离子、铝离子、镓离子、锌离子中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的掺杂型氧化亚铜纳米材料的制备方法,其特征在于,所述制备吸附有“金属离子-硫氰酸根”物种的硫氰酸亚铜,具体方法分二种:(一)将粉末状态的硫氰酸亚铜分散到“金属离子-硫氰酸根”水溶液中,通过混合来吸附,制备吸附有“金属离子-硫氰酸根”物种的硫氰酸亚铜;(二)将硫氰酸亚铜薄膜浸泡在“金属离子-硫氰酸根”水溶液中,制备吸附有“金属离子-硫氰酸根”物种的硫氰酸亚铜。
4.根据权利要求1所述的掺杂型氧化亚铜纳米材料的制备方法,...
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